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1. (WO2018186196) SOLID STATE IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS
국제사무국에 기록된 최신 서지정보정보 제출

공개번호: WO/2018/186196 국제출원번호: PCT/JP2018/011569
공개일: 11.10.2018 국제출원일: 23.03.2018
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 21/822 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01) ,H01L 25/065 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H01L 27/00 (2006.01) ,H01L 27/04 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
27
하나의 공통기판내 또는 기판상에 형성된 복수의 반도체구성부품 또는 기타 고체구성부품으로 구성된 장치
14
적외선, 가시광, 단파장의 전자파 또는 입자선 복사에 감응하는 반도체구성부품으로서 이들의 복사선 에너지를 전기적 에너지로 변환하거나 이들의 복사선에 의해 전기적 에너지를 제어하는 것에 특별히 사용되는 것
144
복사선에 의하여 제어되는 장치
146
고체촬상장치(이미지 센서) 구조
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
04
적어도 하나의 전위장벽 또는 표면장벽(예. PN접합, 공핍층, 캐리어 밀집층)을 갖는 장치
18
불순물(예, 도우핑 물질)을 포함하고 있거나 포함하지 않는 주기율표 제4족의 원소 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물로 구성된 반도체본체를 갖는 장치
30
21/20~ 21/26에 분류되지 않은 방법이나 장비를 사용한 반도체본체의 처리
31
반도체본체상에 절연층 형성. 예. 마스킹용 또는 사진석판기술의 이용에 의한 것; 절연층의 후처리; 절연층에 적합한 물질의 선택
3205
비절연층(예. 도전층 또는 저항층)을 절연층상에 증착; 이들 층의 후처리
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
70
하나의 공통기판상 또는 기판내에 형성된 복수의 고체구성부품 또는 집적회로로 이루어진 장치 그에 대한 특정부품의 제조 또는 처리; 집적회로장치 또는 그에 대한 특정부품의 제조.
71
그룹 H01L21/70에 분류된 장치의 특정부품의 제조
768
하나의 장치와 개별구성부품사이에 전류를 흐르게 하기 위한 상호배선의 적용
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
70
하나의 공통기판상 또는 기판내에 형성된 복수의 고체구성부품 또는 집적회로로 이루어진 장치 그에 대한 특정부품의 제조 또는 처리; 집적회로장치 또는 그에 대한 특정부품의 제조.
77
하나의 공통기판상 혹은 기판내에 형성된 복수의 고체구성부품 또는 집적회로로 이루어진 장치의 제조 또는 처리
78
상기기판을 복수의 개별장치로 분할
82
복수의 구성부품으로 각각 구성된 장치(예. 집적회로)의 생성
822
기판이 실리콘 기술을 이용한 반도체인 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
23
반도체 또는 다른 고체장치의 세부
52
동작중의 장치 하나의 구성부품으로부터 다른 구성부품으로 전류를 흐르게 하는 배열
522
반도체본체상에 분리할 수 없는 형태로 이루어진 전도층과 절연층이 다층으로 구성된 외부와의 상호배선을 포함하는 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
25
복수의 개별 반도체 또는 다른 고체장치로 구성된 조립체
03
장치가 모두 그룹 H01L 27/00 ~ H01L 51/00의 동일 서브그룹에 분류되는 형식의 것, 예. 정류다이오드의 조립체
04
개별의 용기가 없는 것
065
장치가 그룹 H01L 27/00으로 분류되는 형식의 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
25
복수의 개별 반도체 또는 다른 고체장치로 구성된 조립체
03
장치가 모두 그룹 H01L 27/00 ~ H01L 51/00의 동일 서브그룹에 분류되는 형식의 것, 예. 정류다이오드의 조립체
04
개별의 용기가 없는 것
07
장치가 그룹 29/00으로 분류되는 형식의 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
25
복수의 개별 반도체 또는 다른 고체장치로 구성된 조립체
18
장치가 그룹 H01L 27/00~ H01L 51/00 중 동일메인그룹에서 2개 또는 그 이상의 상이한 서브그룹에 분류되는 형식의 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
27
하나의 공통기판내 또는 기판상에 형성된 복수의 반도체구성부품 또는 기타 고체구성부품으로 구성된 장치
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
27
하나의 공통기판내 또는 기판상에 형성된 복수의 반도체구성부품 또는 기타 고체구성부품으로 구성된 장치
02
정류, 발진, 증폭 또는 스위칭에 특별히 적용되는 반도체 구성부품을 포함하고 적어도 하나의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 것; 적어도 하나의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 집적화 된 수동 회로 소자를 포함하는 것
04
기판이 하나의 반도체본체로 되어 있는 것
H SECTION H — 전기
04
전기통신기술
N
화상통신, 예. 텔레비젼
5
텔레비젼 시스템의 세부
30
광 또는 아날로그 정보를 전기적 정보로 변환시키는 것
335
고체 이미지 센서 를 사용하는 것
369
SSIS 구조; 그와 관련된 회로
출원인:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
발명자:
橋口 日出登 HASHIGUCHI, Hideto; JP
庄子 礼二郎 SHOHJI, Reijiroh; JP
堀越 浩 HORIKOSHI, Hiroshi; JP
三橋 生枝 MITSUHASHI, Ikue; JP
飯島 匡 IIJIMA, Tadashi; JP
亀嶋 隆季 KAMESHIMA, Takatoshi; JP
石田 実 ISHIDA, Minoru; JP
羽根田 雅希 HANEDA, Masaki; JP
대리인:
特許業務法人酒井国際特許事務所 SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE; JP
우선권 정보:
2017-07480604.04.2017JP
2017-15658614.08.2017JP
발명의 명칭: (EN) SOLID STATE IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像装置、及び電子機器
요약서:
