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1. (WO2019008889) SUBSTRATE MOUNTING STAND FOR HEATING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2019/008889 국제출원번호: PCT/JP2018/017685
공개일: 10.01.2019 국제출원일: 08.05.2018
IPC:
H01L 21/205 (2006.01) ,C23C 14/50 (2006.01) ,C23C 16/46 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 21/683 (2006.01) ,H05B 3/10 (2006.01) ,H05B 3/20 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
04
적어도 하나의 전위장벽 또는 표면장벽(예. PN접합, 공핍층, 캐리어 밀집층)을 갖는 장치
18
불순물(예, 도우핑 물질)을 포함하고 있거나 포함하지 않는 주기율표 제4족의 원소 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물로 구성된 반도체본체를 갖는 장치
20
기판상에 반도체 물질의 증착. 예, 에피택셜 (epitaxial) 성장
205
고체를 석출시키기 위해 기상 화합물의 환원 또는 분해를 이용하는 것, 예. 화학적 증착
C SECTION C — 화학; 야금
23
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 화학적 표면처리; 금속재료의 확산처리; 진공증착, 스퍼터링(SPUTTERING), 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복 일반; 금속재료의 방식 또는 이물질 형성 방지 일반
C
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 표면 확산, 화학적 전환 또는 치환에 의한 금속재료의 표면처리; 진공증착, 스퍼터링, 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복, 일반
14
피복형성재료의 진공증착, 스퍼터링, 또는 이온주입에 의한 피복
22
.피복공정에 특징이 있는 것
50
기판 홀더
C SECTION C — 화학; 야금
23
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 화학적 표면처리; 금속재료의 확산처리; 진공증착, 스퍼터링(SPUTTERING), 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복 일반; 금속재료의 방식 또는 이물질 형성 방지 일반
C
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 표면 확산, 화학적 전환 또는 치환에 의한 금속재료의 표면처리; 진공증착, 스퍼터링, 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복, 일반
16
가스상 화합물의 분해에 의한 화학적 피복, 단 표면재료의 반응생성물을 피복층중에 남기지 않는것, 즉 화학증착법
44
.피복방법에 특징이 있는 것
46
기판을 가열하는 방법에 특징이 있는 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
04
적어도 하나의 전위장벽 또는 표면장벽(예. PN접합, 공핍층, 캐리어 밀집층)을 갖는 장치
18
불순물(예, 도우핑 물질)을 포함하고 있거나 포함하지 않는 주기율표 제4족의 원소 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물로 구성된 반도체본체를 갖는 장치
30
21/20~ 21/26에 분류되지 않은 방법이나 장비를 사용한 반도체본체의 처리
302
반도체표면의 물리적 성질 또는 그 형상의 변환, 예. 에칭(etching), 경면연마(polishing), 절단(cutting)
306
화학적 또는 전기적 처리. 예. 전해에칭
3065
플라스마(plasma) 에칭; 반응성 이온 에칭
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
67
제조 또는 처리중의 반도체 또는 전기 고체 장치 취급에 특별히 적용되는 장치; 반도체 또는 전기 고체 장치 혹은 구성부품의 제조 또는 처리중의 웨이퍼 취급에 특별히 적용되는 장치
683
지지 또는 파지를 위한 것
H SECTION H — 전기
05
달리 분류되지 않는 전기기술
B
전기가열; 달리 분류되지 않는 전기조명
3
저항가열
10
재료의 조성 또는 성질 및 도체의 배치에 특징이 있는 가열요소(조성 그 자체 는 관련된 서브클래스 를 참조)
H SECTION H — 전기
05
달리 분류되지 않는 전기기술
B
전기가열; 달리 분류되지 않는 전기조명
3
저항가열
20
2차원에 평면의 표면이 있는 발열소자, 예. 프레이트히이터
출원인:
住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
발명자:
新間 健司 SHINMA Kenji; JP
西本 悦弘 NISHIMOTO Yoshihiro; JP
先田 成伸 SAKITA Shigenobu; JP
三雲 晃 MIKUMO Akira; JP
대리인:
中田 元己 NAKATA Motomi; JP
森田 剛史 MORITA Takeshi; JP
高城 政浩 TAKAGI Masahiro; JP
緒方 大介 OGATA Daisuke; JP
우선권 정보:
2017-13349607.07.2017JP
발명의 명칭: (EN) SUBSTRATE MOUNTING STAND FOR HEATING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) SOCLE DE MONTAGE DE SUBSTRAT SERVANT À CHAUFFER UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体基板加熱用の基板載置台
요약서:
(EN) This substrate mounting stand for heating a semiconductor substrate comprises: a ceramic disc-shaped part that has a mounting surface on the upper surface thereof, said mounting surface being configured such that a semiconductor substrate can be mounted thereto; and a plurality of heating circuits that are respectively embedded in the disc-shaped part so as to extend parallel to the mounting surface within a plurality of regions delineated by partitioning the disc-shaped part into concentric circles when viewed from the mounting surface side. Among the plurality of heating circuits, an inner heating circuit is positioned closer to the mounting surface than an outer heating circuit is.
(FR) La présente invention concerne un socle de montage de substrat servant à chauffer un substrat semi-conducteur, comprenant : un élément discoïde en céramique qui présente une surface de montage sur sa surface supérieure, ladite surface de montage étant structurée de telle sorte que le substrat semi-conducteur est monté sur cette dernière ; et une pluralité de circuits de chauffage qui sont respectivement intégrés dans l'élément discoïde en céramique de façon à s'étendre parallèlement à la surface de montage dans plusieurs régions, lesdites régions étant délimitées par division en cercles concentriques de l'élément discoïde en céramique lorsqu'il est vu depuis un côté de surface de montage. Dans la pluralité de circuits de chauffage, un circuit de chauffage intérieur est placé à un emplacement qui est plus proche de la surface de montage qu'un circuit de chauffage extérieur.
(JA) 半導体基板加熱用の基板載置台は、上面に半導体基板を載置するように構成された載置面を有するセラミックス製の円板形状部と、載置面側から見て、同心円状に区分することで画定される複数の領域内に載置面に対して平行に延在するように円板形状部にそれぞれ埋設された複数の発熱回路と、を備える。複数の発熱回路のうち外側の発熱回路よりも内側の発熱回路の方が載置面に近い位置に配置されている。
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지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)