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1. (WO2019039290) ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM, PATTERN-FORMING METHOD, METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC DEVICE, RESIST FILM-EQUIPPED MASK BLANK, PATTERN-FORMING METHOD FOR RESIST FILM-EQUIPPED MASK BLANK
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공개번호: WO/2019/039290 국제출원번호: PCT/JP2018/029765
공개일: 28.02.2019 국제출원일: 08.08.2018
IPC:
G03F 7/004 (2006.01) ,C07C 381/12 (2006.01) ,C07D 231/54 (2006.01) ,C07D 265/10 (2006.01) ,C07D 275/04 (2006.01) ,C07D 281/18 (2006.01) ,C07D 309/08 (2006.01) ,C07D 319/06 (2006.01) ,C07D 327/08 (2006.01) ,C07D 333/42 (2006.01) ,C07D 333/46 (2006.01) ,C07D 333/76 (2006.01) ,C07D 335/02 (2006.01) ,C07D 493/04 (2006.01) ,C07D 493/08 (2006.01) ,C08K 5/42 (2006.01) ,C08L 101/00 (2006.01) ,G03F 1/82 (2012.01) ,G03F 7/038 (2006.01) ,G03F 7/039 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,C09K 3/00 (2006.01)
G SECTION G — 물리학
03
전자사진; 광파 이외의 파를 사용하는 유사기술; 영화; 사진; 홀로그래피(Holography)
F
사진제판법에 의한 요철화 또는 패턴화 표면의 제조, 예. 인쇄용, 반도체장치의 제조법용; 그것을 위한 재료; 그것을 위한 원료; 그것을 위한 특별히 적합한 장치
7
사진제판법, 예 사진석판법에 의한 요철화 또는 패턴화된 표면의 제조, 예. 인쇄표면의 제조 그것을 위한 재료, 예. 포토레지스트로 된 것 그것을 위하여 특히 적합한 장치
004
감광재료
04
크롬산염
C SECTION C — 화학; 야금
07
유기화학
C
비환 화합물 또는 탄소환 화합물
381
탄소 및 황을 함유하고 301/00 ~ 337/00의 그룹에 포함되지 않는 작용기를 갖는 화합물
12
.술포늄(Sulfonium) 화합물
C SECTION C — 화학; 야금
07
유기화학
D
이종원자 고리 화합물(고분자 화합물 C08)
231
1, 2-디아졸 고리 또는 수소첨가된 1, 2-디아졸 고리를 포함하는 복소환식 화합물
54
.탄소 고리 또는환과 축합하는 것
C SECTION C — 화학; 야금
07
유기화학
D
이종원자 고리 화합물(고분자 화합물 C08)
265
이종원자로서 1개의 질소원자와 1개의 산소원자만을 갖는 6원환을 함유하는 이종원자 고리 화합물
04
.1, 3-옥사진; 수소첨가한 1, 3-옥사진
06
다른 환과 축합하고 있지 않는 것
08
환원자상호간 또는 환원자와 비환원자간에 1개의 이중결합을 갖는 것
10
환의 탄소원자에 직접 결합한 산소원자를 갖는 것
C SECTION C — 화학; 야금
07
유기화학
D
이종원자 고리 화합물(고분자 화합물 C08)
275
1, 2-티아졸 또는 수소첨가 1, 2-티아졸 환을 함유하는 이종원자 고리 화합물
04
.탄소 고리 또는환과 축합한 것
C SECTION C — 화학; 야금
07
유기화학
D
이종원자 고리 화합물(고분자 화합물 C08)
281
이종원자로서 1개의 질소 원자와 1개의 황 원자만을 갖는 7원 이상의 환을 함유하는 이종원자 고리 화합물
18
.8원환
C SECTION C — 화학; 야금
07
유기화학
D
이종원자 고리 화합물(고분자 화합물 C08)
309
이종원자로서 1개의 산소 원자만을 갖는 6원환을 함유하고, 다른 환과 축합하고 있지 않은 이종원자 고리 화합물
02
.고리 원자 상호간 또는 고리 원자와 비환식 원자간에 이중 결합을 갖지 않는 것
08
이종원자 또는 이종원자에 대한 3개의 결합을 갖고, 그중 많아야 1개가 할로겐에 대한 결합인 탄소 원자, 예. 에스테르기 또는 니트릴기가 고리의 탄소 원자에 직접 결합한 것
C SECTION C — 화학; 야금
07
유기화학
D
이종원자 고리 화합물(고분자 화합물 C08)
319
이종원자로서 2개의 산소 원자만을 갖는 6원환을 함유하는 이종원자 고리 화합물
04
.1, 3-디옥산; 수소첨가 1, 3-디옥산
06
다른 환과 축합하고 있지 않는 것
C SECTION C — 화학; 야금
07
유기화학
D
이종원자 고리 화합물(고분자 화합물 C08)
327
이종원자로서 산소 및 황 원자만을 갖는 환을 함유하는 이종원자 고리 화합물
02
.1개의 산소 원자 및 1개의 황 원자
06
6원환
08
2개의 6원환 탄소 환과 -축합한 것
C SECTION C — 화학; 야금
07
유기화학
D
이종원자 고리 화합물(고분자 화합물 C08)
333
