이 애플리케이션의 일부 콘텐츠는 현재 사용할 수 없습니다.
이 상황이 계속되면 다음 주소로 문의하십시오피드백 및 연락
1. (WO2018230380) METHOD FOR PRODUCING POLYSILICON
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2018/230380 국제출원번호: PCT/JP2018/021363
공개일: 20.12.2018 국제출원일: 04.06.2018
국제예비심사 청구일: 02.11.2018
IPC:
C01B 33/035 (2006.01)
C SECTION C — 화학; 야금
01
무기화학
B
비금속 원소; 그 화합물
33
규소; 그 화합물
02
규소
021
제조
027
실리카 또는 실리카 함유 재료 이외의 기체상 또는 증기상 규소 화합물의 분해 또는 환원에 의한 것
035
기체상 또는 증기상 규소 화합물을 규소, 탄소 또는 내화 금속, 예. 탄탈 또는 텅스텐의 가열된 필라멘트 존재하에 또는 퇴적에 의해 얻어진 규소막대, 예. 지멘법(44siemens process)의 가열된 것의 존재하에 분해 또는 환원에 의한 것
출원인:
株式会社トクヤマ TOKUYAMA CORPORATION [JP/JP]; 山口県周南市御影町1番1号 1-1, Mikage-cho, Shunan-shi, Yamaguchi 7458648, JP
발명자:
鎌田 誠 KAMADA, Makoto; JP
대리인:
特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; 大阪府大阪市北区天神橋2丁目北2番6号 大和南森町ビル Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041, JP
우선권 정보:
2017-11912516.06.2017JP
발명의 명칭: (EN) METHOD FOR PRODUCING POLYSILICON
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SILICIUM POLYCRISTALLIN
(JA) ポリシリコンの製造方法
요약서:
(EN) The present invention achieves an efficient method for producing polysilicon. The present invention is a method for producing polysilicon by the Siemens process, wherein a reactor is connected to exhaust gas treatment equipment by a shutoff valve provided on an exhaust gas duct, the shutoff valve is provided in the vicinity of an exhaust gas outlet of the reactor, and exhaust gas is cooled by an indirect cooler between the exhaust gas outlet of the reactor and the shutoff valve.
(FR) La présente invention concerne un procédé efficace de production de silicium polycristallin. La présente invention concerne un procédé de production de silicium polycristallin par le procédé Siemens, dans lequel un réacteur est connecté à un équipement de traitement de gaz d'échappement par un robinet d'arrêt disposé sur un conduit de gaz d'échappement, le robinet d'arrêt est disposé à proximité d'une sortie de gaz d'échappement du réacteur, et le gaz d'échappement est refroidi par un refroidisseur indirect entre la sortie de gaz d'échappement du réacteur et le robinet d'arrêt.
(JA) ポリシリコンの効率的な製造方法を実現する。本発明は、ジーメンス法によるポリシリコンの製造方法であり、反応器と排ガス処理設備とは、排ガス配管に設けられた遮断弁によって接続されており、上記遮断弁は、上記反応器の排ガス出口の近傍に設けられており、上記反応器の排ガス出口と上記遮断弁との間において、間接冷却型の冷却器により排ガスを冷却する。
front page image
지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)