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1. (WO2019004184) PLASMA TREATMENT DEVICE
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2019/004184 국제출원번호: PCT/JP2018/024146
공개일: 03.01.2019 국제출원일: 26.06.2018
국제예비심사 청구일: 18.12.2018
IPC:
H05H 1/46 (2006.01) ,B01J 19/08 (2006.01) ,C23C 14/34 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
H SECTION H — 전기
05
달리 분류되지 않는 전기기술
H
플라스마(Plasma) 기술; 가속된 하전입자 또는 중성자의 발생; 중성분자 또는 전자빔의 발생 또는 가속
1
플라스마의 생성; 플라스마 취급
24
플라스마의 발생
46
전자계를 사용하는 것, 예. 고주파 또는 마이크로파 에너지
B SECTION B — 처리조작; 운수
01
물리적 방법, 화학적 방법 또는 장치일반
J
화학적 또는 물리적 방법, 예. 촉매, 콜로이드 화학; 그들의 관련 장치
19
화학적, 물리적 또는 물리화학적 프로세스 일반; 그것들에 관련한 장치
08
전기 또는 파동에너지를 직접 적용하는 또는 입자선 방사를 사용하는 프로세스; 그를 위한 장치
C SECTION C — 화학; 야금
23
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 화학적 표면처리; 금속재료의 확산처리; 진공증착, 스퍼터링(SPUTTERING), 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복 일반; 금속재료의 방식 또는 이물질 형성 방지 일반
C
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 표면 확산, 화학적 전환 또는 치환에 의한 금속재료의 표면처리; 진공증착, 스퍼터링, 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복, 일반
14
피복형성재료의 진공증착, 스퍼터링, 또는 이온주입에 의한 피복
22
.피복공정에 특징이 있는 것
34
스퍼터링
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
04
적어도 하나의 전위장벽 또는 표면장벽(예. PN접합, 공핍층, 캐리어 밀집층)을 갖는 장치
18
불순물(예, 도우핑 물질)을 포함하고 있거나 포함하지 않는 주기율표 제4족의 원소 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물로 구성된 반도체본체를 갖는 장치
30
21/20~ 21/26에 분류되지 않은 방법이나 장비를 사용한 반도체본체의 처리
302
반도체표면의 물리적 성질 또는 그 형상의 변환, 예. 에칭(etching), 경면연마(polishing), 절단(cutting)
306
화학적 또는 전기적 처리. 예. 전해에칭
3065
플라스마(plasma) 에칭; 반응성 이온 에칭
출원인:
キヤノンアネルバ株式会社 CANON ANELVA CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県川崎市麻生区栗木2-5-1 2-5-1, Kurigi, Asao-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2158550, JP
발명자:
田名部 正治 TANABE, Masaharu; JP
関谷 一成 SEKIYA, Kazunari; JP
井上 忠 INOUE, Tadashi; JP
笹本 浩 SASAMOTO, Hiroshi; JP
佐藤 辰憲 SATO, Tatsunori; JP
土屋 信昭 TSUCHIYA, Nobuaki; JP
竹田 敦 TAKEDA, Atsushi; JP
대리인:
大塚 康徳 OHTSUKA, Yasunori; JP
大塚 康弘 OHTSUKA, Yasuhiro; JP
高柳 司郎 TAKAYANAGI, Jiro; JP
木村 秀二 KIMURA, Shuji; JP
우선권 정보:
2018-01755002.02.2018JP
PCT/JP2017/02360327.06.2017JP
PCT/JP2017/02361127.06.2017JP
발명의 명칭: (EN) PLASMA TREATMENT DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) プラズマ処理装置
요약서:
(EN) A plasma treatment device provided with: a balun having a first unbalanced terminal, a second unbalanced terminal, a first balanced terminal, and a second balanced terminal; a grounded vacuum container; a first electrode electrically connected to the first balanced terminal; a second electrode electrically connected to the second balanced terminal; an adjustment reactance having an effect on the relationship between a first voltage applied to the first electrode and a second voltage applied to the second electrode; a high-frequency power supply for generating high-frequency waves supplied between the first unbalanced terminal and the second unbalanced terminal; a substrate-holding unit for holding a substrate; and a drive mechanism for rotating the substrate-holding unit. The high-frequency power supply is such that the frequency of the high-frequency waves can be modified, and modifying the frequency adjusts the relationship.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de traitement au plasma comprenant : un symétriseur pourvu de première et seconde bornes non équilibrées et de première et seconde bornes équilibrées ; un contenant sous vide mis à la terre ; une première électrode connectée électriquement à la première borne équilibrée ; une seconde électrode connectée électriquement à la seconde borne équilibrée ; une réactance de réglage ayant un effet sur la relation entre une première tension appliquée à la première électrode et une seconde tension appliquée à la seconde électrode ; une alimentation électrique haute fréquence servant à générer des ondes haute fréquence fournies entre les première et seconde bornes non équilibrées ; une unité de maintien de substrat servant à maintenir un substrat ; et un mécanisme d'entraînement servant à faire tourner l'unité de maintien de substrat. L'alimentation électrique haute fréquence est telle que la fréquence des ondes haute fréquence peut être modifiée, d'où un réglage de la relation.
(JA) プラズマ処理装置は、第1不平衡端子、第2不平衡端子、第1平衡端子および第2平衡端子を有するバランと、接地された真空容器と、前記第1平衡端子に電気的に接続された第1電極と、前記第2平衡端子に電気的に接続された第2電極と、前記第1電極に印加される第1電圧と前記第2電極に印加される第2電圧との関係に影響を与える調整リアクタンスと、前記第1不平衡端子と前記第2不平衡端子との間に供給される高周波を発生する高周波電源と、基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部を回転させる駆動機構と、を備え、前記高周波電源は、前記高周波の周波数を変更可能であり、前記周波数の変更によって前記関係が調整される。
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지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)