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1. (WO2018235330) SEMICONDUCTOR DEVICE
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2018/235330 국제출원번호: PCT/JP2018/004083
공개일: 27.12.2018 국제출원일: 06.02.2018
IPC:
H01L 23/48 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
23
반도체 또는 다른 고체장치의 세부
48
동작중의 고체본체에서 또는 고체본체로 전류를 흐르게 하기 위한 배열, 예. 리이드 또는 단자배열
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
25
복수의 개별 반도체 또는 다른 고체장치로 구성된 조립체
03
장치가 모두 그룹 H01L 27/00 ~ H01L 51/00의 동일 서브그룹에 분류되는 형식의 것, 예. 정류다이오드의 조립체
04
개별의 용기가 없는 것
07
장치가 그룹 29/00으로 분류되는 형식의 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
25
복수의 개별 반도체 또는 다른 고체장치로 구성된 조립체
18
장치가 그룹 H01L 27/00~ H01L 51/00 중 동일메인그룹에서 2개 또는 그 이상의 상이한 서브그룹에 분류되는 형식의 것
출원인:
住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
발명자:
道越 久人 MICHIKOSHI, Hisato; JP
대리인:
伊東 忠重 ITOH, Tadashige; JP
伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko; JP
우선권 정보:
2017-12026220.06.2017JP
발명의 명칭: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
요약서:
(EN) A semiconductor device having a first electrode terminal, a second electrode terminal, a semiconductor element, the electrode on one surface of which is connected to one surface of the first electrode terminal, wiring for connecting the second electrode terminal and the electrode on the other surface of the semiconductor element to one another, and a resin section formed from an insulating body which covers the semiconductor element, part of the second electrode terminal, and the one surface of the first electrode terminal, wherein a beveled section is formed in one or both of the end sections of the first and second electrode terminals where said terminals face one another.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs comprenant des première et seconde bornes d'électrode, un élément semi-conducteur dont l'électrode sur une surface est connectée à une surface de la première borne d'électrode, câblage permettant de connecter ensemble la seconde borne d'électrode et l'électrode sur l'autre surface de l'élément semi-conducteur, et une section de résine formée d'un corps isolant qui recouvre l'élément semi-conducteur, une partie de la seconde borne d'électrode ainsi que la surface de la première borne d'électrode, une section biseautée étant formée dans au moins une section des deux sections d'extrémité des première et seconde bornes d'électrode où lesdites bornes se font face.
(JA) 半導体装置は、第1の電極端子と、第2の電極端子と、第1の電極端子の一方の面に、一方の面の電極が接続された半導体素子と、半導体素子の他方の面の電極と第2の電極端子とを接続する配線と、半導体素子、第2の電極端子の一部及び第1の電極端子の一方の面を覆う絶縁体により形成された樹脂部と、を有し、第1の電極端子と第2の電極端子とが対向する端部の少なくとも一方には、面取り部が形成されている。
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지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)