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1. (WO2019035431) SEALING RESIN COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING SEALING RESIN COMPOSITION, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
국제사무국에 기록된 최신 서지정보정보 제출

공개번호: WO/2019/035431 국제출원번호: PCT/JP2018/030140
공개일: 21.02.2019 국제출원일: 10.08.2018
IPC:
C08L 63/00 (2006.01) ,C08G 59/00 (2006.01) ,C08K 3/013 (2018.01) ,C08K 5/54 (2006.01) ,H01L 21/56 (2006.01) ,H01L 23/29 (2006.01) ,H01L 23/31 (2006.01)
C SECTION C — 화학; 야금
08
유기 고분자 화합물; 그 제조 또는 화학적 처리; 그에 따른 조성물
L
고분자 화합물의 조성물
63
에폭시 수지의 조성물 에폭시 수지 유도체의 조성물
C SECTION C — 화학; 야금
08
유기 고분자 화합물; 그 제조 또는 화학적 처리; 그에 따른 조성물
G
탄소-탄소 불포화 결합만이 관여하는 반응 이외의 반응으로 얻는 고분자 화합물
59
분자당 한 개보다 많은 에폭시기를 함유하는 중축합물; 에폭시 중축합물과 단일 작용성 저분자량 화합물과의 반응으로 얻어지는 고분자 화합물; 에폭시기와 반응하는 경화제 또는 촉매를 사용하여 한 분자 중에 한 개보다 많은 에폭시기를 함유하는 화합물을 중합하여 얻는 고분자 화합물
[IPC code unknown for C08K 3/013]
C SECTION C — 화학; 야금
08
유기 고분자 화합물; 그 제조 또는 화학적 처리; 그에 따른 조성물
K
무기 또는 비고분자 유기 물질의 배합 성분으로서의 사용
5
유기 배합 성분의 사용
54
규소 함유 화합물
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
04
적어도 하나의 전위장벽 또는 표면장벽(예. PN접합, 공핍층, 캐리어 밀집층)을 갖는 장치
50
H01L21/06~ H01L21/326의 어디에도 분류되지 않은 방법 또는 장비를 이용한 반도체 장치의조립
56
보호(encapsulations)(예. 보호층, 피복(Coating))
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
23
반도체 또는 다른 고체장치의 세부
28
봉함(Encapsulation), 예. 봉함층, 피복(coating)
29
재료에 특징이 있는 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
23
반도체 또는 다른 고체장치의 세부
28
봉함(Encapsulation), 예. 봉함층, 피복(coating)
31
배열에 특징이 있는 것
출원인:
日立化成株式会社 HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目9番2号 9-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006606, JP
발명자:
水島 彩 MIZUSHIMA, Aya; JP
中田 貴広 NAKADA, Takahiro; JP
湧口 恵太 YUGUCHI, Keita; JP
대리인:
特許業務法人太陽国際特許事務所 TAIYO, NAKAJIMA & KATO; 東京都新宿区新宿4丁目3番17号 3-17, Shinjuku 4-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
우선권 정보:
2017-15644114.08.2017JP
2017-15644214.08.2017JP
2017-15644314.08.2017JP
발명의 명칭: (EN) SEALING RESIN COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING SEALING RESIN COMPOSITION, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE POUR SCELLEMENT AINSI QUE PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLE-CI, ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS AINSI QUE PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 封止用樹脂組成物、封止用樹脂組成物の製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造方法
요약서:
(EN) This sealing resin composition satisfies at least any of conditions (1)-(3) below: condition (1) an epoxy resin and an inorganic filler material are included, and the specific surface area of the inorganic filler material is not more than 3.28 m2/g; condition (2) an epoxy resin, an inorganic filler material, and a silane coupling agent including –NH2 or –SH are included; and condition (3) an epoxy resin and an inorganic filler material are included, and the crosslink density in a cured state is either 0.9 mol/cm3 or lower, or 1.0 mol/cm3 or higher.
(FR) L'invention concerne une composition de résine pour scellement qui satisfait au moins l'un des points (1) à (3) suivants. (1) Comprendre une résine époxy et un matériau de charge inorganique, la surface spécifique dudit matériau de charge inorganique étant inférieure ou égale à 3,28m/g. (2) Comprendre une résine époxy, un matériau de charge inorganique, et un agent adhésif au silane possédant -NH ou -SH. (3) Comprendre une résine époxy et un matériau de charge inorganique, la densité de réticulation à l'état durci étant inférieure ou égale à 0,9mol/cm et supérieure ou égale à 1,0mol/cm.
(JA) 下記(1)~(3)の少なくともいずれかを満たす、封止用樹脂組成物。 (1)エポキシ樹脂と、無機充填材とを含有し、前記無機充填材の比表面積が3.28m/g以下である。 (2)エポキシ樹脂と、無機充填材と、-NH又は-SHを有するシランカップリング剤とを含有する。 (3)エポキシ樹脂と、無機充填材とを含有し、硬化した状態での架橋密度が0.9mol/cm以下又は1.0mol/cm以上である。
지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
아프리카 지식재산권기구(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)