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1. (WO2019008738) FIELD EMISSION-TYPE ELECTRON SOURCE AND CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2019/008738 국제출원번호: PCT/JP2017/024942
공개일: 10.01.2019 국제출원일: 07.07.2017
IPC:
H01J 37/073 (2006.01) ,H01J 1/304 (2006.01) ,H01J 1/46 (2006.01) ,H01J 9/02 (2006.01) ,H01J 37/06 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
J
전자관 또는 방전램프
37
방전에 노출되는(exposed) 물체 또는 재료를 도입하는 설비가 있는 전자관, 예. 그 시험 또는 처리를 위한 것
02
세부
04
전극장치 및 방전을 발생하고 또는 제어하기 위한 관련부품, 예. 전자광학장치, 이온광학장치
06
전자원; 전자총
073
전계방출, 광전자방출 또는 2차전자방출에 의한 전자원을 이용하는 전자총
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
J
전자관 또는 방전램프
1
전자관 또는 방전램프의 2이상의 기본적인 형에 공통인 전극, 자기제어수단, 스크린 또는 그들의 마운트(mount) 또는 간격지지의 세부
02
주전극
30
냉음극
304
전계방사음극
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
J
전자관 또는 방전램프
1
전자관 또는 방전램프의 2이상의 기본적인 형에 공통인 전극, 자기제어수단, 스크린 또는 그들의 마운트(mount) 또는 간격지지의 세부
46
제어전극, 예. 그리드; 보조전극
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
J
전자관 또는 방전램프
9
전자관, 방전램프 또는 그 부품의 제조에 특히 적용되는 장치 또는 방법; 전자관(전자관)이나 방전램프 재료의 재생
02
전극 또는 전극시스템의 제조
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
J
전자관 또는 방전램프
37
방전에 노출되는(exposed) 물체 또는 재료를 도입하는 설비가 있는 전자관, 예. 그 시험 또는 처리를 위한 것
02
세부
04
전극장치 및 방전을 발생하고 또는 제어하기 위한 관련부품, 예. 전자광학장치, 이온광학장치
06
전자원; 전자총
출원인:
株式会社日立ハイテクノロジーズ HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西新橋一丁目24番14号 24-14, Nishi Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717, JP
발명자:
武居 亜紀 TAKEI Aki; JP
片桐 創一 KATAGIRI Souichi; JP
松永 宗一郎 MATSUNAGA Soichiro; JP
川野 源 KAWANO Hajime; JP
土肥 隆 DOI Takashi; JP
대리인:
ポレール特許業務法人 POLAIRE I.P.C.; 東京都中央区日本橋茅場町二丁目13番11号 13-11, Nihonbashikayabacho 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030025, JP
우선권 정보:
발명의 명칭: (EN) FIELD EMISSION-TYPE ELECTRON SOURCE AND CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE
(FR) SOURCE D'ÉLECTRONS DU TYPE À ÉMISSION DE CHAMP ET DISPOSITIF À FAISCEAU DE PARTICULES CHARGÉES
(JA) 電界放出型電子源および荷電粒子線装置
요약서:
(EN) Provided are: a field emission-type electron source with which the influence of an electric field can be suppressed and stable long-term emission characteristics can be obtained even when a diffusion supply source is disposed close to the tip of a needle-like electrode; and a charged particle beam device using the same. According to the present invention, a suppressor electrode 4 is disposed to cover a filament 3 and the needle-like electrode 1 excluding a portion, of the needle-like electrode 1, protruding from an opening part 5 of the suppressor electrode 4, and a diffusion supply source 9 for supplying zirconia that is diffused onto the surface of the needle-like electrode 1 is formed around the needle-like electrode 1, wherein the diffusion supply source 9 has a thickness of 10 μm or more in at least the portion covered by the suppressor electrode 4, and has a thickness of 100 nm or more in the portion protruding from the opening part 5.
(FR) L'invention concerne : une source d'électrons du type à émission de champ avec laquelle l'influence d'un champ électrique peut être supprimée et des caractéristiques d'émission à long terme stables peuvent être obtenues même lorsqu'une source d'alimentation en diffusion est disposée à proximité de la pointe d'une électrode du type aiguille ; et un dispositif à faisceau de particules chargées l'utilisant. Selon la présente invention, une électrode de suppression (4) est disposée pour recouvrir un filament (3) et l'électrode du type aiguille (1) à l'exclusion d'une partie, de l'électrode du type aiguille (1), faisant saillie à partir d'une partie d'ouverture (5) de l'électrode de suppression (4), et une source d'alimentation en diffusion (9) permettant de fournir de la zircone qui est diffusée sur la surface de l'électrode du type aiguille (1) est formée autour de l'électrode du type aiguille (1), la source d'alimentation en diffusion (9) présentant une épaisseur de 10 µm ou plus dans au moins la partie recouverte par l'électrode de suppression (4) et présente une épaisseur de 100 nm ou plus dans la partie faisant saillie à partir de la partie d'ouverture (5).
(JA) 拡散供給源を針状電極の先端により近くに配置しても電場の影響の影響を抑え、安定した長期エミッション特性が得られる電界放出型電子源およびそれを用いた荷電粒子線装置を提供する。サプレッサ電極4の開口部5より突き出した針状電極1の部分を除いて、フィラメント3及び針状電極1を覆うようにサプレッサ電極4が配置され、針状電極1の周りには、その表面に拡散されるジルコニアを供給する拡散供給源9が形成されており、拡散供給源9は、少なくともサプレッサ電極4に覆われた部分においては10μm以上の厚さを有し、開口部5より突き出した部分においては100nm以上の厚さを有する。
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공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)