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1. (WO2018186248) METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL SILICON WAFER AND EPITAXIAL SILICON WAFER
국제사무국에 기록된 최신 서지정보정보 제출

공개번호: WO/2018/186248 국제출원번호: PCT/JP2018/012640
공개일: 11.10.2018 국제출원일: 28.03.2018
IPC:
C30B 29/06 (2006.01) ,C23C 16/02 (2006.01) ,C23C 16/24 (2006.01) ,C30B 25/20 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01)
C SECTION C — 화학; 야금
30
결정성장
B
단결정성장; 공정물질의 일방향고체화 또는 공석정물질의 일방향석출; 물질의 존멜팅(Zone meting)에 의한 정제; 특정구조의 균질상의 다결정물질의 제조; 반도체장치 또는 그 부품을 제조하기 위한 것 H01L; 단결정 또는 특정구조의 균질상 다결정재료의 후처리; 그것을 위한 장치
29
재료 또는 형상에 의하여 특징 지워진 단결정 또는 특정구조의 균질다결정물질
02
.원소
06
실리콘
C SECTION C — 화학; 야금
23
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 화학적 표면처리; 금속재료의 확산처리; 진공증착, 스퍼터링(SPUTTERING), 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복 일반; 금속재료의 방식 또는 이물질 형성 방지 일반
C
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 표면 확산, 화학적 전환 또는 치환에 의한 금속재료의 표면처리; 진공증착, 스퍼터링, 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복, 일반
16
가스상 화합물의 분해에 의한 화학적 피복, 단 표면재료의 반응생성물을 피복층중에 남기지 않는것, 즉 화학증착법
02
.피복될 재료의 전처리
C SECTION C — 화학; 야금
23
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 화학적 표면처리; 금속재료의 확산처리; 진공증착, 스퍼터링(SPUTTERING), 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복 일반; 금속재료의 방식 또는 이물질 형성 방지 일반
C
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 표면 확산, 화학적 전환 또는 치환에 의한 금속재료의 표면처리; 진공증착, 스퍼터링, 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복, 일반
16
가스상 화합물의 분해에 의한 화학적 피복, 단 표면재료의 반응생성물을 피복층중에 남기지 않는것, 즉 화학증착법
22
.금속질재료이외의 무기질재료의 증착에 특징이 있는 것
24
규소만의 증착
C SECTION C — 화학; 야금
30
결정성장
B
단결정성장; 공정물질의 일방향고체화 또는 공석정물질의 일방향석출; 물질의 존멜팅(Zone meting)에 의한 정제; 특정구조의 균질상의 다결정물질의 제조; 반도체장치 또는 그 부품을 제조하기 위한 것 H01L; 단결정 또는 특정구조의 균질상 다결정재료의 후처리; 그것을 위한 장치
25
반응가스의 화학반응에 의한 단결정성장, 예. 화학증착성장.
02
.에피택셜층 성장
18
기판에 의하여 특징지워진 것
20
기판이 에피탁셜층과 동일물질인 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
04
적어도 하나의 전위장벽 또는 표면장벽(예. PN접합, 공핍층, 캐리어 밀집층)을 갖는 장치
18
불순물(예, 도우핑 물질)을 포함하고 있거나 포함하지 않는 주기율표 제4족의 원소 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물로 구성된 반도체본체를 갖는 장치
20
기판상에 반도체 물질의 증착. 예, 에피택셜 (epitaxial) 성장
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
04
적어도 하나의 전위장벽 또는 표면장벽(예. PN접합, 공핍층, 캐리어 밀집층)을 갖는 장치
18
불순물(예, 도우핑 물질)을 포함하고 있거나 포함하지 않는 주기율표 제4족의 원소 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물로 구성된 반도체본체를 갖는 장치
20
기판상에 반도체 물질의 증착. 예, 에피택셜 (epitaxial) 성장
205
고체를 석출시키기 위해 기상 화합물의 환원 또는 분해를 이용하는 것, 예. 화학적 증착
출원인:
株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目2番1号 1-2-1, Shibaura, Minato-ku, Tokyo 1058634, JP
발명자:
野中 直哉 NONAKA Naoya; JP
川島 正 KAWASHIMA Tadashi; JP
溝上 憲一 MIZOGAMI Kenichi; JP
대리인:
特許業務法人樹之下知的財産事務所 KINOSHITA & ASSOCIATES; 東京都杉並区荻窪五丁目26番13号 3階 3rd Floor, 26-13, Ogikubo 5-chome, Suginami-ku, Tokyo 1670051, JP
우선권 정보:
2017-07603406.04.2017JP
발명의 명칭: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL SILICON WAFER AND EPITAXIAL SILICON WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE TRANCHE DE SILICIUM ÉPITAXIALE, ET TRANCHE DE SILICIUM ÉPITAXIALE
(JA) エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法およびエピタキシャルシリコンウェーハ
요약서:
(EN) Provided is a method for manufacturing an epitaxial silicon wafer using a silicon wafer that contains phosphorous and that has a resistivity of less than 1.0 mΩ∙cm, the method comprising: an argon annealing step (S2) in which a silicon wafer is heat treated for 30 minutes or more at a temperature of 1200-1220°C in an argon gas atmosphere, the silicon wafer having a main surface which is a surface where a (100) surface is inclined, and a [100] axis that is perpendicular to the (100) surface being inclined by 0°5'-0°25' relative to an axis that intersects the main surface at a right angle; a pre-baking step (S3) in which the surface of the silicon wafer is etched; and an epitaxial film growing step (S4) in which an epitaxial film is grown on the surface of the silicon wafer at a growth temperature of 1100-1165°C.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'une tranche de silicium épitaxiale à l'aide d'une tranche de silicium qui contient du phosphore et qui a une résistivité inférieure à 1,0 mΩ∙cm, le procédé comprenant : une étape de recuit à l'argon (S2) dans laquelle une tranche de silicium est traitée thermiquement pendant 30 minutes ou plus à une température de 1 200 à 1 220 °C dans une atmosphère d'argon gazeux, la tranche de silicium ayant une surface principale qui est une surface où une surface (100) est inclinée, et un axe [100] qui est perpendiculaire à la surface (100) est incliné de 0°5' à 0°25' par rapport à un axe qui coupe la surface principale à angle droit ; une étape de pré-cuisson (S3) dans laquelle la surface de la tranche de silicium est gravée ; et une étape de croissance de film épitaxial (S4) dans laquelle un film épitaxial est amené à croître sur la surface de la tranche de silicium à une température de croissance de 1 100 à 1 165° C.
(JA) リンを含み抵抗率が1.0mΩ・cm未満のシリコンウェーハを用いたエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法であって、(100)面が傾斜した面を主表面とし、(100)面に垂直な[100]軸が主表面に直交する軸に対して0°5'以上0°25'以下だけ傾斜したシリコンウェーハに対し、アルゴンガス雰囲気下において1200℃以上1220℃以下の温度で30分以上の熱処理を行うアルゴンアニール工程(S2)と、シリコンウェーハの表面をエッチングするプリベーク工程(S3)と、シリコンウェーハの表面に1100℃以上1165℃以下の成長温度でエピタキシャル膜を成長させるエピタキシャル膜成長工程(S4)とを備えている。
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지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
아프리카 지식재산권기구(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)