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1. (WO2019005129) SPIN HALL EFFECT MAGNETIC RANDOM-ACCESS MEMORY BITCELL
국제사무국에 기록된 최신 서지정보정보 제출

공개번호: WO/2019/005129 국제출원번호: PCT/US2017/040406
공개일: 03.01.2019 국제출원일: 30.06.2017
IPC:
G11C 11/16 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H01L 27/22 (2006.01)
G SECTION G — 물리학
11
정보저장
C
정적기억
11
특정의 전기적 또는 자기적 기억소자의 사용에 따라 특징지워지는 디지털 기억장치; 그를 위한 기억소자
02
자기적 소자를 사용하는 것
16
기억작용이 자기적 스핀(spin) 효과에 기초를 둔 소자를 사용하는 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
43
전류 자기(galvano-magnetic) 효과 또는 이것과 유사한 자기 효과를 이용한 장치; 그들 장치 또는 그 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치
08
자계 제어 저항
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
27
하나의 공통기판내 또는 기판상에 형성된 복수의 반도체구성부품 또는 기타 고체구성부품으로 구성된 장치
22
전류자기(galvano-magnetic)효과, 예. 홀(Hall) 효과; 를 이용하는 구성부품을 포함하는 것; 유사한 형태의 자계효과를 이용하는 것
출원인:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
발명자:
WANG, Yih; US
MANIPATRUNI, Sasikanth; US
대리인:
WAGAR, Bruce A.; US
우선권 정보:
발명의 명칭: (EN) SPIN HALL EFFECT MAGNETIC RANDOM-ACCESS MEMORY BITCELL
(FR) CELLULE BINAIRE DE MÉMOIRE VIVE MAGNÉTIQUE À EFFET HALL DE SPIN
요약서:
(EN) A spin Hall effect magnetoresistive random-access memory cell includes first and second access transistors in a device level of a semiconductor device, a wordline in the device level and coupled to gate terminals of the first and second access transistors, first and second source lines in a lowest metal interconnect layer of the semiconductor device and coupled to source terminals of the first and second access transistors, respectively, spin Hall metal in a lower portion of a second lowest metal interconnect layer and coupling drain terminals of the first and second access transistors, a magnetic tunnel junction (MTJ) in an upper portion of the second lowest metal interconnect layer and having a bottom terminal coupled to the spin Hall metal, and a bitline in a third lowest metal interconnect layer and coupled to a top terminal of the MTJ.
(FR) L'invention concerne une cellule de mémoire vive magnétorésistive à effet Hall de spin qui comprend des premier et second transistors d'accès au niveau du dispositif d'un dispositif semi-conducteur, une ligne de mots au niveau du dispositif et couplée à des bornes de grille des premier et second transistors d'accès, des première et seconde lignes de source dans une couche d'interconnexion métallique la plus basse du dispositif à semi-conducteur et couplées à des bornes de source des premier et second transistors d'accès, respectivement, font tourner du métal à effet Hall de spin dans une partie inférieure d'une seconde couche d'interconnexion métallique la plus basse et des bornes de drain de couplage des premier et second transistors d'accès, une jonction tunnel magnétique (MTJ) dans une partie supérieure de la seconde couche d'interconnexion métallique la plus basse et comportant une borne inférieure couplée au métal à effet Hall de spin, et une ligne de bits dans une troisième couche d'interconnexion métallique la plus basse et couplée à une borne supérieure de la MTJ.
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아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
아프리카 지식재산권기구(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 영어 (EN)
출원언어: 영어 (EN)