이 애플리케이션의 일부 콘텐츠는 현재 사용할 수 없습니다.
이 상황이 계속되면 다음 주소로 문의하십시오피드백 및 연락
1. (WO2019031991) METHOD FOR PRODUCING A FILM OF LIGHT-ABSORBING MATERIAL WITH A PEROVSKITE-LIKE STRUCTURE
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2019/031991 국제출원번호: PCT/RU2018/050093
공개일: 14.02.2019 국제출원일: 06.08.2018
IPC:
C23C 14/06 (2006.01) ,C23C 14/58 (2006.01) ,H01L 51/42 (2006.01)
C SECTION C — 화학; 야금
23
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 화학적 표면처리; 금속재료의 확산처리; 진공증착, 스퍼터링(SPUTTERING), 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복 일반; 금속재료의 방식 또는 이물질 형성 방지 일반
C
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 표면 확산, 화학적 전환 또는 치환에 의한 금속재료의 표면처리; 진공증착, 스퍼터링, 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복, 일반
14
피복형성재료의 진공증착, 스퍼터링, 또는 이온주입에 의한 피복
06
.피복재료에 특징이 있는 것
C SECTION C — 화학; 야금
23
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 화학적 표면처리; 금속재료의 확산처리; 진공증착, 스퍼터링(SPUTTERING), 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복 일반; 금속재료의 방식 또는 이물질 형성 방지 일반
C
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 표면 확산, 화학적 전환 또는 치환에 의한 금속재료의 표면처리; 진공증착, 스퍼터링, 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복, 일반
14
피복형성재료의 진공증착, 스퍼터링, 또는 이온주입에 의한 피복
58
.후처리
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
51
능동 부분으로서 유기 재료를 이용하거나 능동 부분으로서 유기 재료와 다른 재료와의 조합을 이용하는 고체 장치; 그들 장치 또는 그 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치
42
적외선, 가시광, 단파장의 전자파, 또는 입자선 복사에 감응에 특별히 적용되는 것; 복사선 에너지를 전기적 에너지로 변환하든지, 또는 이들 복사선에 의해 전기적 에너지를 제어하는 것에 특별히 적용되는 것
출원인:
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ М.В. ЛОМОНОСОВА" FEDERAL STATE BUDGETARY EDUCATION INSTITUTION OF HIGHER EDUCATION "LOMONOSOV MOSCOW STATE UNIVERSITY" [RU/RU]; ГСП-1, Ленинские горы, д.1 Москва, GSP-1, Leninskie gori, d. 1 Moscow, 119991, RU
발명자:
ТАРАСОВ, Алексей Борисович TARASOV, Alexey Borisovich; RU
БЕЛИЧ, Николай Андреевич BELICH, Nikolai Andreevich; RU
ГУДИЛИН, Евгений Алексеевич GOODILIN, Eugene Alekseevich; RU
ПЕТРОВ, Андрей Андреевич PETROV, Andrey Andreevich; RU
ГРИШКО, Алексей Юрьевич GRISHKO, Aleksei Iurievich; RU
대리인:
КУПРИЯНОВА, Ольга Ивановна KUPRIYANOVA, Olga Ivanovna; RU
우선권 정보:
201712855910.08.2017RU
발명의 명칭: (EN) METHOD FOR PRODUCING A FILM OF LIGHT-ABSORBING MATERIAL WITH A PEROVSKITE-LIKE STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE FILM D'UN MATÉRIAU ABSORBANT LA LUMIÈRE AVEC UNE STRUCTURE DE TYPE PÉROVSKITE
(RU) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНКИ СВЕТОПОГЛОЩАЮЩЕГО МАТЕРИАЛА С ПЕРОВСКИТОПОДОБНОЙ СТРУКТУРОЙ
요약서:
(EN) The invention relates to a method for producing an organic-inorganic light-absorbing material with a perovskite-like structure, which can be used in the manufacturing of perovskite solar cells. The method for producing a light-absorbing material with a perovskite-like structure of formula АСВ3 consists in applying a layer of reagent AB, of a thickness with a specified reaction stoichiometry, to a layer of reagent C, and subsequently placing the layers into a liquid or gaseous medium containing a reagent В2, where component А can be CH3NH3+, (NH2)2CH+, C(NH2)3+, Cs+ or a mixture thereof, component В can be С1-, Вr-, I- or a mixture thereof, and component C can be the metals Sn, Pb or Bi, or alloys, oxides or salts thereof. The technical result which can be achieved with the use of the claimed invention is a simple and rapid method for producing a layer, which is homogeneous because of the formation of a film of intermediate phase АВ-В2, of a light-absorbing organic-inorganic material with a perovskite-like structure having improved morphology, because of rapid crystallization, on surfaces of large area, which will make it possible to use the material produced in solar cells of large area.
(FR) L'invention concerne la production d'un matriau absorbant la lumière organique-inorganique ayant une structure de type pérovskite, qui peut être utilisé lors de la fabrication de cellules solaires à base de pérovskite. L'invention concerne un procédé de production d'un matériau absorbant la lumière avec une structure de type pérovskite correspondant à la formule structurelle АСВ3, qui consiste à appliquer sur une couche de réactif C une couche de réactif AB d'une épaisseur de réaction stoechiométrique donnée, puis à placer les couches dans un milieu liquide ou gazeux contenant un réactif В2, dans lequel le composant A peut être CH3NH3+, (NH2)2CH+, C(NH2)3+, Cs+ ou un mélange de ces derniers, le composant B peut être С1-, Вr-, I- ou un mélange de ces derniers, et le composant C peut être les métaux Sn, Pb et Bi, ou des alliages, des oxydes ou des sels de ces derniers. Le résultat technique de la présente invention consiste en un procédé simple et rapide de production d'une couche d'un matériau absorbant la lumière organique-inorganique uniforme grâce à la formation d'un film de phase intermédiaire АВ-В2, qui possède une structure de type pérovskite et présente une meillure morphologie grâce à une cristallisation rapide sur des surfaces de grandes dimensions, ce qui permet d'utiliser le matériau dans des cellules solaires de grande surface.
(RU) Изобретение относится к способу получения органо-неорганического светопоглощающего материала со перовскитоподобной структурой, который может быть использован при изготовлении перовскитных солнечных ячеек. Способ получения светопоглощающего материала со перовскитоподобной структурой со структурной формулой АСВ3, заключается в нанесении на слой реагента С слоя реагента АВ, толщины заданной стехиометрией реакции, и последующего помещения слоев в жидкую или газообразную среду, содержащую реагент В2, где в качестве компонента А может быть CH3NH3+, (NH2)2CH+, C(NH2)3+, Cs+ или их смесь, в качестве компонента В может быть С1-, Вr-, I- или их смесь, а в качестве компонента С выступают металлы Sn, Pb и Bi, их сплавы, оксиды, соли. Техническим результатом, достигаемым при использовании заявляемого изобретения, является простой и быстрый способ получения однородного за счет формирования пленки промежуточной фазы АВ-В2 слоя светопоглощающего органо-неорганического материала со перовскитоподобной структурой с улучшенной за счет быстрой кристаллизации морфологией на поверхностях большой площади, который позволит использовать полученный материал в солнечных ячейках большой площади.
front page image
지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 러시아어 (RU)
출원언어: 러시아어 (RU)