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1. (WO2019025457) COOLING OF POWER SEMICONDUCTOR SWITCHES HAVING A WIDE BAND GAP IN AN ELECTRICAL CONVERTER
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2019/025457 국제출원번호: PCT/EP2018/070773
공개일: 07.02.2019 국제출원일: 31.07.2018
IPC:
H05K 7/20 (2006.01)
H SECTION H — 전기
05
달리 분류되지 않는 전기기술
K
인쇄회로; 전기장치의 상체 또는 구조적 세부, 전기부품의 조립체의 제조
7
상이한 형의 전기장치에 공통된 구조적 세부
20
냉각, 환기 또는 가열을 용이하게 하기 위한 변형
출원인:
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Werner-von-Siemens-Straße 1 80333 München, DE
발명자:
FÜRST, Johannes; DE
DIEPOLD, Fabian; DE
TETZNER, Thilo; DE
우선권 정보:
17184029.131.07.2017EP
발명의 명칭: (EN) COOLING OF POWER SEMICONDUCTOR SWITCHES HAVING A WIDE BAND GAP IN AN ELECTRICAL CONVERTER
(FR) REFROIDISSEMENT DE COMMUTATEURS STATIQUES DE PUISSANCE, PRÉSENTANT UNE GRANDE LARGEUR DE BANDE INTERDITE, DANS UN CONVERTISSEUR ÉLECTRIQUE
(DE) ENTWÄRMUNG VON LEISTUNGSHALBLEITERSCHALTERN MIT BREITEM BANDABSTAND IN EINEM ELEKTRISCHEN UMRICHTER
요약서:
(EN) The invention relates to an electrical converter (1), having a power semiconductor switch (2) having a wide band gap made from GaN or from InGaN, a carrier element (3) for mechanically receiving the power semiconductor switch (2) and a housing (4) inside whose housing inner space (5) the carrier element (3) with the power semiconductor switch (2) is arranged, wherein the power semiconductor switch (2), during operation of the electrical converter (1), is operated with a blocking voltage of at least 400 V and with a clock frequency of at least 40 kHz, and at least 60% to 90% of the heat losses arising through the power semiconductor switch (2) are dissipated as first heat losses (6), for cooling purposes, to a gaseous surrounding medium (7) inside the housing inner space (5).
(FR) La présente invention concerne un convertisseur électrique (1), comprenant un commutateur statique de puissance (2) présentant une grande largeur de bande interdite en GaN ou en InGaN, un élément support (3) pour la réception mécanique du commutateur statique de puissance (2) et un boîtier (4) dans l’espace intérieur (5) duquel sont disposés l’élément support (3) et le commutateur statique de puissance (2). Lors du fonctionnement du convertisseur électrique (1), le commutateur statique de puissance (2) fonctionne avec une tension inverse limite d’au moins 400 V et à fréquence de cadence d’au moins 40 kHz. Au moins 60 % jusqu’à 90 % de la chaleur dissipée produite par le commutateur statique de puissance (2) sont évacués en tant que première chaleur dissipée (6) aux fins de refroidissement vers un milieu ambiant gazéiforme (7) dans l’espace intérieur (5) de boîtier.
(DE) Die Erfindung betrifft einen elektrischen Umrichter (1), aufweisend einen Leistungshalbleiterschalter (2) mit breitem Bandabstand aus GaN oder aus InGaN, ein Trägerelement (3) zur mechanischen Aufnahme des Leistungshalbleiterschalters (2) und ein Gehäuse (4), in dessen Gehäuseinnenraum (5) das Trägerelement (3) mit dem Leistungshalbleiterschalter (2) angeordnet ist, wobei der Leistungshalbleiterschalter (2) im Betrieb des elektrischen Umrichters (1) mit einer Sperrspannung von mindestens 400V und mit einer Taktfrequenz von mindestens 40kHz betrieben wird und mindestens 60% bis zu 90% der durch den Leistungshalbleiterschalter (2) entstehenden Verlustwärme als eine erste Verlustwärme (6) zur Entwärmung an ein gasförmiges Umgebungsmedium (7) innerhalb des Gehäuseinnenraums (5) abgeführt wird.
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공개언어: 독일어 (DE)
출원언어: 독일어 (DE)