(EN) [Problem] To provide a solid state imaging device and an electronic apparatus that have improved performance. [Solution] A solid state imaging device that is formed by laminating, in order, a first substrate, a second substrate, and a third substrate. The first substrate is formed by laminating a first semiconductor substrate and a first multilayer wiring layer and has formed thereon a pixel unit that comprises an array of pixels. The second substrate is formed by laminating a second semiconductor substrate and a second multilayer wiring layer and has formed thereon a circuit that has a prescribed function. The third substrate is formed by laminating a third semiconductor substrate and a third multilayer wiring layer and has formed thereon a circuit that has a prescribed function. The first substrate and the second substrate are adhered to each other such that the first multilayer wiring layer and the second semiconductor substrate face. A first connection structure that is for electrically connecting a circuit on the first substrate and the circuit on the second substrate does not include a connection structure that is mediated by an adhesion surface between the first substrate and the second substrate that is formed with the first substrate as a point of reference, or there is no first connection structure.
(FR) L'invention vise à améliorer les performances d'un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs et d'un appareil électronique. Plus spécifiquement, l'invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs constitué, stratifiés dans l'ordre suivant: d'un premier substrat dans lequel est formée une partie pixels dans laquelle des pixels sont alignés, et lequel substrat est constitué à son tour d'un premier substrat à semi-conducteurs et d'une première couche de câblage multicouche stratifiés; d'un deuxième substrat dans lequel est formé un circuit avec une fonction prédéterminée, et lequel substrat est constitué à son tour d'un deuxième substrat à semi-conducteurs et d'une deuxième couche de câblage multicouche stratifiés; et d'un troisième substrat dans lequel est formé un circuit avec une fonction prédéterminée, et lequel substrat est constitué à son tour d'un troisième substrat à semi-conducteurs et d'une troisième couche de câblage multicouche stratifiés. Les premier substrat et deuxième substrat susmentionnés sont collés de façon que la première couche de câblage multicouche et la deuxième couche de câblage multicouche soient opposées l'une à l'autre. Le dispositif d'imagerie à semi-conducteurs possède première une structure de connexion pour la connexion électrique du circuit du premier substrat et du circuit du deuxième substrat. Cette première structure de connexion ne contient pas de structure de connexion formée en tant que base du premier substrat et mettant en oeuvre une surface d'adhésion entre le premier substrat et le deuxième substrat susmentionnés, ou alternativement, le dispositif d'imagerie à semi-conducteurs ne contient pas de première structure de connexion.
(JA) 【課題】性能がより向上した固体撮像装置及び電子機器を提供する。 【解決手段】画素が配列された画素部が形成され、第1半導体基板及び第1多層配線層が積層された第1基板と、所定の機能を有する回路が形成され、第2半導体基板及び第2多層配線層が積層された第2基板と、所定の機能を有する回路が形成され、第3半導体基板及び第3多層配線層が積層された第3基板と、がこの順に積層されて構成され、前記第1基板と前記第2基板とは、前記第1多層配線層と前記第2半導体基板とが対向するように貼り合わされ、前記第1基板の回路と前記第2基板の回路とを電気的に接続するための第1の接続構造は、前記第1基板を基点として形成される前記第1基板と前記第2基板との貼り合わせ面を介した接続構造を含まない、又は、前記第1の接続構造が、存在しない、固体撮像装置。
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지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
아프리카 지식재산권기구(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)