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1. (WO2019039103) TUNGSTEN COMPOUND, RAW MATERIAL FOR THIN FILM FORMATION AND METHOD FOR PRODUCING THIN FILM
국제사무국에 기록된 최신 서지정보정보 제출

공개번호: WO/2019/039103 국제출원번호: PCT/JP2018/025392
공개일: 28.02.2019 국제출원일: 04.07.2018
IPC:
C07F 17/00 (2006.01) ,C07F 11/00 (2006.01) ,C23C 16/40 (2006.01) ,H01L 21/316 (2006.01)
C SECTION C — 화학; 야금
07
유기화학
F
탄소, 수소, 할로겐, 산소, 질소, 황, 셀레늄 또는 텔루르 이외의 원소를 함유하는 비환식, 탄소 고리 또는 이종원자 고리 화합물
17
메탈로센(Metallocenes)
C SECTION C — 화학; 야금
07
유기화학
F
탄소, 수소, 할로겐, 산소, 질소, 황, 셀레늄 또는 텔루르 이외의 원소를 함유하는 비환식, 탄소 고리 또는 이종원자 고리 화합물
11
주기율표의 제6족 원소를 함유하는 화합물
C SECTION C — 화학; 야금
23
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 화학적 표면처리; 금속재료의 확산처리; 진공증착, 스퍼터링(SPUTTERING), 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복 일반; 금속재료의 방식 또는 이물질 형성 방지 일반
C
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 표면 확산, 화학적 전환 또는 치환에 의한 금속재료의 표면처리; 진공증착, 스퍼터링, 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복, 일반
16
가스상 화합물의 분해에 의한 화학적 피복, 단 표면재료의 반응생성물을 피복층중에 남기지 않는것, 즉 화학증착법
22
.금속질재료이외의 무기질재료의 증착에 특징이 있는 것
30
화합물, 혼합물 또는 고용체의 증착, 예. 붕소화물, 탄화물, 질화물
40
산화물
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
04
적어도 하나의 전위장벽 또는 표면장벽(예. PN접합, 공핍층, 캐리어 밀집층)을 갖는 장치
18
불순물(예, 도우핑 물질)을 포함하고 있거나 포함하지 않는 주기율표 제4족의 원소 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물로 구성된 반도체본체를 갖는 장치
30
21/20~ 21/26에 분류되지 않은 방법이나 장비를 사용한 반도체본체의 처리
31
반도체본체상에 절연층 형성. 예. 마스킹용 또는 사진석판기술의 이용에 의한 것; 절연층의 후처리; 절연층에 적합한 물질의 선택
314
무기물층
316
산화물 또는 글라스(glass)성 산화물 또는 산화물을 기초로 한 글라스로 구성된 것
출원인:
株式会社ADEKA ADEKA CORPORATION [JP/JP]; 東京都荒川区東尾久七丁目2番35号 2-35, Higashiogu 7-chome, Arakawa-ku, Tokyo 1168554, JP
발명자:
齋藤 昭夫 SAITO, Akio; JP
白鳥 翼 SHIRATORI, Tsubasa; JP
青木 雄太郎 AOKI, Yutaro; JP
대리인:
曾我 道治 SOGA, Michiharu; JP
梶並 順 KAJINAMI, Jun; JP
大宅 一宏 OHYA, Kazuhiro; JP
우선권 정보:
2017-15856521.08.2017JP
발명의 명칭: (EN) TUNGSTEN COMPOUND, RAW MATERIAL FOR THIN FILM FORMATION AND METHOD FOR PRODUCING THIN FILM
(FR) COMPOSÉ DE TUNGSTÈNE, MATIÈRE PREMIÈRE POUR LA FORMATION DE FILM MINCE ET PROCÉDÉS DE PRODUCTION DE FILM MINCE
(JA) タングステン化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
요약서:
(EN) The present invention provides a tungsten compound represented by general formula (1) (wherein X represents a halogen atom, R1-R5 each independently represent a hydrogen atom or a C1-C5 alkyl group, R6 represents a tert-butyl group or a tert-pentyl group, and R7 represents a C1-C5 alkyl group; however, R7 represents a C1-C3 or C5 alkyl group when R1-R5 are all hydrogen atoms and R6 is a tert-butyl group, and when R1-R5 are all methyl groups and R6 is a tert-butyl group.)
(FR) La présente invention concerne un composé de tungstène représenté par la formule générale (1) (dans laquelle X représente un atome d'halogène, R1-R5 représentent chacun indépendamment un atome d'hydrogène ou un groupe alkyle en C1-C5, R6 représente un groupe tert-butyle ou un groupe tert-pentyle, et R7 représente un groupe alkyle en C1-C5; cependant, R7 représente un groupe alkyle en C1-C3 ou C5 lorsque R1-R5 représentent tous des atomes d'hydrogène et R6 représente un groupe tert-butyle, et lorsque R1-R5 représentent tous des groupes méthyle et R6 représente un groupe tert-butyle.)
(JA) 本発明は、下記一般式(1)で表されるタングステン化合物を提供することにある: (式中、Xは、ハロゲン原子を表し、R1~R5は、各々独立に、水素原子又は炭素原子数1~5のアルキル基を表し、R6は、第三ブチル基又は第三ペンチル基を表し、R7は、炭素数原子数1~5のアルキル基を表す。ただし、R1~R5が全て水素原子であり、R6が第三ブチル基である場合、及びR1~R5が全てメチル基であり、R6が第三ブチル基である場合は、R7は、炭素原子数1~3又は5のアルキル基を表す。)
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유라시아 특허청(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
아프리카 지식재산권기구(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)