모바일 |
Deutsch |
English |
Español |
Français |
日本語 |
Português |
Русский |
中文 |
العربية |
PATENTSCOPE
국제 및 국내 특허문헌 검색
옵션
질의
검색결과
인터페이스
특허청
번역
질의어
덴마크어
독일어
라오스 어
러시아어
루마니아 사람
베트남어
불가리아 사람
스웨덴어
스페인어
아랍어
에스토니아어
영어
이탈리아어
인도네시아어
일본어
중국어
태국어
통합검색
포르투갈어
폴란드어
프랑스어
한국어
히브리어
어간
정렬 기준:
관련성
공개일(내림차순)
공개일(오름차순)
출원일(내림차순)
출원일(오름차순)
목록 길이
10
50
100
200
검색결과 목록의 언어
질의어
영어
스페인어
한국어
베트남어
히브리어
포르투갈어
프랑스어
독일어
일본어
러시아어
중국어
이탈리아어
폴란드어
덴마크어
스웨덴어
아랍어
에스토니아어
인도네시아어
태국어
불가리아 사람
라오스 어
루마니아 사람
표시 필드
출원번호
공개일
요약서
출원인 성명(명칭)
국제특허분류
이미지
발명자 성명(명칭)
도표 / 그래프
표
그래프
그룹화 기준
*
없음
Offices of NPEs
IPC 코드
출원인
발명자
출원일
공개일
국가
항목 / 그룹 수
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
Download Fields
NPEs
기본 검색 유형
단순
고급검색
필드 조합 검색
주별 PCT 공개공보
교차 언어 검색
번역가
단순
고급검색
필드 조합 검색
주별 PCT 공개공보
교차 언어 검색
번역가
기본 탭 검색 유형
Front Page
Any Field
Full Text
ID/Numbers
IPC
Names
Dates
Front Page
Any Field
Full Text
ID/Numbers
IPC
Names
Dates
인터페이스 언어
English
Deutsch
Français
Español
日本語
中文
한국어
Português
Русский
English
Deutsch
Français
Español
日本語
中文
한국어
Português
Русский
다중 윈도우 인터페이스
말풍선 도움말
IPC 말풍선 도움말
Instant Help
Expanded Query
특허청:
전체
전체
PCT
아프리카
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO)
이집트
케냐
모로코
튀니지
남아공
아메리카
미국
캐나다
LATIPAT
아르헨티나
브라질
칠레
콜롬비아
코스타리카
쿠바
도미니카공화국
에콰도르
엘살바도르
과테말라
온두라스
멕시코
니카라과
파나마
페루
우루과이
아시아-유럽
호주
바레인
중국
덴마크
에스토니아
유라시아 특허청
유럽 특허청(EPO)
프랑스
독일
독일(DDR 데이터)
이스라엘
일본
요르단
포르투갈
러시아 연방
러시아 연방(USSR 데이터)
사우디아라비아
아랍에미리트
스페인
대한민국
인도
영국
조지아
불가리아
이탈리아
루마니아
라오인민민주주의공화국
아시아
싱가포르
베트남
인도네시아
캄보디아
말레이시아
브루나이 다루살람
필리핀
태국
WIPO translate (Wipo internal translation tool)
검색
단순
고급검색
필드 조합 검색
교차 언어 검색
화학 화합물 (login necessário)
열람
주별 PCT 공개공보
공보 보관소
전국 단계 항목 다운로드
전체 다운로드
증분 다운로드 (지난 7 일)
서열목록
IPC 그린 인벤토리(IPC Green Inventory)
특허 등록 포털사이트
번역
WIPO 번역
WIPO Pearl
뉴스
PATENTSCOPE 뉴스
로그인
ui-button
로그인
계정 가입
옵션
옵션
도움말
ui-button
검색 방법
사용자 가이드 PATENTSCOPE
사용자 가이드: 교차 언어 검색
User Guide: ChemSearch
검색구문
필드 정의
국가 코드
데이터 수록범위
PCT 국제출원
PCT 국내단계 진입
국내 특허문헌
공개 Global Dossier
FAQ
피드백 및 연락
INID 코드
유형 코드
튜토리얼
고지사항
개요
이용 약관
면책조항
홈
IP 서비스
PATENTSCOPE
기계 번역
Wipo Translate
아랍어
독일어
영어
스페인어
프랑스어
일본어
한국어
포르투갈어
러시아어
중국어
Google Translate
Bing/Microsoft Translate
Baidu Translate
아랍어
영어
프랑스어
독일어
스페인어
포르투갈어
러시아어
한국어
일본어
중국어
...
