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1. (WO2019032099) STRESS-IMPAIRED SIGNAL CORRECTION CIRCUIT
국제사무국에 기록된 최신 서지정보정보 제출

공개번호: WO/2019/032099 국제출원번호: PCT/US2017/045974
공개일: 14.02.2019 국제출원일: 08.08.2017
IPC:
G05F 3/30 (2006.01) ,G01R 33/06 (2006.01) ,G05F 1/10 (2006.01) ,G05F 3/08 (2006.01) ,G05F 3/16 (2006.01)
G SECTION G — 물리학
05
제어; 조정
F
전기적 또는 자기적 변량의 조정계
3
자기조정특성을 갖는 하나의 비제어소자 또는 복수의 소자로 된 조합으로 자기조정특성을 갖는 것에 의하여 전기량을 조정하는 비반작용계
02
전류, 전압의 조정
08
직류인 것
10
비선형 특성을 지닌 비제어소자를 사용하는 것
16
반도체장치인 것
20
다이오드 트랜지스터 조합을 사용하는 것
30
다른 전류밀도로 작동하는 2개의 쌍극성 트랜지스터의 베이스-에미터 전압간의 차를 이용하는 조정기
G SECTION G — 물리학
01
측정; 시험
R
전기변량의 측정; 자기변량의 측정
33
자기량을 측정하는 계기 또는 장치
02
자계 또는 자속의 방향 또는 크기의 측정
06
전류자기장치를 사용하는 것
G SECTION G — 물리학
05
제어; 조정
F
전기적 또는 자기적 변량의 조정계
1
전기량의 단일 또는 복수의 소망 값으로부터의 편차를 시스템의 출력부에서 검출하고 시스템내의 장치에 피드백하고, 이것에 의하여 검출량을 단일 또는 복수의 소망치로 복원하는 자동제어시스템, 즉 반작용시스템
10
전압 또는 전류의 조정
G SECTION G — 물리학
05
제어; 조정
F
전기적 또는 자기적 변량의 조정계
3
자기조정특성을 갖는 하나의 비제어소자 또는 복수의 소자로 된 조합으로 자기조정특성을 갖는 것에 의하여 전기량을 조정하는 비반작용계
02
전류, 전압의 조정
08
직류인 것
G SECTION G — 물리학
05
제어; 조정
F
전기적 또는 자기적 변량의 조정계
3
자기조정특성을 갖는 하나의 비제어소자 또는 복수의 소자로 된 조합으로 자기조정특성을 갖는 것에 의하여 전기량을 조정하는 비반작용계
02
전류, 전압의 조정
08
직류인 것
10
비선형 특성을 지닌 비제어소자를 사용하는 것
16
반도체장치인 것
출원인:
LINEAR TECHNOLOGY HOLDING LLC [US/US]; One Technology Way Norwood, Massachusetts 02062, US
발명자:
LAZAROV, Kalin V.; US
CHIACCHIA, Robert C.; US
대리인:
ARORA, Suneel; US
우선권 정보:
15/671,08007.08.2017US
발명의 명칭: (EN) STRESS-IMPAIRED SIGNAL CORRECTION CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DE CORRECTION DE SIGNAL DÉGRADÉ PAR UNE CONTRAINTE
요약서:
(EN) In a system and method for correcting a stress-impaired signal in a circuit, a calibration circuit produces a first calibrated voltage based on a base-emitter voltage of one or more pnp transistors, a second calibrated voltage based on a base-emitter voltage of one or more npn transistors, and a voltage proportional to absolute temperature. A set of reference values are generated based on these voltages. A gain correction factor is calculated based on a function of the set of reference values and a set of temperature-dependent values, and the stress-impaired signal is corrected based on the gain correction factor.
(FR) L'invention concerne un système et un procédé de correction d'un signal dégradé par une contrainte dans un circuit, dans lesquels un circuit d'étalonnage produit une première tension étalonnée sur la base d'une tension base-émetteur d'un ou plusieurs transistors PNP, une seconde tension étalonnée sur la base d'une tension base-émetteur d'un ou plusieurs transistors NPN, et une tension proportionnelle à la température absolue. Un ensemble de valeurs de référence sont générées sur la base de ces tensions. Un facteur de correction de gain est calculé sur la base d'une fonction de l'ensemble de valeurs de référence et d'un ensemble de valeurs dépendant de la température, et le signal dégradé par une contrainte est corrigé sur la base du facteur de correction de gain.
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공개언어: 영어 (EN)
출원언어: 영어 (EN)