이종원자로서 1개의 황 원자만을 갖는 5원환을 함유하고 있는 이종원자 고리 화합물
02
.다른 환과 축합하고 있지 않는 것
04
고리의 황 원자가 치환되어 있지 않는 것
26
이종원자 또는 이종원자에 대한 3개의 결합을 갖고, 그중 많아야 1개가 할로겐에 대한 결합인 탄소 원자, 예. 에스테르기 또는 니트릴기가 고리의 탄소 원자에 직접 결합한 것
42
고리의 탄소 원자에 직접 결합하는 니트로기 또는 니트로소기를 함유하는 것
C SECTION C — 화학; 야금
07
유기화학
D
이종원자 고리 화합물(고분자 화합물 C08)
333
이종원자로서 1개의 황 원자만을 갖는 5원환을 함유하고 있는 이종원자 고리 화합물
02
.다른 환과 축합하고 있지 않는 것
46
고리의 황 원자가 치환된 것
C SECTION C — 화학; 야금
07
유기화학
D
이종원자 고리 화합물(고분자 화합물 C08)
333
이종원자로서 1개의 황 원자만을 갖는 5원환을 함유하고 있는 이종원자 고리 화합물
50
.탄소 고리 또는 환관 축합한 것
76
디벤조티오펜
C SECTION C — 화학; 야금
07
유기화학
D
이종원자 고리 화합물(고분자 화합물 C08)
335
이종원자로서 1개의 황 원자만을 갖는 6원환을 함유하는 이종원자 고리 화합물
02
.다른 환과 축합하고 있지 않는 것
C SECTION C — 화학; 야금
07
유기화학
D
이종원자 고리 화합물(고분자 화합물 C08)
493
축합계중에 이종원자로서 산소 원자만을 함유하는 이종원자 고리 화합물
02
.축합계가 2개의 이종원자 고리를 함유하는 것
04
오르토-축합계
C SECTION C — 화학; 야금
07
유기화학
D
이종원자 고리 화합물(고분자 화합물 C08)
493
축합계중에 이종원자로서 산소 원자만을 함유하는 이종원자 고리 화합물
02
.축합계가 2개의 이종원자 고리를 함유하는 것
08
가교계
C SECTION C — 화학; 야금
08
유기 고분자 화합물; 그 제조 또는 화학적 처리; 그에 따른 조성물
K
무기 또는 비고분자 유기 물질의 배합 성분으로서의 사용
5
유기 배합 성분의 사용
36
황, 셀레늄 또는 텔루르 함유 화합물
41
황-산소 결합을 갖는 화합물
42
술폰산; 그 유도체
C SECTION C — 화학; 야금
08
유기 고분자 화합물; 그 제조 또는 화학적 처리; 그에 따른 조성물
L
고분자 화합물의 조성물
101
불특정 고분자 화합물의 조성물
G SECTION G — 물리학
03
전자사진; 광파 이외의 파를 사용하는 유사기술; 영화; 사진; 홀로그래피(Holography)
F
사진제판법에 의한 요철화 또는 패턴화 표면의 제조, 예. 인쇄용, 반도체장치의 제조법용; 그것을 위한 재료; 그것을 위한 원료; 그것을 위한 특별히 적합한 장치
1
질감이 있거나 무늬가 있는 표면의 사진제판법 제품을 위한 원화, 예. 마스크, 포토-마스크 또는 레티클(reticle); 마스크 블랭크(mask blank) 또는 그 투과필름(pellicle); 그를 위해 특히 적용된 용기; 그 준비과정
68
G03F 1/20 ~ G03F 1/50에 포함되지 않는 준비과정 절차
82
보조 절차, 예. 청소
G SECTION G — 물리학
03
전자사진; 광파 이외의 파를 사용하는 유사기술; 영화; 사진; 홀로그래피(Holography)
F
사진제판법에 의한 요철화 또는 패턴화 표면의 제조, 예. 인쇄용, 반도체장치의 제조법용; 그것을 위한 재료; 그것을 위한 원료; 그것을 위한 특별히 적합한 장치
7
사진제판법, 예 사진석판법에 의한 요철화 또는 패턴화된 표면의 제조, 예. 인쇄표면의 제조 그것을 위한 재료, 예. 포토레지스트로 된 것 그것을 위하여 특히 적합한 장치
004
감광재료
038
불용성 또는 특이적으로 친수성으로 된 고분자화합물
G SECTION G — 물리학
03
전자사진; 광파 이외의 파를 사용하는 유사기술; 영화; 사진; 홀로그래피(Holography)
F
사진제판법에 의한 요철화 또는 패턴화 표면의 제조, 예. 인쇄용, 반도체장치의 제조법용; 그것을 위한 재료; 그것을 위한 원료; 그것을 위한 특별히 적합한 장치
7
사진제판법, 예 사진석판법에 의한 요철화 또는 패턴화된 표면의 제조, 예. 인쇄표면의 제조 그것을 위한 재료, 예. 포토레지스트로 된 것 그것을 위하여 특히 적합한 장치
004
감광재료
039
광축퇴 가능한 고분자화합물 예. 양화형 전자 레지스트
G SECTION G — 물리학
03
전자사진; 광파 이외의 파를 사용하는 유사기술; 영화; 사진; 홀로그래피(Holography)
F
사진제판법에 의한 요철화 또는 패턴화 표면의 제조, 예. 인쇄용, 반도체장치의 제조법용; 그것을 위한 재료; 그것을 위한 원료; 그것을 위한 특별히 적합한 장치
7
사진제판법, 예 사진석판법에 의한 요철화 또는 패턴화된 표면의 제조, 예. 인쇄표면의 제조 그것을 위한 재료, 예. 포토레지스트로 된 것 그것을 위하여 특히 적합한 장치
20
노광; 그것을 위한 장치
C SECTION C — 화학; 야금
09
염료;페인트;윤기 방편제;천연 수지;접착제;그 밖에 분류되지 않는 조성물;그 밖에 분류되지 않는 재료의 응용
K
그 밖에 분류되지 않는 응용되는 물질; 그 밖에 분류되지 않는 물질의 응용
3
다른 곳에 분류되지 않은 물질
출원인:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
발명자:
土村 智孝 TSUCHIMURA Tomotaka; JP
