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1. (WO2019042894) SEMICONDUCTOR BODY AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR BODY
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2019/042894 국제출원번호: PCT/EP2018/072906
공개일: 07.03.2019 국제출원일: 24.08.2018
IPC:
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/06 (2010.01) ,H01L 33/14 (2010.01) ,H01L 33/32 (2010.01) ,H01L 33/02 (2010.01) ,H01L 33/04 (2010.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
33
광, 예, 적외광, 의 방출에 특별히 적용되는 적어도 한개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 반도체 장치;그들 장치 또는 그 부품의 제조, 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치;그들 장치의 세부 '
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
33
광, 예, 적외광, 의 방출에 특별히 적용되는 적어도 한개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 반도체 장치;그들 장치 또는 그 부품의 제조, 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치;그들 장치의 세부 '
02
반도체 몸체에 특징이 있는 것
04
양자효과를 갖는 구조 또는 초격자를 가짐, 예. 터널 접합
06
발광 영역 내부에서, 예. 양자 가둠 구조 또는 터널 장벽
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
33
광, 예, 적외광, 의 방출에 특별히 적용되는 적어도 한개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 반도체 장치;그들 장치 또는 그 부품의 제조, 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치;그들 장치의 세부 '
02
반도체 몸체에 특징이 있는 것
14
케리어 전송을 제어할 수 있는 구조를 가짐, 예. 고농도 도핑된 반도체 또는 전류 제한층 구조
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
33
광, 예, 적외광, 의 방출에 특별히 적용되는 적어도 한개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 반도체 장치;그들 장치 또는 그 부품의 제조, 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치;그들 장치의 세부 '
02
반도체 몸체에 특징이 있는 것
26
발광 영역을 구성하는 재료
30
주기율표에서 3족과 5족 원소만을 포함
32
질소를 포함
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
33
광, 예, 적외광, 의 방출에 특별히 적용되는 적어도 한개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 반도체 장치;그들 장치 또는 그 부품의 제조, 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치;그들 장치의 세부 '
02
반도체 몸체에 특징이 있는 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
33
광, 예, 적외광, 의 방출에 특별히 적용되는 적어도 한개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 반도체 장치;그들 장치 또는 그 부품의 제조, 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치;그들 장치의 세부 '
02
반도체 몸체에 특징이 있는 것
04
양자효과를 갖는 구조 또는 초격자를 가짐, 예. 터널 접합
출원인:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
발명자:
DRAGO, Massimo; DE
FREY, Alexander; DE
HERTKORN, Joachim; DE
KOSLOW, Ingrid; DE
대리인:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
우선권 정보:
10 2017 120 302.804.09.2017DE
발명의 명칭: (EN) SEMICONDUCTOR BODY AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR BODY
(FR) CORPS SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN CORPS SEMI-CONDUCTEUR
(DE) HALBLEITERKÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERKÖRPERS
요약서:
(EN) The invention relates to a semiconductor body (10) based on a nitride compound semiconductor material, having a p-conducting region (100), in which the p-conductive region (100) has a barrier zone (110) and a contact zone (120). The barrier zone (110) has a first magnesium concentration (M110) and a first aluminum concentration (A110), and the contact zone (120) has a second magnesium concentration (M120) and a second aluminum concentration (A120). The first aluminum concentration (A110) is greater than the second aluminum concentration (A120), and the first magnesium concentration (M110) is smaller than the second magnesium concentration (M120). The contact zone (120) forms an outwardly exposed surface (10a) of the semiconductor body (10), and the barrier zone (110) adjoins the contact zone (120).
(FR) L’invention concerne un corps semi-conducteur (10) à base d’un matériau semi-conducteur composé de nitrure pourvu d’une zone conductrice de type p (100), tel que - la zone conductrice de type p (100) comporte une zone de barrière (110) et une zone de contact (120), - la zone de barrière (110) présentant une première concentration en magnésium (M110) et une première concentration en aluminium (A110), - la zone de contact (120) présentant une deuxième concentration en magnésium (M120) et une deuxième concentration en aluminium (A120), - la première concentration en aluminium (A110) étant supérieure à la deuxième concentration en aluminium (A120), - la première concentration en magnésium (M110) étant inférieure à la deuxième concentration en magnésium (M120), - la zone de contact (120) constituant une surface libre vers l’extérieur (10a) du corps semi-conducteur (10), et - la zone de barrière (110) étant adjacente à la zone de contact (120).
(DE) Halbleiterkörper (10) basierend auf einem Nitridverbindungshalbleitermaterial mit einem p-leitenden Bereich (100), bei dem - der p-leitende Bereich (100) eine Barrierezone (110) und eine Kontaktzone (120) aufweist, wobei - die Barrierezone (110) eine erste Magnesiumkonzentration (M110) und eine erste Aluminiumkonzentration (A110) aufweist, - die Kontaktzone (120) eine zweite Magnesiumkonzentration (M120) und eine zweite Aluminiumkonzentration (A120) aufweist, - die erste Aluminiumkonzentration (A110) größer als die zweite Aluminiumkonzentration (A120) ist, - die erste Magnesiumkonzentration (M110) kleiner als die zweite Magnesiumkonzentration (M120) ist, - die Kontaktzone (120) eine nach außen freiliegende Fläche (10a) des Halbleiterkörpers (10) bildet, und - die Barrierezone (110) an die Kontaktzone (120) angrenzt.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 독일어 (DE)
출원언어: 독일어 (DE)