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1. (WO2018186389) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, PHOTOSENSOR AND IMAGING ELEMENT
국제사무국에 기록된 최신 서지정보정보 제출

공개번호: WO/2018/186389 국제출원번호: PCT/JP2018/014250
공개일: 11.10.2018 국제출원일: 03.04.2018
IPC:
H01L 51/42 (2006.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 31/10 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
51
능동 부분으로서 유기 재료를 이용하거나 능동 부분으로서 유기 재료와 다른 재료와의 조합을 이용하는 고체 장치; 그들 장치 또는 그 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치
42
적외선, 가시광, 단파장의 전자파, 또는 입자선 복사에 감응에 특별히 적용되는 것; 복사선 에너지를 전기적 에너지로 변환하든지, 또는 이들 복사선에 의해 전기적 에너지를 제어하는 것에 특별히 적용되는 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
27
하나의 공통기판내 또는 기판상에 형성된 복수의 반도체구성부품 또는 기타 고체구성부품으로 구성된 장치
14
적외선, 가시광, 단파장의 전자파 또는 입자선 복사에 감응하는 반도체구성부품으로서 이들의 복사선 에너지를 전기적 에너지로 변환하거나 이들의 복사선에 의해 전기적 에너지를 제어하는 것에 특별히 사용되는 것
144
복사선에 의하여 제어되는 장치
146
고체촬상장치(이미지 센서) 구조
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
31
적외선 복사, 가시광, 단파장의 전자기파, 또는 입자 복사에 감응하는 반도체 장치로, 이들 복사에 의한 에너지를 전기적 에너지로 변환하거나 이들 복사에 의해 전기적 에너지를 제어하는 것에 특별히 적용되는 것; 그들 장치 또는 그 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치; 그들 세부
08
복사선이 장치 내를 흐르는 전류를 제어하는 것, 예, 광-저항기(photoresistors)
10
적어도 하나의 전위장벽 또는 표면장벽에 특징이 있는 것, 예. 포토트랜지스터
출원인:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
발명자:
吉岡 知昭 YOSHIOKA Tomoaki; JP
福▲崎▼ 英治 FUKUZAKI Eiji; JP
野村 公篤 NOMURA Kimiatsu; JP
대리인:
渡辺 望稔 WATANABE Mochitoshi; JP
伊東 秀明 ITOH Hideaki; JP
三橋 史生 MITSUHASHI Fumio; JP
우선권 정보:
2017-07654007.04.2017JP
2018-01036525.01.2018JP
발명의 명칭: (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, PHOTOSENSOR AND IMAGING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE, PHOTODÉTECTEUR ET ÉLÉMENT IMAGEUR
(JA) 光電変換素子、光センサ、および、撮像素子
요약서:
(EN) The present invention provides: a photoelectric conversion element which has excellent responsivity, while exhibiting excellent dark current characteristics in cases where a photoelectric conversion film is formed at a high rate; a photosensor and an imaging element, each of which comprises this photoelectric conversion element; and a compound. A photoelectric conversion element according to the present invention sequentially comprises a conductive film, a photoelectric conversion film and a transparent conductive film in this order; and the photoelectric conversion film contains a compound represented by formula (1) and an n-type organic semiconductor that has a specific structure.
(FR) La présente invention concerne : un élément de conversion photoélectrique qui présente une excellente sensibilité, tout en présentant d'excellentes caractéristiques de courant d'obscurité dans des cas où un film de conversion photoélectrique est formé à grande vitesse; un photodétecteur et un élément imageur, dont chacun comprend cet élément de conversion photoélectrique; et un composé. Un élément de conversion photoélectrique conforme à la présente invention comprend séquentiellement un film conducteur, un film de conversion photoélectrique et un film conducteur transparent dans cet ordre; et le film de conversion photoélectrique contient un composé représenté par la formule (1) et un semi-conducteur organique de type n qui présente une structure spécifique.
(JA) 本発明は優れた応答性、および、光電変換膜を高速成膜した場合において優れた暗電流特性を示す光電変換素子、光電変換素子を有する、光センサ、撮像素子、および、化合物を提供する。本発明の光電変換素子は、導電性膜、光電変換膜、および、透明導電性膜をこの順で有する光電変換素子であって、光電変換膜が、式(1)で表される化合物、および、所定の構造を有するn型有機半導体を含む。
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공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)