Italian
Thai
Cantonese
Classical Chinese
이 애플리케이션의 일부 콘텐츠는 현재 사용할 수 없습니다.
이 상황이 계속되면 다음 주소로 문의하십시오
피드백 및 연락
1. (WO2019008889) SUBSTRATE MOUNTING STAND FOR HEATING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
PCT 서지정보
전문
도면
국내단계
공지사항
서류
국제사무국에 기록된 최신 서지정보
정보 제출
퍼머링크
퍼머링크
북마크
공개번호:
WO/2019/008889
국제출원번호:
PCT/JP2018/017685
공개일:
10.01.2019
국제출원일:
08.05.2018
IPC:
H01L 21/205
(2006.01) ,
C23C 14/50
(2006.01) ,
C23C 16/46
(2006.01) ,
H01L 21/3065
(2006.01) ,
H01L 21/683
(2006.01) ,
H05B 3/10
(2006.01) ,
H05B 3/20
(2006.01)
H
SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
04
적어도 하나의 전위장벽 또는 표면장벽(예. PN접합, 공핍층, 캐리어 밀집층)을 갖는 장치
18
불순물(예, 도우핑 물질)을 포함하고 있거나 포함하지 않는 주기율표 제4족의 원소 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물로 구성된 반도체본체를 갖는 장치
20
기판상에 반도체 물질의 증착. 예, 에피택셜 (epitaxial) 성장
205
고체를 석출시키기 위해 기상 화합물의 환원 또는 분해를 이용하는 것, 예. 화학적 증착
C
SECTION C — 화학; 야금
23
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 화학적 표면처리; 금속재료의 확산처리; 진공증착, 스퍼터링(SPUTTERING), 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복 일반; 금속재료의 방식 또는 이물질 형성 방지 일반
C
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 표면 확산, 화학적 전환 또는 치환에 의한 금속재료의 표면처리; 진공증착, 스퍼터링, 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복, 일반
14
피복형성재료의 진공증착, 스퍼터링, 또는 이온주입에 의한 피복
22
.피복공정에 특징이 있는 것
50
기판 홀더
C
SECTION C — 화학; 야금
23
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 화학적 표면처리; 금속재료의 확산처리; 진공증착, 스퍼터링(SPUTTERING), 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복 일반; 금속재료의 방식 또는 이물질 형성 방지 일반
C
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 표면 확산, 화학적 전환 또는 치환에 의한 금속재료의 표면처리; 진공증착, 스퍼터링, 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복, 일반
16
가스상 화합물의 분해에 의한 화학적 피복, 단 표면재료의 반응생성물을 피복층중에 남기지 않는것, 즉 화학증착법
44
.피복방법에 특징이 있는 것
46
기판을 가열하는 방법에 특징이 있는 것
H
SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
04
적어도 하나의 전위장벽 또는 표면장벽(예. PN접합, 공핍층, 캐리어 밀집층)을 갖는 장치
18
불순물(예, 도우핑 물질)을 포함하고 있거나 포함하지 않는 주기율표 제4족의 원소 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물로 구성된 반도체본체를 갖는 장치
30
21/20~ 21/26에 분류되지 않은 방법이나 장비를 사용한 반도체본체의 처리
302
반도체표면의 물리적 성질 또는 그 형상의 변환, 예. 에칭(etching), 경면연마(polishing), 절단(cutting)
306
화학적 또는 전기적 처리. 예. 전해에칭
3065
플라스마(plasma) 에칭; 반응성 이온 에칭
H
SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
67
제조 또는 처리중의 반도체 또는 전기 고체 장치 취급에 특별히 적용되는 장치; 반도체 또는 전기 고체 장치 혹은 구성부품의 제조 또는 처리중의 웨이퍼 취급에 특별히 적용되는 장치
683
지지 또는 파지를 위한 것
H
SECTION H — 전기
05
달리 분류되지 않는 전기기술
B
전기가열; 달리 분류되지 않는 전기조명
3
저항가열
10
재료의 조성 또는 성질 및 도체의 배치에 특징이 있는 가열요소(조성 그 자체 는 관련된 서브클래스 를 참조)
H
SECTION H — 전기
05
달리 분류되지 않는 전기기술
B
