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1. (WO2019005230) WORDLINE READ VOLTAGE OFFSETS IN SOLID STATE MEMORY DEVICES
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2019/005230 국제출원번호: PCT/US2018/022502
공개일: 03.01.2019 국제출원일: 14.03.2018
IPC:
G11C 11/56 (2006.01) ,G06N 3/02 (2006.01) ,G11C 16/26 (2006.01) ,G11C 29/02 (2006.01) ,G06F 3/06 (2006.01) ,G11C 16/04 (2006.01) ,G11C 29/50 (2006.01)
G SECTION G — 물리학
11
정보저장
C
정적기억
11
특정의 전기적 또는 자기적 기억소자의 사용에 따라 특징지워지는 디지털 기억장치; 그를 위한 기억소자
56
스텝(step)에 의해 표시되는 2이상의 안정상태를 지니는 기억소자, 예. 전압에 의한 것, 전류에 의하는 것, 위상에 의한 것
G SECTION G — 물리학
06
산술논리연산; 계산; 계수
N
특정 계산모델 방식의 컴퓨터시스템
3
생체모델기반 컴퓨터시스템
02
신경망 모델을 사용하는 것
G SECTION G — 물리학
11
정보저장
C
정적기억
16
소거가능한 프로그램할 수 있는 읽기 전용메모리
02
전기적으로 프로그램할 수 있는 것
06
보조회로들, 예, 메모리에 쓰는 회로
26
센싱 읽기 회로; 데이터 출력회로
G SECTION G — 물리학
11
정보저장
C
정적기억
29
정확한 동작을 위한 기억장치의 체크; 스탠바이 또는 오프 라인 동작중의 기억장치의 테스트
02
고장난 주변 회로의 검출 또는 그 위치의 특정, 예. 결함 리프레시 카운터
G SECTION G — 물리학
06
산술논리연산; 계산; 계수
F
전기에 의한 디지털 데이터처리
3
컴퓨터로 처리할 수 있는 형식으로 전송된 데이터를 변환하는 입력기구; 처리장치로부터 출력장치로 데이터를 전송하기 위한 출력기구, 예. 인터페이스 기구
06
기록매체로부터의 디지털입력 또는 기록매체에의 디지털출력을 위한 것
G SECTION G — 물리학
11
정보저장
C
정적기억
16
소거가능한 프로그램할 수 있는 읽기 전용메모리
02
전기적으로 프로그램할 수 있는 것
04
가변 문턱치(threshold) 트랜지스터를 사용하는 것, 예. FAMOS
G SECTION G — 물리학
11
정보저장
C
정적기억
29
정확한 동작을 위한 기억장치의 체크; 스탠바이 또는 오프 라인 동작중의 기억장치의 테스트
04
고장난 메모리 소자의 검출 또는 그 위치의 특정
50
마진 시험, 예. 타이밍, 전압, 또는 전류 시험
출원인:
WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 5601 Great Oaks Parkway San Jose, CA 95119, US
발명자:
KIRSHENBAUM, Roi; US
INBAR, Karin; US
GOLDENBERG, Idan; US
YANG, Nian, Niles; US
ROM, Rami; US
BAZARSKY, Alexander; US
NAVON, Ariel; US
REUSSWIG, Philip, David; US
대리인:
ALTMAN, Daniel, E.; US
우선권 정보:
15/640,35630.06.2017US
발명의 명칭: (EN) WORDLINE READ VOLTAGE OFFSETS IN SOLID STATE MEMORY DEVICES
(FR) DÉCALAGES DE TENSION DE LECTURE DE LIGNE DE MOTS DANS DES DISPOSITIFS DE MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEURS
요약서:
(EN) Systems and methods are described for generating location-based read voltage offsets in a data storage device. Optimal read voltage thresholds vary across memory elements of a device. However, data storage devices are often limited in the number of read voltage thresholds that can be maintained in the device. Thus, it may not be possible to maintain optimal read voltage parameters for each memory element within a device. The systems and methods described herein provide for increased accuracy of read voltage thresholds when applied to memory elements within a specific location in a device, by enabling the use of location-based read voltage offsets, depending on a relative location of the memory element being read from. The read voltage offsets can be determined based on application of a neural network to data regarding optimal read voltage thresholds determined from at least a sample of memory elements in a device.
(FR) L'invention concerne des systèmes et des procédés permettant de générer un décalage de tension de lecture basé sur l'emplacement dans un dispositif de stockage de données. Des seuils optimaux de tension de lecture varient à travers les éléments de mémoire d'un dispositif. Cependant, les dispositifs de stockage de données sont souvent limités dans le nombre de seuils de tension de lecture qui peuvent être conservés dans le dispositif. Ainsi, il n'est pas possible de maintenir des paramètres de tension de lecture optimaux pour chaque élément de mémoire à l'intérieur d'un dispositif. Les systèmes et les procédés décrits ici fournissent une précision accrue de seuils de tension de lecture lorsqu'ils sont appliqués à des éléments de mémoire à l'intérieur d'un emplacement spécifique dans un dispositif, en permettant l'utilisation de décalages de tension de lecture basés sur l'emplacement, en fonction d'un emplacement relatif de l'élément de mémoire en cours de lecture à partir de. Les décalages de tension de lecture peuvent être déterminés sur la base de l'application d'un réseau neuronal à des données concernant des seuils de tension de lecture optimaux déterminés à partir d'au moins un échantillon d'éléments de mémoire dans un dispositif.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 영어 (EN)
출원언어: 영어 (EN)