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1. (WO2019031202) ACOUSTIC WAVE DEVICE, MULTIPLEXER, HIGH-FREQUENCY FRONT END CIRCUIT, AND COMMUNICATION DEVICE
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2019/031202 국제출원번호: PCT/JP2018/027363
공개일: 14.02.2019 국제출원일: 20.07.2018
IPC:
H03H 9/25 (2006.01) ,H03H 9/145 (2006.01) ,H03H 9/64 (2006.01) ,H03H 9/72 (2006.01)
H SECTION H — 전기
03
기본전자회로
H
임피던스회로망, 예. 공진회로; 공진기
9
전기기계적 또는 전기음향적 요소를 포함하는 회로망; 전기기계적 공진기
25
탄성표면파를 사용하는 공진기의 구조상의 특징
H SECTION H — 전기
03
기본전자회로
H
임피던스회로망, 예. 공진회로; 공진기
9
전기기계적 또는 전기음향적 요소를 포함하는 회로망; 전기기계적 공진기
02
세부
125
구동수단, 예. 전극, 코일
145
탄성표면파를 사용하는 회로망을 위한 것
H SECTION H — 전기
03
기본전자회로
H
임피던스회로망, 예. 공진회로; 공진기
9
전기기계적 또는 전기음향적 요소를 포함하는 회로망; 전기기계적 공진기
46
여파기
64
탄성표면파를 사용하는 것
H SECTION H — 전기
03
기본전자회로
H
임피던스회로망, 예. 공진회로; 공진기
9
전기기계적 또는 전기음향적 요소를 포함하는 회로망; 전기기계적 공진기
70
상이한 주파수 또는 주파수대역에서 동작하는 약간의 전원 또는 부하을 공통의 부하 또는 전원에 접속하기 위한 다단자 회로망
72
탄성표면파를 사용하는 회로망
출원인:
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
발명자:
中川 亮 NAKAGAWA, Ryo; JP
永友 翔 NAGATOMO, Shou; JP
岩本 英樹 IWAMOTO, Hideki; JP
▲高▼井 努 TAKAI, Tsutomu; JP
대리인:
特許業務法人 宮▲崎▼・目次特許事務所 MIYAZAKI & METSUGI; 大阪府大阪市中央区常盤町1丁目3番8号 中央大通FNビル Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028, JP
우선권 정보:
2017-15424009.08.2017JP
발명의 명칭: (EN) ACOUSTIC WAVE DEVICE, MULTIPLEXER, HIGH-FREQUENCY FRONT END CIRCUIT, AND COMMUNICATION DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES, MULTIPLEXEUR, CIRCUIT FRONTAL HAUTE FRÉQUENCE ET DISPOSITIF DE COMMUNICATION
(JA) 弾性波装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
요약서:
(EN) The present invention provides an acoustic wave device that is not susceptible to the occurrence of ripples due to a higher order mode in another acoustic wave filter. An acoustic wave device 1 comprising: a support substrate 2 that is a silicon substrate; a silicon nitride film 3 laminated on the support substrate 2; a silicon oxide film 4 laminated on the silicon nitride film 3; a piezoelectric body 5 laminated on the silicon oxide film 4, and comprising lithium tantalate; and an IDT electrode 6 provided on one main surface of the piezoelectric body 5. For the values of: the wavelength normalized film thickness TLT of the piezoelectric body; the Eulerian angle θLT of the piezoelectric body; the wavelength normalized film thickness TN of the silicon nitride film; wavelength normalized film thickness TS of the silicon oxide film 4; the wavelength normalized film thickness TE of the IDT electrode 6 found by the product of the wavelength normalized film thickness of the IDT electrode and the ratio of the density of the IDT electrode with respect to the density of aluminum, and expressed in terms of the thickness of aluminum; propagation orientation ψSi of the support substrate 2; and wavelength normalized film thickness TSi of the support substrate 2, TLT, θLT, TN, TS, TE, and ψSi are set so that at least one of Ih corresponding to the response strength of a first higher order mode, Ih corresponding to the response strength of a second higher order mode, and Ih of the response strength of a third higher mode represented by formula (1) is greater than –2.4, and TSi > 20.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à ondes acoustiques qui n'est pas sensible à l'apparition d'ondulations dues à un mode d'ordre supérieur dans un autre filtre à ondes acoustiques. Un dispositif à ondes acoustiques (1) comprend : un substrat de support (2) qui est un substrat de silicium ; un film de nitrure de silicium (3) stratifié sur le substrat de support (2) ; un film d'oxyde de silicium (4) stratifié sur le film de nitrure de silicium (3) ; un corps piézoélectrique (5) stratifié sur le film d'oxyde de silicium (4), et comprenant du tantalate de lithium ; et une électrode IDT (6) disposée sur une surface principale du corps piézoélectrique (5). Pour les valeurs de : l'épaisseur de film normalisé en longueur d'onde TLT du corps piézoélectrique ; l'angle d'Euler θLT du corps piézoélectrique ; l'épaisseur de film normalisée en longueur d'onde TN du film de nitrure de silicium ; l'épaisseur de film normalisé en longueur d'onde TS du film d'oxyde de silicium (4) ; l'épaisseur de film normalisé en longueur d'onde TE de l'électrode IDT (6) trouvée par le produit de l'épaisseur de film normalisé en longueur d'onde de l'électrode IDT et le rapport de la densité de l'électrode IDT avec la densité d'aluminium, et exprimée en termes de l'épaisseur de l'aluminium ; l'orientation de propagation ψSi du substrat de support (2) ; et une épaisseur de film normalisée en longueur d'onde TSi du substrat de support (2), TLT, θLT, TN, TS, TE, et ψSi sont définis de telle sorte que h correspondant à l'intensité de réponse d'un premier mode d'ordre supérieur et/ou Ih correspondant à l'intensité de réponse d'un deuxième mode d'ordre supérieur et/ou Ih de l'intensité de réponse d'un troisième mode supérieur représenté par la formule (1) sont supérieurs à -2,4, et TSi > 20.
(JA) 他の弾性波フィルタにおいて高次モードによるリップルを生じさせ難い、弾性波装置を提供する。 シリコン基板である支持基板2と、支持基板2上に積層された窒化ケイ素膜3と、窒化ケイ素膜3上に積層された酸化ケイ素膜4と、酸化ケイ素膜4上に積層されており、かつタンタル酸リチウムからなる圧電体5と、圧電体5の一方主面に設けられたIDT電極6とを備え、圧電体の波長規格化膜厚TLT、圧電体のオイラー角θLT、前記窒化ケイ素膜の波長規格化膜厚TN、酸化ケイ素膜4の波長規格化膜厚T、前記IDT電極の波長規格化膜厚と、前記IDT電極の密度のアルミニウムの密度に対する比との積で求められる、アルミニウムの厚みに換算したIDT電極6の波長規格化膜厚T、支持基板2の伝搬方位ψSi、支持基板2の波長規格化膜厚TSiの値が、下記の式(1)で表される第1の高次モードの応答強度に対応するI、第2の高次モードの応答強度に対応するIh、及び、第3の高次モードの応答強度に対応するIの少なくとも1つが-2.4より大きくなるようにTLT、θLT、TN、、T、ψSiが設定されており、かつ、TSi>20である、弾性波装置1。
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공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)