전기가열; 달리 분류되지 않는 전기조명
3
저항가열
20
2차원에 평면의 표면이 있는 발열소자, 예. 프레이트히이터
출원인:
住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
[JP/JP]; 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
발명자:
新間 健司 SHINMA Kenji
; JP
西本 悦弘 NISHIMOTO Yoshihiro
; JP
先田 成伸 SAKITA Shigenobu
; JP
三雲 晃 MIKUMO Akira
; JP
대리인:
中田 元己 NAKATA Motomi
; JP
森田 剛史 MORITA Takeshi
; JP
高城 政浩 TAKAGI Masahiro
; JP
緒方 大介 OGATA Daisuke
; JP
우선권 정보:
2017-133496
07.07.2017
JP
발명의 명칭:
(EN)
SUBSTRATE MOUNTING STAND FOR HEATING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR)
SOCLE DE MONTAGE DE SUBSTRAT SERVANT À CHAUFFER UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
(JA)
半導体基板加熱用の基板載置台
요약서:
(EN)
This substrate mounting stand for heating a semiconductor substrate comprises: a ceramic disc-shaped part that has a mounting surface on the upper surface thereof, said mounting surface being configured such that a semiconductor substrate can be mounted thereto; and a plurality of heating circuits that are respectively embedded in the disc-shaped part so as to extend parallel to the mounting surface within a plurality of regions delineated by partitioning the disc-shaped part into concentric circles when viewed from the mounting surface side. Among the plurality of heating circuits, an inner heating circuit is positioned closer to the mounting surface than an outer heating circuit is.
(FR)
La présente invention concerne un socle de montage de substrat servant à chauffer un substrat semi-conducteur, comprenant : un élément discoïde en céramique qui présente une surface de montage sur sa surface supérieure, ladite surface de montage étant structurée de telle sorte que le substrat semi-conducteur est monté sur cette dernière ; et une pluralité de circuits de chauffage qui sont respectivement intégrés dans l'élément discoïde en céramique de façon à s'étendre parallèlement à la surface de montage dans plusieurs régions, lesdites régions étant délimitées par division en cercles concentriques de l'élément discoïde en céramique lorsqu'il est vu depuis un côté de surface de montage. Dans la pluralité de circuits de chauffage, un circuit de chauffage intérieur est placé à un emplacement qui est plus proche de la surface de montage qu'un circuit de chauffage extérieur.
(JA)
半導体基板加熱用の基板載置台は、上面に半導体基板を載置するように構成された載置面を有するセラミックス製の円板形状部と、載置面側から見て、同心円状に区分することで画定される複数の領域内に載置面に対して平行に延在するように円板形状部にそれぞれ埋設された複数の発熱回路と、を備える。複数の発熱回路のうち外側の発熱回路よりも内側の発熱回路の方が載置面に近い位置に配置されている。
지정국:
AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어:
일본어 (
JA
)
출원언어:
일본어 (
JA
)