八木 一成 YAGI Kazunari; JP
대리인:
中島 順子 NAKASHIMA Junko; JP
米倉 潤造 YONEKURA Junzo; JP
村上 泰規 MURAKAMI Yasunori; JP
우선권 정보:
2017-16086424.08.2017JP
발명의 명칭: (EN) ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM, PATTERN-FORMING METHOD, METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC DEVICE, RESIST FILM-EQUIPPED MASK BLANK, PATTERN-FORMING METHOD FOR RESIST FILM-EQUIPPED MASK BLANK
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE AUX RAYONS ACTINIQUES OU AU RAYONNEMENT, FILM DE RÉSERVE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE, DÉCOUPE DE MASQUE ÉQUIPÉE D'UN FILM DE RÉSERVE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF DESTINÉ À UNE DÉCOUPE DE MASQUE ÉQUIPÉE D'UN FILM DE RÉSERVE
(JA) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、レジスト膜付きマスクブランクス、レジスト膜付きマスクブランクスのパターン形成方法
요약서:
(EN) Provided are: an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition that has excellent resolution, exposure latitude, and pattern shape properties; and a resist film, a pattern-forming method, a method for producing an electronic device, a resist film-equipped mask blank, and a pattern-forming method for a resist film-equipped mask blank, which use said actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition. This actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition comprises: a compound that generates an acid represented by specific general formula (I) upon being irradiated with an actinic ray or radiation; and a resin.
(FR) L'invention concerne : une composition de résine sensible aux rayons actiniques ou au rayonnement qui présente une excellente résolution, une excellente latitude d'exposition et des propriétés de forme de motif ; un film de réserve, un procédé de formation de motif, un procédé de fabrication d'un dispositif électronique, une découpe de masque équipée d'un film de réserve, et un procédé de formation de motif destiné à une découpe de masque équipée d'un film de réserve, qui utilisent ladite composition de résine sensible aux rayons actiniques ou au rayonnement. Cette composition de résine sensible aux rayons actiniques ou au rayonnement comporte : un composé qui génère un acide représenté par la formule générale spécifique (I) lorsqu'il est exposé à un rayon actinique ou à un rayonnement ; une résine.
(JA) 解像力、露光ラチチュード、および、パターン形状特性に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、レジスト膜付きマスクブランクス、及び、レジスト膜付きマスクブランクスのパターン形成方法を提供する。感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、活性光線又は放射線の照射により特定の一般式(I)で表される酸を発生する化合物と、樹脂とを含有する。
지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
아프리카 지식재산권기구(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)