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1. (WO2019005152) DIE BACK SIDE STRUCTURES FOR WARPAGE CONTROL
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2019/005152 국제출원번호: PCT/US2017/040482
공개일: 03.01.2019 국제출원일: 30.06.2017
IPC:
H01L 23/485 (2006.01) ,H01L 23/36 (2006.01) ,H01L 23/00 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
23
반도체 또는 다른 고체장치의 세부
48
동작중의 고체본체에서 또는 고체본체로 전류를 흐르게 하기 위한 배열, 예. 리이드 또는 단자배열
482
반도체본체에 대하여 분리할 수 없게 적용되는 연결부층으로 구성된 것
485
전도층과 절연층으로 구성되어 있으며 이들이 층구조로 이루어진 것, 예. 평면접점
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
23
반도체 또는 다른 고체장치의 세부
34
냉각, 가열, 환기 또는 온도 보상용 배열
36
냉각 또는 가열을 용이하게 하기 위한 재료의 선택 또는 성형, 예. 히트.싱크
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
23
반도체 또는 다른 고체장치의 세부
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
027
후속 포토리소그래픽(photolithographic) 공정을 위한 반도체본체상의 마스크 제조, 그룹 21/18 또는 21/34에 분류된 것은 제외
출원인:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, California 95054, US
발명자:
EID, Feras; US
GUTHIKONDA, Venkata Suresh R.; US
DEVASENATHIPATHY, Shankar; US
JHA, Chandra M.; US
CHANG, Je-Young; US
YAZZIE, Kyle; US
RAGHAVAN, Prasanna; US
MALATKAR, Pramod; US
대리인:
BRASK, Justin, K.; US
우선권 정보:
발명의 명칭: (EN) DIE BACK SIDE STRUCTURES FOR WARPAGE CONTROL
(FR) STRUCTURES DE FACE ARRIÈRE DE PUCE POUR UNE COMMANDE DE GAUCHISSEMENT
요약서:
(EN) A foundation layer having a stiffener and methods of forming a stiffener are described. One or more dies are formed over the foundation layer. Each die has a front side surface that is electrically coupled to the foundation layer and a back side surface that is opposite from the front side surface. A stiffening layer (or a stiffener) is formed on the back side surface of at least one of the dies. The stiffening layer may be directly coupled to the back side surface of the one or more dies without an adhesive layer. The stiffening layer may include one or more materials, including at least one of a metal, a metal alloy, and a ceramic. The stiffening layer may be formed to reduce warpage based on the foundation layer and the dies. The one or more materials of the stiffening layer can be formed using a cold spray.
(FR) La présente invention porte sur une couche de base ayant un raidisseur et sur des procédés de formation d'un raidisseur. Une ou plusieurs puces sont formées sur la couche de base. Chaque puce comporte une surface de face avant qui est couplée électriquement à la couche de base et une surface de face arrière qui est opposée à la surface de face avant. Une couche de raidissement (ou un raidisseur) est formée sur la surface de face arrière d'au moins l'une des puces. La couche de raidissement peut être directement couplée à la surface de face arrière de la ou des puces sans couche adhésive. La couche de raidissement peut comprendre un ou plusieurs matériaux, comprenant un métal et/ou un alliage métallique et/ou une céramique. La couche de raidissement peut être formée de sorte à réduire le gauchissement sur la base de la couche de base et des puces. Le ou les matériaux de la couche de raidissement peuvent être formés à l'aide d'un spray froid.
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아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 영어 (EN)
출원언어: 영어 (EN)