이 애플리케이션의 일부 콘텐츠는 현재 사용할 수 없습니다.
이 상황이 계속되면 다음 주소로 문의하십시오피드백 및 연락
1. (WO2019005168) PHASE-CHANGE MATERIAL BASED SELECTOR FOR LOW VOLTAGE BIPOLAR MEMORY DEVICES AND THEIR METHODS OF FABRICATION
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2019/005168 국제출원번호: PCT/US2017/040511
공개일: 03.01.2019 국제출원일: 30.06.2017
IPC:
H01L 45/00 (2006.01) ,H01L 43/10 (2006.01) ,H01L 43/12 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
45
전위 장벽 또는 표면 장벽 없이 정류, 증폭, 발진 또는 스위칭에 특별히 적용되는 고체 장치, 예. 유전체 삼극 소자; 오브신스키 효과(Ovshinsky- effect) 장치; 그들 장치 또는 그 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
43
전류 자기(galvano-magnetic) 효과 또는 이것과 유사한 자기 효과를 이용한 장치; 그들 장치 또는 그 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치
10
재료의 선택
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
43
전류 자기(galvano-magnetic) 효과 또는 이것과 유사한 자기 효과를 이용한 장치; 그들 장치 또는 그 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치
12
이들 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치
출원인:
KARPOV, Elijah V. [US/US]; US
KENCKE, David L. [US/US]; US
MAJHI, Prashant [IN/US]; US
DOYLE, Brian S. [IE/US]; US
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
발명자:
KARPOV, Elijah V.; US
KENCKE, David L.; US
MAJHI, Prashant; US
DOYLE, Brian S.; US
대리인:
BRASK, Justin, K.; US
우선권 정보:
발명의 명칭: (EN) PHASE-CHANGE MATERIAL BASED SELECTOR FOR LOW VOLTAGE BIPOLAR MEMORY DEVICES AND THEIR METHODS OF FABRICATION
(FR) SÉLECTEUR À BASE DE MATÉRIAU À CHANGEMENT DE PHASE POUR DISPOSITIFS DE MÉMOIRE BIPOLAIRE BASSE TENSION ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
요약서:
(EN) A memory device includes a wordline disposed above a substrate and a selector element disposed above the wordline, where the selector element includes a phase change material. The memory device further includes a bipolar memory element dsiposed above the wordline, a conductive electrode between the selector element and the bipolar memory element and a bitline diposed above the wordline.
(FR) L'invention concerne un dispositif de mémoire qui comprend une ligne de mots disposée au-dessus d'un substrat et un élément de sélecteur disposé au-dessus de la ligne de mots, l'élément de sélecteur comprenant un matériau à changement de phase. Le dispositif de mémoire comprend en outre un élément de mémoire bipolaire disposé au-dessus de la ligne de mots, une électrode conductrice entre l'élément de sélecteur et l'élément de mémoire bipolaire, et une ligne de bits disposée au-dessus de la ligne de mots.
front page image
지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 영어 (EN)
출원언어: 영어 (EN)