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1. (WO2019041976) METHOD OF FABRICATING ARRAY SUBSTRATE, ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2019/041976 국제출원번호: PCT/CN2018/091784
공개일: 07.03.2019 국제출원일: 19.06.2018
IPC:
H01L 21/77 (2017.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
70
하나의 공통기판상 또는 기판내에 형성된 복수의 고체구성부품 또는 집적회로로 이루어진 장치 그에 대한 특정부품의 제조 또는 처리; 집적회로장치 또는 그에 대한 특정부품의 제조.
77
하나의 공통기판상 혹은 기판내에 형성된 복수의 고체구성부품 또는 집적회로로 이루어진 장치의 제조 또는 처리
출원인:
BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015, CN
발명자:
BAN, Shengguang; CN
CAO, Zhanfeng; CN
YAO, Qi; CN
대리인:
TEE & HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; CHEN, Yuan 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005, CN
우선권 정보:
201710772525.031.08.2017CN
발명의 명칭: (EN) METHOD OF FABRICATING ARRAY SUBSTRATE, ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE RÉSEAU, SUBSTRAT DE RÉSEAU ET APPAREIL D'AFFICHAGE
요약서:
(EN) The present application provides an array substrate. The array substrate includes a base substrate; a light shielding layer on the base substrate; a metal oxide layer on a side of the light shielding layer distal to the base substrate; and an active layer on a side of the metal oxide layer distal to the base substrate. The metal oxide layer includes a metal oxide material. The light shielding layer includes amorphous silicon. An orthographic projection of the light shielding layer on the base substrate substantially overlaps with an orthographic projection of the active layer on the base substrate, and substantially overlaps with an orthographic projection of the metal oxide layer on the base substrate.
(FR) La présente invention se rapporte à un substrat de réseau. Le substrat de réseau comprend un substrat de base; une couche de protection contre la lumière sur le substrat de base; une couche d'oxyde métallique sur un côté de la couche de protection contre la lumière distal par rapport au substrat de base; et une couche active sur un côté de la couche d'oxyde métallique distal par rapport au substrat de base. La couche d'oxyde métallique comprend un matériau d'oxyde métallique. La couche de protection contre la lumière comprend du silicium amorphe. Une projection orthographique de la couche de protection contre la lumière sur le substrat de base chevauche sensiblement une projection orthographique de la couche active sur le substrat de base, et chevauche sensiblement une projection orthographique de la couche d'oxyde métallique sur le substrat de base.
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지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 영어 (EN)
출원언어: 영어 (EN)