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1. (WO2019005542) IMAGE IMPROVEMENT FOR ALIGNMENT THROUGH INCOHERENT ILLUMINATION BLENDING
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2019/005542 국제출원번호: PCT/US2018/038327
공개일: 03.01.2019 국제출원일: 19.06.2018
IPC:
G03F 7/20 (2006.01) ,G03F 9/00 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G SECTION G — 물리학
03
전자사진; 광파 이외의 파를 사용하는 유사기술; 영화; 사진; 홀로그래피(Holography)
F
사진제판법에 의한 요철화 또는 패턴화 표면의 제조, 예. 인쇄용, 반도체장치의 제조법용; 그것을 위한 재료; 그것을 위한 원료; 그것을 위한 특별히 적합한 장치
7
사진제판법, 예 사진석판법에 의한 요철화 또는 패턴화된 표면의 제조, 예. 인쇄표면의 제조 그것을 위한 재료, 예. 포토레지스트로 된 것 그것을 위하여 특히 적합한 장치
20
노광; 그것을 위한 장치
G SECTION G — 물리학
03
전자사진; 광파 이외의 파를 사용하는 유사기술; 영화; 사진; 홀로그래피(Holography)
F
사진제판법에 의한 요철화 또는 패턴화 표면의 제조, 예. 인쇄용, 반도체장치의 제조법용; 그것을 위한 재료; 그것을 위한 원료; 그것을 위한 특별히 적합한 장치
9
원고, 마스크, 프레임, 사진시트, 표면구조 또는 모양이 작성된 표면의 위치결정 또는 위치 맞춤, 예. 자동적인 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
027
후속 포토리소그래픽(photolithographic) 공정을 위한 반도체본체상의 마스크 제조, 그룹 21/18 또는 21/34에 분류된 것은 제외
출원인:
APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054, US
발명자:
COSKUN, Tamer; US
JEONG, Hwan J.; US
대리인:
PATTERSON, B. Todd; US
VERSTEEG, Steven H.; US
우선권 정보:
62/525,02126.06.2017US
발명의 명칭: (EN) IMAGE IMPROVEMENT FOR ALIGNMENT THROUGH INCOHERENT ILLUMINATION BLENDING
(FR) AMÉLIORATION D'IMAGE POUR L'ALIGNEMENT PAR MÉLANGE D'ÉCLAIRAGES INCOHÉRENTS
요약서:
(EN) Methods and apparatuses are provided that determine an offset between actual feature/mark locations and the designed feature/mark locations in a maskless lithography system. For example, in one embodiment, a method is provided that includes opening a camera shutter in a maskless lithography system. Light is directed from a configuration of non-adjacent mirrors in a mirror array towards a first substrate layer. An image of the first substrate layer on a camera is captured and accumulated. Light is directed and images are captured repeatedly using different configurations of non-adjacent mirrors to cover an entire field-of-view (FOV) of the camera on the first substrate layer. Thereafter, the camera shutter is closed and the accumulated image is stored in memory.
(FR) L'invention concerne des procédés et des appareils qui déterminent un décalage entre des emplacements de caractéristiques/repères réels et les emplacements de caractéristiques/repères prédéfinis dans un système de lithographie sans masque. Par exemple, un mode de réalisation concerne un procédé qui comprend l'étape consistant à ouvrir l'obturateur d'une caméra dans un système de lithographie sans masque. Une lumière provenant d'une configuration de miroirs non adjacents d'un réseau de miroirs est dirigée sur une première couche de substrat. Une image de la première couche de substrat est capturée et accumulée sur une caméra. La lumière est dirigée et des images sont capturées de manière répétée à l'aide de différentes configurations de miroirs non adjacents afin de couvrir un champ de vision (FOV) complet de la caméra sur la première couche de substrat. L'obturateur de la caméra est ensuite refermé et l'image accumulée est enregistrée en mémoire.
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지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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공개언어: 영어 (EN)
출원언어: 영어 (EN)