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1. (WO2019001873) METHODS AND PATTERNING DEVICES AND APPARATUSES FOR MEASURING FOCUS PERFORMANCE OF A LITHOGRAPHIC APPARATUS, DEVICE MANUFACTURING METHOD
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2019/001873 국제출원번호: PCT/EP2018/063959
공개일: 03.01.2019 국제출원일: 28.05.2018
IPC:
G03F 7/20 (2006.01)
G SECTION G — 물리학
03
전자사진; 광파 이외의 파를 사용하는 유사기술; 영화; 사진; 홀로그래피(Holography)
F
사진제판법에 의한 요철화 또는 패턴화 표면의 제조, 예. 인쇄용, 반도체장치의 제조법용; 그것을 위한 재료; 그것을 위한 원료; 그것을 위한 특별히 적합한 장치
7
사진제판법, 예 사진석판법에 의한 요철화 또는 패턴화된 표면의 제조, 예. 인쇄표면의 제조 그것을 위한 재료, 예. 포토레지스트로 된 것 그것을 위하여 특히 적합한 장치
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노광; 그것을 위한 장치
출원인:
ASML NETHERLANDS B.V. [NL/NL]; P.O. Box 324 5500 AH Veldhoven, NL
발명자:
STAALS, Frank; NL
VAN OOSTEN, Anton, Bernhard; NL
YUDHISTIRA, Yasri; US
LUIJTEN, Carlo, Cornelis, Maria; NL
VERSTRAETEN, Bert; NL
GEMMINK, Jan-Willem; NL
대리인:
WILLEKENS, Jeroen, Pieter, Frank; NL
우선권 정보:
17177774.126.06.2017EP
발명의 명칭: (EN) METHODS AND PATTERNING DEVICES AND APPARATUSES FOR MEASURING FOCUS PERFORMANCE OF A LITHOGRAPHIC APPARATUS, DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉS ET DISPOSITIFS ET APPAREILS DE FORMATION DE MOTIFS PERMETTANT DE MESURER LES PERFORMANCES DE FOCALISATION D’UN APPAREIL LITHOGRAPHIQUE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF
요약서:
(EN) Focus metrology patterns and methods are disclosed which do not rely on sub-resolution features. Focus can be measured by measuring asymmetry of the printed pattern (T), or complementary pairs of printed patterns (TN/TM). Asymmetry can be measured by scatterometry. Patterns may be printed using EUV radiation or DUV radiation. A first type of focus metrology pattern comprises first features (422) interleaved with second features (424). A minimum dimension (w1) of each first feature is close to a printing resolution. A maximum dimension (w2) of each second feature in the direction of periodicity is at least twice the minimum dimension of the first features. Each first feature is positioned between two adjacent second features such that a spacing (w1') and its nearest second feature is between one half and twice the minimum dimension of the first features. A second type of focus metrology pattern comprises features (1122, 1124) arranged in pairs.
(FR) L’invention concerne des motifs et des procédés de métrologie de focalisation qui ne reposent pas sur des caractéristiques de sous-résolution. La focalisation peut être mesurée par des mesures de l’asymétrie du motif imprimé (T) ou de paires complémentaires de motifs imprimés (TN/TM). L’asymétrie peut être mesurée par diffusiométrie. Des motifs peuvent être imprimés à l’aide d’un rayonnement EUV ou d’un rayonnement DUV. Un premier type de motif de métrologie de focalisation comprend des premières caractéristiques (422) entrelacées avec des deuxièmes caractéristiques (424). Une dimension minimale (w1) de chaque première caractéristique est proche d’une résolution d’impression. Une dimension maximale (w2) de chaque deuxième caractéristique dans la direction de périodicité est au moins égale au double de la dimension minimale des premières caractéristiques. Chaque première caractéristique est positionnée entre deux deuxièmes caractéristiques adjacentes de telle façon qu’un espacement (w1') et sa deuxième caractéristique la plus proche se trouvent entre une moitié et le double de la dimension minimale des premières caractéristiques. Un deuxième type de motif de métrologie de focalisation comprend des caractéristiques (1122, 1124) disposées sous forme de paires.
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유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 영어 (EN)
출원언어: 영어 (EN)