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1. (WO2019032313) METHOD OF MANUFACTURING AN ELECTRONICS USING DEVICE-LAST OFR DEVICE-ALMOST LAST PLACEMENT
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2019/032313 국제출원번호: PCT/US2018/044101
공개일: 14.02.2019 국제출원일: 27.07.2018
IPC:
H01L 23/13 (2006.01) ,H01L 23/14 (2006.01) ,H01L 23/00 (2006.01) ,H01L 23/48 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
23
반도체 또는 다른 고체장치의 세부
12
마운트, 예. 분리할 수 없는 절연기판
13
형상에 특징이 있는 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
23
반도체 또는 다른 고체장치의 세부
12
마운트, 예. 분리할 수 없는 절연기판
14
재료 또는 그 전기특성에 특징이 있는 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
23
반도체 또는 다른 고체장치의 세부
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
23
반도체 또는 다른 고체장치의 세부
48
동작중의 고체본체에서 또는 고체본체로 전류를 흐르게 하기 위한 배열, 예. 리이드 또는 단자배열
출원인:
GENERAL ELECTRIC COMPANY [US/US]; 1 River Road Schenectady, NY 12345, US
발명자:
KAPUSTA, Christopher, James; US
FILLION, Raymond, Albert; US
TUOMINEN, Risto Ilkka, Sakari; JP
NAGARKAR, Kaustubh, Ravindra; US
대리인:
DIMAURO, Peter, T.; US
KRAMER, John, A.; US
ZHANG, Douglas, D.; US
WINTER, Catherine, J.; US
MIDGLEY, Stephen, G.; US
우선권 정보:
15/670,42307.08.2017US
발명의 명칭: (EN) METHOD OF MANUFACTURING AN ELECTRONICS USING DEVICE-LAST OFR DEVICE-ALMOST LAST PLACEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE UTILISANT UN PLACEMENT DE DERNIER DISPOSITIF POUR PRESQUE DERNIER DISPOSITIF
요약서:
(EN) A method of manufacturing a multi-layer electronics package includes attaching a base insulating substrate to a frame having an opening therein and such that the frame is positioned above and/or below the base insulating substrate to provide support thereto. A first conductive wiring layer is applied on the first side of the base insulating substrate, and vias are formed in the base insulating substrate. A second conductive wiring layer is formed on the second side of the base insulating substrate that covers the vias and the exposed portions of the first conductive wiring layer and at least one additional insulating substrate is bonded to the base insulating substrate. Vias are formed in each additional insulating substrate and an additional conductive wiring layer is formed on each of the additional insulating substrate. The described build-up forms a multilayer interconnect structure, with the frame providing support for this build-up.
(FR) Un procédé de fabrication selon l'invention d'un boîtier électronique multicouche comprend la fixation d'un substrat isolant de base à un cadre ayant une ouverture de telle sorte que le cadre est positionné au-dessus et/ou au-dessous du substrat isolant de base pour servir de support à celui-ci. Une première couche de câblage conductrice est appliquée sur le premier côté du substrat isolant de base, et des trous d'interconnexion sont formés dans le substrat isolant de base. Une seconde couche de câblage conductrice est formée sur le second côté du substrat isolant de base qui recouvre les trous d'interconnexion et les parties exposées de la première couche de câblage conductrice, et au moins un substrat isolant supplémentaire est lié au substrat isolant de base. Des trous d'interconnexion sont formés dans chaque substrat isolant supplémentaire et une couche de câblage conductrice supplémentaire est formée sur chaque substrat isolant supplémentaire. L'accumulation décrite forme une structure d'interconnexion multicouche, le cadre fournissant un support pour cette accumulation.
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아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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공개언어: 영어 (EN)
출원언어: 영어 (EN)