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1. (WO2019034505) CIRCUIT FOR ACTUATING A POWER SEMICONDUCTOR TRANSISTOR
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2019/034505 국제출원번호: PCT/EP2018/071579
공개일: 21.02.2019 국제출원일: 09.08.2018
IPC:
H03K 17/082 (2006.01)
H SECTION H — 전기
03
기본전자회로
K
펄스(PULSE)기술
17
전자적 스위칭 또는 게이팅, 즉 메이크 및 브레이크접점에 의하지 않는 것
08
과전압이나 과전류에 대해서 스위칭회로를 보호하기 위한 변형
082
출력회로에서 제어회로까지 피드백에 의한 것
출원인:
ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart, DE
발명자:
FRIESE, Falko; DE
SINN, Peter; DE
우선권 정보:
10 2017 214 211.115.08.2017DE
발명의 명칭: (EN) CIRCUIT FOR ACTUATING A POWER SEMICONDUCTOR TRANSISTOR
(FR) CIRCUIT D’ACTIVATION D’UN TRANSISTOR DE PUISSANCE À SEMI-CONDUCTEUR
(DE) SCHALTUNG ZUR ANSTEUERUNG EINES LEISTUNGSHALBLEITERTRANSISTORS
요약서:
(EN) A circuit (1) for actuating a power semiconductor transistor (2) having an actuation stage (3), which is configured to actuate the gate (4) of the power semiconductor transistor (2) using a control voltage (12) and, for this purpose, is connected to the gate (4) and the emitter (5) of the power semiconductor transistor (2), further having a protective circuit (6), which is likewise configured to actuate the gate (4) and, for this purpose, is connected to the gate (4) and the emitter (5), and also a current sensor (7) connected to the emitter (5) of the power semiconductor transistor (2) to determine a load current, wherein an output (8) of the current sensor (7) is made available to the protective circuit (6) and the protective circuit (6) is configured to decrease the control voltage at the gate (4) when a load current is greater than a threshold value current.
(FR) L’invention concerne un circuit (1) d’activation d’un transistor de puissance à semi-conducteur (2), présentant un étage d’activation (3) qui est conçu pour l’activation de la grille (4) du transistor de puissance à semi-conducteur (2) incluant une tension de commande (12) et qui est à cet effet raccordé à la grille (4) et à l’émetteur (5) du transistor de puissance à semi-conducteur (2), et présentant par ailleurs un circuit de protection (6) qui est également conçu pour l’activation de la grille (4) et qui est à cet effet raccordé à la grille (4) et à l’émetteur (5), ainsi qu’un capteur de courant (7) raccordé à l’émetteur (5) du transistor de puissance à semi-conducteur (2) et permettant de déterminer un courant de charge, une sortie (8) du capteur de courant (7) étant fournie au circuit de protection (6), et le circuit de protection (6) étant conçu pour abaisser la tension de commande au niveau de la grille (4) si un courant de charge dépasse une valeur seuil de courant.
(DE) Schaltung (1) zur Ansteuerung eines Leistungshalbleitertransistors (2) aufweisend eine Ansteuerungsstufe (3) welche zur Ansteuerung des Gates (4) des Leistungshalbleitertransistors (2) mit einer Steuerspannung (12) eingerichtet ist und dazu an das Gate (4) und den Emitter (5) des Leistungshalbleitertransistors (2) angeschlossen ist, weiter aufweisend eine Schutzschaltung (6), welche ebenfalls zur Ansteuerung des Gates (4) eingerichtet ist und dazu an das Gate (4) und den Emitter (5) angeschlossen ist, sowie ein an dem Emitter (5) des Leistungshalbleitertransistors (2) angeschlossener Stromsensor (7) zur Bestimmung eines Laststroms, wobei ein Ausgang (8) des Stromsensors (7) der Schutzschaltung (6) zur Verfügung gestellt ist und die Schutzschaltung (6) dazu eingerichtet ist, die Steuerspannung an dem Gate (4) abzusenken, wenn ein Laststrom größer ist als ein Schwellwertstrom.
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공개언어: 독일어 (DE)
출원언어: 독일어 (DE)