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1. (WO2019026337) POWER CONVERSION DEVICE, POWER CONVERSION SEMICONDUCTOR ELEMENT MODULE, AND POWER CONVERSION METHOD
국제사무국에 기록된 최신 서지정보정보 제출

공개번호: WO/2019/026337 국제출원번호: PCT/JP2018/012492
공개일: 07.02.2019 국제출원일: 27.03.2018
IPC:
H02M 7/48 (2007.01)
H SECTION H — 전기
02
전력의 발전, 변환, 배전
M
교류-교류, 교류-직류 또는 직류-직류변환장치 및 주요한 또는 유사한 전력공급장치와 함께 사용하기 위한 장치; 직류 또는 교류입력의 서지 출력변환; 그것을 제어 또는 조정
7
교류입력-직류출력변환; 직류입력-교류출력변환
42
직류입력-교류변환으로서 비가역적인 것
44
정지형 변환기에 의한 것
48
제어전극이 있는 방전관을 사용하는 정지형 컨버터 또는 제어전극이 있는 반도체장치를 사용하는 정지형 컨버터에 의한 것
출원인:
株式会社日立製作所 HITACHI, LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280, JP
발명자:
塚本 乾 TSUKAMOTO, Ken; JP
漆原 法美 URUSHIWARA, Noriyoshi; JP
河野 恭彦 KOUNO, Yasuhiko; JP
堀内 敬介 HORIUCHI, Keisuke; JP
대리인:
特許業務法人サンネクスト国際特許事務所 SUNNEXT INTERNATIONAL PATENT OFFICE; 東京都品川区東品川二丁目3番12号 シーフォ-トスクエア センタ-ビルディング16階 Seafort Square Center Building, 16F, 2-3-12, Higashishinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo 1400002, JP
우선권 정보:
2017-15114703.08.2017JP
발명의 명칭: (EN) POWER CONVERSION DEVICE, POWER CONVERSION SEMICONDUCTOR ELEMENT MODULE, AND POWER CONVERSION METHOD
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION DE COURANT, MODULE D'ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEURS DE CONVERSION DE COURANT, ET PROCÉDÉ DE CONVERSION DE COURANT
(JA) 電力変換装置、電力変換用半導体素子モジュール及び電力変換方法
요약서:
(EN) Provided is a power conversion device provided with: semiconductor switching elements on the P-side and N-side for each performing switching control in accordance with a mode of energizing a P-terminal and an N-terminal; diodes each connected in parallel with each of the semiconductor switching elements on the P-side and N-side; a smoothing capacitor connected in parallel with the combination of each of the semiconductor switching elements on the P-side and each of the semiconductor switching elements on the N-side connected in series; and a package housing the respective semiconductor switching elements on the P-side and N-side, each of the diodes, and the smoothing capacitor.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de conversion de courant comprenant : des éléments de commutation à semi-conducteurs sur le côté P et le côté N pour chaque commande de commutation en fonction d'un mode d'excitation d'une borne P et d'une borne N ; des diodes connectées chacune en parallèle avec chacun des éléments de commutation à semi-conducteurs sur le côté P et le côté N ; un condensateur de lissage connecté en parallèle à la combinaison de chacun des éléments de commutation à semi-conducteurs sur le côté P et chacun des éléments de commutation à semi-conducteurs sur le côté N connectés en série ; et un boîtier recevant les éléments de commutation à semi-conducteurs respectifs sur le côté P et le côté N, chacune des diodes et le condensateur de lissage.
(JA) P端子及びN端子への通電態様に応じてスイッチング制御を行うP側及びN側各半導体スイッチング素子と、これらP側及びN側各半導体スイッチング素子に対してそれぞれ並列に接続された各ダイオードと、直列に接続された前記P側各半導体スイッチング素子及びN側各半導体スイッチング素子の組み合わせに対して並列に接続された平滑コンデンサと、P側及びN側各半導体スイッチング素子、各ダイオード及び平滑コンデンサを内蔵するパッケージと、を備える。
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아프리카 지식재산권기구(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)