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1. (WO2018216226) FILM-FORMING DEVICE AND FILM-FORMING METHOD
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2018/216226 국제출원번호: PCT/JP2017/020526
공개일: 29.11.2018 국제출원일: 26.05.2017
IPC:
H01L 21/203 (2006.01) ,H01L 41/187 (2006.01) ,H01L 41/316 (2013.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
04
적어도 하나의 전위장벽 또는 표면장벽(예. PN접합, 공핍층, 캐리어 밀집층)을 갖는 장치
18
불순물(예, 도우핑 물질)을 포함하고 있거나 포함하지 않는 주기율표 제4족의 원소 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물로 구성된 반도체본체를 갖는 장치
20
기판상에 반도체 물질의 증착. 예, 에피택셜 (epitaxial) 성장
203
물리적 증착을 이용하는 것, 예. 진공증착, 스퍼터링(sputtering)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
41
압전(Piezoelectric) 장치 일반; 전왜(Electrostrictive) 장치 일반; 자왜(Magnetostrictive) 장치 일반; 그러한 소자 또는 그 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치; 그들 소자의 세부
16
재료의 선택
18
압전 또는 전왜소자용
187
세라믹 조성물
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
41
압전(Piezoelectric) 장치 일반; 전왜(Electrostrictive) 장치 일반; 자왜(Magnetostrictive) 장치 일반; 그러한 소자 또는 그 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치; 그들 소자의 세부
22
압전 또는 전왜 장치 또는 그 부품의 조립, 제조 또는 처리, 에 특별히 적용되는 방법 또는 장치
31
압전 또는 전왜부 또는 전기적 요소 또는 그 외 기부상의 전왜체에 적용하는 것
314
침적 압전 또는 전왜층 , 예. 연무제(aerosol) 또는 스크린인쇄(screen printing)
316
기상 증착(vapour phase)에 의한 것
출원인:
アドバンストマテリアルテクノロジーズ株式会社 ADVANCED MATERIAL TECHNOLOGIES, INC. [JP/JP]; 千葉県流山市西平井956番地の1 956-1, Nishi-hirai, Nagareyama-shi, Chiba 2700156, JP
발명자:
本多 祐二 HONDA Yuji; JP
木島 健 KIJIMA Takeshi; JP
濱田 泰彰 HAMADA Yasuaki; JP
대리인:
柳瀬 睦肇 YANASE Mutsuyasu; 東京都文京区本郷3丁目30番10号 本郷K&Kビル4階 進歩国際特許事務所 Patent Attorneys Shinpo, 4th Floor, Hongo K&K Building, 3-30-10, Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 1130033, JP
우선권 정보:
발명의 명칭: (EN) FILM-FORMING DEVICE AND FILM-FORMING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE FORMATION DE FILM ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM
(JA) 成膜装置及び成膜方法
요약서:
(EN) The film-forming device according to one embodiment of the present invention has: a chamber 21 electrically connected to a grounding potential; a target TG disposed in the chamber; a power supply section 32 that supplies high-frequency power to the target; gas supply sections 23, 24 that supply a gas to the inside of the chamber; a substrate holding insulating section 25b, which is disposed in the chamber, and which holds a substrate SB by having the substrate face the target; a conductive supporting section 42 that supports the substrate holding insulating section; and a first insulating member 53 disposed between the conductive supporting section and the chamber. The conductive supporting section is electrically floating from the chamber due to the first insulating member, the substrate is held by the substrate holding insulating section when an outer peripheral section of the substrate comes into contact with the substrate holding insulating section, the substrate is electrically floating from the conductive supporting section, and the substrate holding insulating section does not overlap a center section of the substrate in plan view.
(FR) Le dispositif de formation de film selon un mode de réalisation de la présente invention comprend : une chambre 21 connectée électriquement à un potentiel de mise à la terre; une cible TG disposée dans la chambre; une section d'alimentation électrique 32 qui fournit de l'énergie à haute fréquence à la cible; des sections d'alimentation en gaz 23, 24 qui fournissent un gaz à l'intérieur de la chambre; une section d'isolation de maintien de substrat 25b, qui est disposée dans la chambre, et qui maintient un substrat SB par le fait que le substrat fait face à la cible; une section de support conductrice 42 qui supporte la section d'isolation de maintien de substrat; et un premier élément isolant 53 disposé entre la section de support conductrice et la chambre. La section de support conductrice est électriquement flottante de la chambre en raison du premier élément isolant, le substrat est maintenu par la section d'isolation de maintien de substrat lorsqu'une section périphérique externe du substrat vient en contact avec la section d'isolation de maintien de substrat, le substrat est électriquement flottant à partir de la section de support conductrice, et la section d'isolation de maintien de substrat ne chevauche pas une section centrale du substrat dans une vue en plan.
(JA) 本発明の一態様に係る成膜装置は、接地電位に電気的に接続されるチャンバー21と、前記チャンバー内に配置されたターゲットTGと、前記ターゲットに高周波電力を供給する電力供給部32と、前記チャンバー内にガスを供給するガス供給部23,24と、前記チャンバー内に配置され、基板SBを前記ターゲットに対向させて保持する絶縁性基板保持部25bと、前記絶縁性基板保持部を支持する導電性支持部42と、前記導電性支持部と前記チャンバーとの間に配置された第1絶縁性部材53と、を有し、前記導電性支持部は前記第1絶縁性部材によって前記チャンバーに対して電気的に浮遊しており、前記基板の外周部が前記絶縁性基板保持部と接触することで、前記絶縁性基板保持部に前記基板が保持され、前記基板は前記導電性支持部に対して電気的に浮遊しており、前記絶縁性基板保持部は、平面視において前記基板の中央部と重ならない。
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공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)