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1. (WO2018216612) APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2018/216612 국제출원번호: PCT/JP2018/019284
공개일: 29.11.2018 국제출원일: 18.05.2018
IPC:
H01L 21/306 (2006.01) ,B08B 3/02 (2006.01) ,C03C 15/00 (2006.01) ,H01L 21/677 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
04
적어도 하나의 전위장벽 또는 표면장벽(예. PN접합, 공핍층, 캐리어 밀집층)을 갖는 장치
18
불순물(예, 도우핑 물질)을 포함하고 있거나 포함하지 않는 주기율표 제4족의 원소 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물로 구성된 반도체본체를 갖는 장치
30
21/20~ 21/26에 분류되지 않은 방법이나 장비를 사용한 반도체본체의 처리
302
반도체표면의 물리적 성질 또는 그 형상의 변환, 예. 에칭(etching), 경면연마(polishing), 절단(cutting)
306
화학적 또는 전기적 처리. 예. 전해에칭
B SECTION B — 처리조작; 운수
08
청소
B
청소일반; 오염방지일반
3
액체 또는 증기의 사용과 존재를 포함하는 방법에 의한 청소
02
제트 또는 스프레이의 힘에 의한 청소
C SECTION C — 화학; 야금
03
유리; 광물 또는 슬래그울(Slag Wool)
C
유리, 유약(glazes) 또는 유리질법랑(Vitreous enamels) 의 화학적 조성; 유리의 표면처리; 유리, 광물 또는 슬래 그로부터의 섬유 또는 필라멘트의 표면처리; 유리와 유리 또는 타물질과의 접착
15
에칭에 의한, 섬유 또는 필라멘트가 아닌, 유리의 표면처리
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
67
제조 또는 처리중의 반도체 또는 전기 고체 장치 취급에 특별히 적용되는 장치; 반도체 또는 전기 고체 장치 혹은 구성부품의 제조 또는 처리중의 웨이퍼 취급에 특별히 적용되는 장치
677
이송을 위한 것, 예 .다른 워크스테이션 간의 이송
출원인:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
발명자:
井谷 晶 ITANI Akira; --
대리인:
特許業務法人暁合同特許事務所 AKATSUKI UNION PATENT FIRM; 愛知県名古屋市中区栄二丁目1番1号 日土地名古屋ビル5階 5th Floor, Nittochi Nagoya Bldg., 1-1, Sakae 2-chome, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600008, JP
우선권 정보:
2017-10431226.05.2017JP
발명의 명칭: (EN) APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置
요약서:
(EN) Provided is a wet etching apparatus 20 comprising: a wet etching bath 21 for supplying an etchant to a to-be-treated surface of a mother glass substrate; a cleaning bath 22 which is disposed downstream of the wet etching bath 21 to supply a cleaning solution to the to-be-treated surface of the mother glass substrate; a replacement bath 23 which is disposed between the wet etching bath 21 and the cleaning bath 22 to supply a replacement fluid for replacing the etchant to the to-be-treated surface of the mother glass substrate; and a substrate transport unit 24 which transports the mother glass substrate in order from the wet etching bath 21 to the replacement bath 23 and then the cleaning bath 22, and transports the mother glass substrate faster in the replacement bath 23 than in the wet etching bath 21 and the cleaning bath 22.
(FR) L'invention concerne un appareil de gravure humide 20 comprenant : un bain de gravure humide 21 pour fournir un agent de gravure à une surface à traiter d'un substrat de verre mère; un bain de nettoyage 22 qui est disposé en aval du bain de gravure humide 21 pour fournir une solution de nettoyage à la surface à traiter du substrat de verre mère; un bain de remplacement 23 qui est disposé entre le bain de gravure humide 21 et le bain de nettoyage 22 pour fournir un fluide de remplacement pour remplacer l'agent de gravure sur la surface à traiter du substrat de verre mère; et une unité de transport de substrat 24 qui transporte le substrat de verre mère dans l'ordre depuis le bain de gravure humide 21 jusqu'au bain de remplacement 23 , puis le bain de nettoyage 22, et transporte le substrat de verre mère plus rapidement dans le bain de remplacement 23 que dans le bain de gravure humide 21 et le bain de nettoyage 22.
(JA) ウェットエッチング装置20は、マザーガラス基板の被処理面にエッチング液を供給するウェットエッチング処理槽21と、ウェットエッチング処理槽21の下流側に配されてマザーガラス基板の被処理面に洗浄液を供給する洗浄槽22と、ウェットエッチング処理槽21と洗浄槽22との間に介在する形で配されてマザーガラス基板の被処理面にエッチング液を置換するための置換液を供給する置換槽23と、ウェットエッチング処理槽21、置換槽23及び洗浄槽22の順でマザーガラス基板を搬送し、置換槽23ではウェットエッチング処理槽21及び洗浄槽22よりマザーガラス基板を速く搬送する基板搬送部24と、を備える。
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지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)