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1. (WO2018194123) RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND RESIST PATTERN FORMATION METHOD
국제사무국에 기록된 최신 서지정보정보 제출

공개번호: WO/2018/194123 국제출원번호: PCT/JP2018/016125
공개일: 25.10.2018 국제출원일: 19.04.2018
IPC:
G03F 7/004 (2006.01) ,C08F 220/18 (2006.01) ,G03F 7/038 (2006.01) ,G03F 7/039 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01)
G SECTION G — 물리학
03
전자사진; 광파 이외의 파를 사용하는 유사기술; 영화; 사진; 홀로그래피(Holography)
F
사진제판법에 의한 요철화 또는 패턴화 표면의 제조, 예. 인쇄용, 반도체장치의 제조법용; 그것을 위한 재료; 그것을 위한 원료; 그것을 위한 특별히 적합한 장치
7
사진제판법, 예 사진석판법에 의한 요철화 또는 패턴화된 표면의 제조, 예. 인쇄표면의 제조 그것을 위한 재료, 예. 포토레지스트로 된 것 그것을 위하여 특히 적합한 장치
004
감광재료
04
크롬산염
C SECTION C — 화학; 야금
08
유기 고분자 화합물; 그 제조 또는 화학적 처리; 그에 따른 조성물
F
탄소-탄소 불포화 결합만이 관여하는 반응으로 얻어지는 고분자 화합물
220
하나의 탄소-탄소 이중 결합을 함유하는 불포화 지방족기를 갖고 그것의 적어도 하나가 카르복실기 또는 그의 염, 무수물, 에스테르, 아미드, 이미드 또는 니트릴로 종결되어 있는 화합물의 공중합체
02
.10개 미만의 탄소 원자를 함유하는 모노카르복실산; 그의 유도체
10
에스테르
12
일가 알코올 또는 페놀의 에스테르
16
페놀 또는 둘 이상의 탄소 원자를 함유하는 알코올의 에스테르
18
아크릴산 또는 메타크릴산과 함께
G SECTION G — 물리학
03
전자사진; 광파 이외의 파를 사용하는 유사기술; 영화; 사진; 홀로그래피(Holography)
F
사진제판법에 의한 요철화 또는 패턴화 표면의 제조, 예. 인쇄용, 반도체장치의 제조법용; 그것을 위한 재료; 그것을 위한 원료; 그것을 위한 특별히 적합한 장치
7
사진제판법, 예 사진석판법에 의한 요철화 또는 패턴화된 표면의 제조, 예. 인쇄표면의 제조 그것을 위한 재료, 예. 포토레지스트로 된 것 그것을 위하여 특히 적합한 장치
004
감광재료
038
불용성 또는 특이적으로 친수성으로 된 고분자화합물
G SECTION G — 물리학
03
전자사진; 광파 이외의 파를 사용하는 유사기술; 영화; 사진; 홀로그래피(Holography)
F
사진제판법에 의한 요철화 또는 패턴화 표면의 제조, 예. 인쇄용, 반도체장치의 제조법용; 그것을 위한 재료; 그것을 위한 원료; 그것을 위한 특별히 적합한 장치
7
사진제판법, 예 사진석판법에 의한 요철화 또는 패턴화된 표면의 제조, 예. 인쇄표면의 제조 그것을 위한 재료, 예. 포토레지스트로 된 것 그것을 위하여 특히 적합한 장치
004
감광재료
039
광축퇴 가능한 고분자화합물 예. 양화형 전자 레지스트
G SECTION G — 물리학
03
전자사진; 광파 이외의 파를 사용하는 유사기술; 영화; 사진; 홀로그래피(Holography)
F
사진제판법에 의한 요철화 또는 패턴화 표면의 제조, 예. 인쇄용, 반도체장치의 제조법용; 그것을 위한 재료; 그것을 위한 원료; 그것을 위한 특별히 적합한 장치
7
사진제판법, 예 사진석판법에 의한 요철화 또는 패턴화된 표면의 제조, 예. 인쇄표면의 제조 그것을 위한 재료, 예. 포토레지스트로 된 것 그것을 위하여 특히 적합한 장치
20
노광; 그것을 위한 장치
출원인:
JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区東新橋一丁目9番2号 9-2, Higashi-Shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058640, JP
발명자:
古市 康太 FURUICHI Kouta; JP
岡嵜 聡司 OKAZAKI Satoshi; JP
대리인:
天野 一規 AMANO Kazunori; JP
우선권 정보:
2017-08377120.04.2017JP
발명의 명칭: (EN) RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND RESIST PATTERN FORMATION METHOD
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE AU RAYONNEMENT ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF DE RÉSERVE
(JA) 感放射線性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法
요약서:
(EN) The present invention is a radiation-sensitive resin composition containing a first polymer having structural units including an acid-dissociable group, a first compound generated by radiating radioactive rays onto a first acid that dissociates the acid-dissociable group in one minute at 110ºC, and a second compound generated by radiating radioactive rays onto a second acid that does not substantially dissociate the acid-dissociable group in one minute at 110ºC, the first compound content being at least 10% by mass of the total solid content (all non-solvent components in the composition), and the ratio Bm/Cm being at least 1.7, where Bm is the number of moles of the first compound and Cm is the number of moles of the second compound.
(FR) La présente invention concerne une composition de résine sensible au rayonnement contenant un premier polymère ayant des unités structurales comprenant un groupe dissociable par un acide, un premier composé généré par rayonnement de rayons radioactifs sur un premier acide qui dissocie le groupe dissociable par un acide en une minute à 110 °C et un second composé généré par rayonnement de rayons radioactifs sur un second acide qui ne dissocie pas sensiblement le groupe dissociable par un acide en une minute à 110 °C, la teneur en premier composé représentant au moins 10 % en masse de la teneur totale en solides (tous les composants autres que le solvant dans la composition) et le rapport Bm/Cm étant d'au moins 1,7, où Bm est le nombre de moles du premier composé et Cm est le nombre de moles du second composé.
(JA) 本発明は、酸解離性基を含む構造単位を有する第1重合体と、上記酸解離性基を110℃、1分の条件で解離させる第1酸を放射線の照射により発生する第1化合物と、上記酸解離性基を110℃、1分の条件で実質的に解離させない第2酸を放射線の照射により発生する第2化合物とを含有し、上記第1化合物の含有量が全固形分(組成物中の溶媒以外の全成分)中10質量%以上であり、上記第1化合物のモル数をB、上記第2化合物のモル数をCとした場合に、B/Cが1.7以上である感放射線性樹脂組成物である。
지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
아프리카 지식재산권기구(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)