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1. (WO2019043206) PHASE TRANSITION THIN FILM DEVICE
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2019/043206 국제출원번호: PCT/EP2018/073550
공개일: 07.03.2019 국제출원일: 31.08.2018
IPC:
H01L 45/00 (2006.01) ,H01L 49/00 (2006.01) ,H03H 9/42 (2006.01) ,G01L 9/00 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
45
전위 장벽 또는 표면 장벽 없이 정류, 증폭, 발진 또는 스위칭에 특별히 적용되는 고체 장치, 예. 유전체 삼극 소자; 오브신스키 효과(Ovshinsky- effect) 장치; 그들 장치 또는 그 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
49
27/00 ~ 47/00 및 51/00으로 분류되지 않고, 다른 서브클래스에도 분류되지 않는 고체 장치; 그들 장치 또는 그 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치
H SECTION H — 전기
03
기본전자회로
H
임피던스회로망, 예. 공진회로; 공진기
9
전기기계적 또는 전기음향적 요소를 포함하는 회로망; 전기기계적 공진기
30
시간지연 회로망
42
탄성표면파를 사용하는 것
G SECTION G — 물리학
01
측정; 시험
L
힘, 토오크, 일, 기계적 동력, 기계적 효율 또는 유체압력의 측정
9
전기적, 자기적 감응소자에 의한 유체 또는 유동성 고체의 정상압 또는 준정상압의 측정; 유체 또는 유동성 고체의 정상압 또는 준정상압의 측정에 사용되는 기계적 감압요소의 변위에 의한 전달 또는 지시
출원인:
KATHOLIEKE UNIVERSITEIT LEUVEN [BE/BE]; KU Leuven R&D Waaistraat 6 - box 5105 3000 Leuven, BE
발명자:
LOCQUET, Jean-Pierre; BE
SEO, Jin Won Maria; BE
MENGHINI, Mariela; BE
HOMM JARA, Pia; BE
대리인:
DENK IP BVBA; BE
HERTOGHE, Kris; BE
우선권 정보:
1713937.931.08.2017GB
1713940.331.08.2017GB
1810275.622.06.2018GB
1810969.404.07.2018GB
발명의 명칭: (EN) PHASE TRANSITION THIN FILM DEVICE
(FR) DISPOSITIF À FILM MINCE À TRANSITION DE PHASE
요약서:
(EN) The disclosed device comprises a thin film layer (4) of a phase transition material disposed over a substrate (2), and a confinement layer (3) adjacent to the thin film layer. The thin film layer has first and second in-plane lattice parameters and an out-of-plane lattice parameter when undergoing the phase transition, and the confinement layer has first and second in-plane layer lattice parameters and an out-of-plane layer lattice parameter. The confinement layer lattice parameters are within a range which allows to control the onset of and/or block the phase transition.
(FR) Le dispositif selon la présente invention comprend une couche de film mince (4) d'un matériau de transition de phase disposé sur un substrat (2), et une couche de confinement (3) adjacente à la couche de film mince. La couche de film mince comprend des premier et second paramètres de réseau dans le plan et un paramètre de réseau hors plan lors de sa soumission à la transition de phase, et la couche de confinement comprend des premier et second paramètres de réseau de couche dans le plan et un paramètre de réseau de couche hors plan. Les paramètres de réseau de la couche de confinement s'inscrivent dans une plage permettant de commander le déclenchement et/ou le blocage de la transition de phase.
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지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 영어 (EN)
출원언어: 영어 (EN)