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1. (WO2019024021) FILM FORMING DEVICE AND FILM FORMING METHOD
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2019/024021 국제출원번호: PCT/CN2017/095699
공개일: 07.02.2019 국제출원일: 02.08.2017
IPC:
H01L 31/18 (2006.01) ,C23C 14/56 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
31
적외선 복사, 가시광, 단파장의 전자기파, 또는 입자 복사에 감응하는 반도체 장치로, 이들 복사에 의한 에너지를 전기적 에너지로 변환하거나 이들 복사에 의해 전기적 에너지를 제어하는 것에 특별히 적용되는 것; 그들 장치 또는 그 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치; 그들 세부
18
이러한 장치 또는 그 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치
C SECTION C — 화학; 야금
23
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 화학적 표면처리; 금속재료의 확산처리; 진공증착, 스퍼터링(SPUTTERING), 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복 일반; 금속재료의 방식 또는 이물질 형성 방지 일반
C
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 표면 확산, 화학적 전환 또는 치환에 의한 금속재료의 표면처리; 진공증착, 스퍼터링, 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복, 일반
14
피복형성재료의 진공증착, 스퍼터링, 또는 이온주입에 의한 피복
22
.피복공정에 특징이 있는 것
56
연속 피복공정에 특별하게 적용되는 장치; 진공을 유지하기 위한 배치, 예. 진공로크(Locks)
출원인:
深圳市柔宇科技有限公司 SHENZHEN ROYOLE TECHNOLOGIES CO., LTD [CN/CN]; 中国广东省深圳市 龙岗区横岗街道龙岗大道8288号大运软件小镇43栋 Building #43, Dayun Software Town No. 8288 Longgang Road, Henggang Street Longgang District Shenzhen, Guangdong 518115, CN
발명자:
欧建兵 OU, Jianbing; CN
대리인:
广州三环专利商标代理有限公司 SCIHEAD IP LAW FIRM; 中国广东省广州市 越秀区先烈中路80号汇华商贸大厦1508室 Room 1508, Huihua Commercial & Trade Building No. 80, XianLie Zhong Road, Yuexiu District Guangzhou, Guangdong 510070, CN
우선권 정보:
발명의 명칭: (EN) FILM FORMING DEVICE AND FILM FORMING METHOD
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM
(ZH) 成膜设备及成膜方法
요약서:
(EN) A film forming device (10) comprises a film forming chamber (11, 12). At least two material sources (121, 122) are disposed inside the film forming chamber (11, 12). The at least two material sources (121, 122) are used for coating a film on a substrate (100). A safe working distance (D) exists between every two material sources (121, 122), and after the current material source (121) coats a film on the substrate (100), the next material source (122) coats a film on a film layer formed by the previous material source (121). A film forming method, used for forming a film layer on the substrate (100). By means of the film forming device and the film forming method, a film forming processing line can be shortened, the production efficiency is improved, and device costs are reduced.
(FR) La présente invention porte sur un dispositif de formation de film (10) qui comprend une chambre de formation de film (11, 12). Au moins deux sources de matériau (121, 122) sont disposées dans la chambre de formation de film (11, 12), lesdites sources de matériau (121, 122) servent à revêtir un film sur un substrat (100). Une distance de travail sûre (D) existe entre chaque paire de sources de matériau (121, 122), et après revêtement d'un film sur le substrat (100) par la source de matériau actuelle (121), la source de matériau suivante (122) revêt un film sur une couche de film formée par la source de matériau précédente (121). L'invention porte également sur un procédé de formation de film, permettant de former une couche de film sur le substrat (100). Au moyen du dispositif et du procédé de formation de film, une ligne de traitement de formation de film peut être raccourcie, l'efficacité de production est améliorée, et les coûts de dispositif sont réduits.
(ZH) 一种成膜设备(10),包括成膜室(11,21),成膜室(11,21)内设有至少两个材料源(121,122),至少两个材料源(121,122)用于依次在基板(100)上镀膜;其中,每两个相邻的材料源(121,122)之间具有安全工作距离(D),且当前一个材料源(121)在基板(100)上镀膜后,后一个材料源(122)在前一个材料源(121)所形成的膜层之上再次镀膜。一种成膜方法,用于在基板(100)上形成膜层。成膜设备及成膜方法能够缩短成膜工艺线,提升生产效率,并降低设备成本。
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유라시아 특허청 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 중국어 (ZH)
출원언어: 중국어 (ZH)