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1. (WO2019026606) IMAGING DEVICE
국제사무국에 기록된 최신 서지정보정보 제출

공개번호: WO/2019/026606 국제출원번호: PCT/JP2018/026711
공개일: 07.02.2019 국제출원일: 17.07.2018
IPC:
H04N 5/369 (2011.01) ,G01S 7/481 (2006.01) ,G01S 17/89 (2006.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 31/10 (2006.01)
H SECTION H — 전기
04
전기통신기술
N
화상통신, 예. 텔레비젼
5
텔레비젼 시스템의 세부
30
광 또는 아날로그 정보를 전기적 정보로 변환시키는 것
335
고체 이미지 센서 를 사용하는 것
369
SSIS 구조; 그와 관련된 회로
G SECTION G — 물리학
01
측정; 시험
S
무선에 의한 방위결정; 무선항행; 무선전파의 사용에 의한 거리 또는 속도의 결정; 무선전파의 반사 또는 재방사의 사용에 의한 위치 또는 유무의 탐지; 기타의 파류를 사용하는 유사한 방식
7
그룹 G01S 13/00, G01S 15/00, G01S 17/00에 의한 방식의 세부
48
그룹 G01S 17/00에 의한 방식
481
구조적인 모양, 예. 광학요소의 장치
G SECTION G — 물리학
01
측정; 시험
S
무선에 의한 방위결정; 무선항행; 무선전파의 사용에 의한 거리 또는 속도의 결정; 무선전파의 반사 또는 재방사의 사용에 의한 위치 또는 유무의 탐지; 기타의 파류를 사용하는 유사한 방식
17
전파 이외의 전자파의 반사 또는 재방사를 사용하는 방식 예. 라이더 시스템
88
특정의 응용에 특히 적합한 라이더 방식
89
매핑 또는 이미징용
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
27
하나의 공통기판내 또는 기판상에 형성된 복수의 반도체구성부품 또는 기타 고체구성부품으로 구성된 장치
14
적외선, 가시광, 단파장의 전자파 또는 입자선 복사에 감응하는 반도체구성부품으로서 이들의 복사선 에너지를 전기적 에너지로 변환하거나 이들의 복사선에 의해 전기적 에너지를 제어하는 것에 특별히 사용되는 것
144
복사선에 의하여 제어되는 장치
146
고체촬상장치(이미지 센서) 구조
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
31
적외선 복사, 가시광, 단파장의 전자기파, 또는 입자 복사에 감응하는 반도체 장치로, 이들 복사에 의한 에너지를 전기적 에너지로 변환하거나 이들 복사에 의해 전기적 에너지를 제어하는 것에 특별히 적용되는 것; 그들 장치 또는 그 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치; 그들 세부
08
복사선이 장치 내를 흐르는 전류를 제어하는 것, 예, 광-저항기(photoresistors)
10
적어도 하나의 전위장벽 또는 표면장벽에 특징이 있는 것, 예. 포토트랜지스터
출원인:
スタンレー電気株式会社 STANLEY ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 東京都目黒区中目黒2丁目9番13号 2-9-13, Nakameguro, Meguro-ku, Tokyo 1538636, JP
발명자:
中澤 克紀 NAKAZAWA, Katsunori; JP
後藤 浩成 GOTO, Hiroshige; JP
대리인:
特許業務法人創成国際特許事務所 SATO & ASSOCIATES; 東京都新宿区西新宿6-24-1 西新宿三井ビルディング 18階 Nishi-Shinjuku Mitsui Building 18F, 24-1, Nishi-Shinjuku 6-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600023, JP
우선권 정보:
2017-14940201.08.2017JP
발명의 명칭: (EN) IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE
(JA) 撮像装置
요약서:
(EN) An imaging element 400 comprises a p-epi 112, a surface-side n-type semiconductor region 117 separated from an adjacent PD by a channel stopper 115, and a surface-side p+ region 123. Voltages different from each other are applied to the channel stopper 115 or the p+ region 123 and the p-epi 112. The voltages generate an accelerating electric field that accelerates electrons generated in the p-epi 112 by a photoelectric effect to the n-type semiconductor region 11.
(FR) L'invention concerne un élément d'imagerie (400) comprenant une épitaxie P- (112), une région en semi-conducteur de type N (117) côté surface séparée d'un PD adjacent par un dispositif d'arrêt de canal (115), et une région P+ (123) côté surface. Des tensions mutuellement différentes sont appliquées au dispositif d'arrêt de canal (115) ou à la région P+ (123) et à l'épitaxie P- (112). Les tensions génèrent un champ électrique d'accélération qui accélère les électrons générés dans l'épitaxie P- (112) par un effet photoélectrique sur la région en semi-conducteur de type N (117).
(JA) 撮像素子400は、p-epi112と、チャンネルストッパ115により隣接のPDから分離された表面側のn型半導体領域117と、さらに表面側のp+領域123とを有する。チャンネルストッパ115又はp+領域123とp-epi112とに相互に異なる電圧が印加される。該電圧は、光電効果によりp-epi112に生成される電子をn型半導体領域11に加速する加速電界を生成する。
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지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
아프리카 지식재산권기구(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)