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1. (WO2019009211) REFLECTIVE PHOTOMASK BLANK AND REFLECTIVE PHOTOMASK
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2019/009211 국제출원번호: PCT/JP2018/024889
공개일: 10.01.2019 국제출원일: 29.06.2018
IPC:
G03F 1/24 (2012.01)
G SECTION G — 물리학
03
전자사진; 광파 이외의 파를 사용하는 유사기술; 영화; 사진; 홀로그래피(Holography)
F
사진제판법에 의한 요철화 또는 패턴화 표면의 제조, 예. 인쇄용, 반도체장치의 제조법용; 그것을 위한 재료; 그것을 위한 원료; 그것을 위한 특별히 적합한 장치
1
질감이 있거나 무늬가 있는 표면의 사진제판법 제품을 위한 원화, 예. 마스크, 포토-마스크 또는 레티클(reticle); 마스크 블랭크(mask blank) 또는 그 투과필름(pellicle); 그를 위해 특히 적용된 용기; 그 준비과정
22
100 nm 또는 그 이하 파장의 방사에 의해 이미지화하기 위한 마스크 또는 마스크 블랭크, 예. X-ray 마스크, 극자외선 마스크; 그 준비과정
24
반사 마스크; 그 준비과정
출원인:
凸版印刷株式会社 TOPPAN PRINTING CO.,LTD. [JP/JP]; 東京都台東区台東一丁目5番1号 5-1, Taito 1-chome, Taito-ku, Tokyo 1100016, JP
발명자:
福上 典仁 FUKUGAMI Norihito; JP
古溝 透 KOMIZO Toru; JP
대리인:
廣瀬 一 HIROSE Hajime; JP
宮坂 徹 MIYASAKA Toru; JP
우선권 정보:
2017-13202605.07.2017JP
발명의 명칭: (EN) REFLECTIVE PHOTOMASK BLANK AND REFLECTIVE PHOTOMASK
(FR) ÉBAUCHE DE PHOTOMASQUE RÉFLÉCHISSANT ET PHOTOMASQUE RÉFLÉCHISSANT
(JA) 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク
요약서:
(EN) A reflective photomask blank (10) according to one embodiment of the present invention comprises a substrate (1), a reflective layer (2) that is formed on the substrate (1), and a light absorption layer (4) that is formed on the reflective layer (2). The light absorption layer (4) comprises a tin oxide film which has a film thickness of from 25 nm to 45 nm (inclusive), and which has an atomic ratio of oxygen (O) to tin (Sn), namely O/Sn of more than 1.50 but 2.0 or less. Consequently, the projection effect of a reflective photomask for pattern transfer using extreme ultraviolet light as a light source is suppressed or reduced, thereby improving the transfer performance to a semiconductor substrate, while improving the cleaning resistance of the light absorption layer.
(FR) L'invention concerne une ébauche de photomasque réfléchissant (10), qui selon un mode de réalisation de la présente invention comprend un substrat (1), une couche réfléchissante (2) qui est formée sur le substrat (1), et une couche d'absorption de lumière (4) qui est formée sur la couche réfléchissante (2). La couche d'absorption de lumière (4) comprend un film d'oxyde d'étain qui a une épaisseur de film de 25 nm à 45 nm (inclusivement) et qui a un rapport atomique d'oxygène (O) à étain (Sn), à savoir O/Sn, supérieur à 1,50 mais inférieur ou égal à 2,0. Par conséquent, l'effet de projection d'un photomasque réfléchissant dans le transfert de motifs utilisant une lumière ultraviolette extrême comme source de lumière est supprimé ou réduit, ce qui permet d'améliorer les performances de transfert sur un substrat semi-conducteur tout en améliorant la résistance au nettoyage de la couche d'absorption de lumière.
(JA) 第一態様の反射型フォトマスクブランク(10)は、基板(1)と、基板(1)上に形成された反射層(2)と、反射層(2)の上に形成された光吸収層(4)を有する。光吸収層(4)は、錫(Sn)に対する酸素(O)の原子数比(O/Sn)が1.50を超え2.0以下で、膜厚が25nm以上45nm以下の酸化錫膜を含む。これにより、極端紫外線を光源としたパターン転写用の反射型フォトマスクの射影効果が抑制または軽減され、半導体基板への転写性能が向上するとともに、光吸収層の洗浄耐性が向上する。
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공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)