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1. (WO2019003995) CURABLE SILICONE COMPOSITION FOR DIE BONDING USE
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2019/003995 국제출원번호: PCT/JP2018/023212
공개일: 03.01.2019 국제출원일: 19.06.2018
IPC:
H01L 21/52 (2006.01) ,C08K 3/36 (2006.01) ,C08K 5/05 (2006.01) ,C08L 83/05 (2006.01) ,C08L 83/07 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
04
적어도 하나의 전위장벽 또는 표면장벽(예. PN접합, 공핍층, 캐리어 밀집층)을 갖는 장치
50
H01L21/06~ H01L21/326의 어디에도 분류되지 않은 방법 또는 장비를 이용한 반도체 장치의조립
52
용기내안으로의 반도체 본체 마운팅
C SECTION C — 화학; 야금
08
유기 고분자 화합물; 그 제조 또는 화학적 처리; 그에 따른 조성물
K
무기 또는 비고분자 유기 물질의 배합 성분으로서의 사용
3
무기 배합 성분의 사용
34
규소 함유 화합물
36
실리카(Silica)
C SECTION C — 화학; 야금
08
유기 고분자 화합물; 그 제조 또는 화학적 처리; 그에 따른 조성물
K
무기 또는 비고분자 유기 물질의 배합 성분으로서의 사용
5
유기 배합 성분의 사용
04
산소 함유 화합물
05
알코올; 금속 알코올레이트
C SECTION C — 화학; 야금
08
유기 고분자 화합물; 그 제조 또는 화학적 처리; 그에 따른 조성물
L
고분자 화합물의 조성물
83
주사슬에 황, 질소, 산소 또는 탄소를 포함하거나 하지 않는 규소만을 포함한 결합을 형성하는 반응으로 얻어지는 고분자 화합물의 조성물 그러한 고분자 유도체의 조성물
04
.폴리실록산
05
수소에 결합된 규소를 포함하는
C SECTION C — 화학; 야금
08
유기 고분자 화합물; 그 제조 또는 화학적 처리; 그에 따른 조성물
L
고분자 화합물의 조성물
83
주사슬에 황, 질소, 산소 또는 탄소를 포함하거나 하지 않는 규소만을 포함한 결합을 형성하는 반응으로 얻어지는 고분자 화합물의 조성물 그러한 고분자 유도체의 조성물
04
.폴리실록산
07
불포화 지방족기에 결합된 규소를 함유하는 것
출원인:
東レ・ダウコーニング株式会社 DOW CORNING TORAY CO., LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区大手町一丁目5番1号 1-5-1, Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
발명자:
山▲崎▼ 亮介 YAMAZAKI, Ryosuke; JP
山本 真一 YAMAMOTO, Shinichi; JP
대리인:
村山 靖彦 MURAYAMA Yasuhiko; 東京都千代田区丸の内一丁目9番2号 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620, JP
우선권 정보:
2017-12437726.06.2017JP
발명의 명칭: (EN) CURABLE SILICONE COMPOSITION FOR DIE BONDING USE
(FR) COMPOSITION DE SILICONE DURCISSABLE SERVANT AU COLLAGE DE PUCES
(JA) ダイボンディング用硬化性シリコーン組成物
요약서:
(EN) A curable silicone composition for die bonding use according to the present invention contains at least (A) an organopolysiloxane having at least two alkenyl groups per molecule, (B) an organopolysiloxane having at least two siloxane units each represented by the formula: RHSiO (wherein R represents a monovalent hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms and having no aliphatic unsaturated bond) per molecule, (C) a platinum-group metal-based catalyst for hydrosilylation reactions, (D) a hydrosilylation reaction inhibitor and (E) an adhesiveness-imparting agent, wherein the scorch time (ts1), which is defined in JIS K 6300-2, at a die bonding temperature is 20 to 60 seconds, and the 90% vulcanization time [tc(90)] with respect to the maximum torque value during the vulcanization time of 600 seconds is 300 to 500 seconds. The curable silicone composition for die bonding use according to the present invention can adhere a semiconductor chip to a support strongly.
(FR) La présente invention concerne une composition de silicone durcissable servant au collage de puces, contenant au moins (A) un organopolysiloxane comprenant au moins deux groupes alcényle par molécule, (B) un organopolysiloxane comprenant au moins deux unités siloxane représentées chacune par la formule : RHSiO (dans laquelle R représente un groupe hydrocarboné monovalent qui comprend 1 à 12 atomes de carbone et ne comprend pas de liaison insaturée aliphatique) par molécule, (C) un catalyseur à base de métal du groupe platine de réactions d'hydrosilylation, (D) un inhibiteur de réaction d'hydrosilylation et (E) un agent d'adhésivité, le temps de grillage (ts1), défini dans JIS K 6300-2, à une température de collage de puce étant de 20 à 60 secondes, et le temps de vulcanisation de 90 % [tc (90)] par rapport à la valeur de couple maximale pendant le temps de vulcanisation de 600 secondes étant de 300 à 500 secondes. La composition de silicone durcissable de l'invention servant au collage de puces permet une forte adhérence d'une puce semi-conductrice à un support.
(JA) 本発明のダイボンディング用硬化性シリコーン組成物は、(A)一分子中にアルケニル基を少なくとも2個有するオルガノポリシロキサン、(B)一分子中に、式:RHSiO(式中、Rは脂肪族不飽和結合を有さない炭素数1~12の一価炭化水素基である。)で表されるシロキサン単位を少なくとも2個有するオルガノポリシロキサン、(C)ヒドロシリル化反応用白金族金属系触媒、(D)ヒドロシリル化反応抑制剤、および(E)接着性付与剤から少なくともなり、JIS K 6300-2で規定される、ダイボンディング温度におけるスコーチタイム(ts1)が20~60秒であり、加硫時間600秒までの最大トルク値に対する90%加硫時間[tc(90)]が300~500秒である。本発明のダイボンディング用硬化性シリコーン組成物は、半導体チップを支持体に強固に接着することができる。
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공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)