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1. (WO2018181499) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT MANUFACTURING METHOD
국제사무국에 기록된 최신 서지정보정보 제출

공개번호: WO/2018/181499 국제출원번호: PCT/JP2018/012813
공개일: 04.10.2018 국제출원일: 28.03.2018
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01) ,H01L 21/288 (2006.01) ,H01L 31/0747 (2012.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
31
적외선 복사, 가시광, 단파장의 전자기파, 또는 입자 복사에 감응하는 반도체 장치로, 이들 복사에 의한 에너지를 전기적 에너지로 변환하거나 이들 복사에 의해 전기적 에너지를 제어하는 것에 특별히 적용되는 것; 그들 장치 또는 그 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치; 그들 세부
02
세부
0224
전극
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
04
적어도 하나의 전위장벽 또는 표면장벽(예. PN접합, 공핍층, 캐리어 밀집층)을 갖는 장치
18
불순물(예, 도우핑 물질)을 포함하고 있거나 포함하지 않는 주기율표 제4족의 원소 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물로 구성된 반도체본체를 갖는 장치
28
21/20~ 21/268에 분류되지 않은 방법이나 장비를 이용한 반도체본체상의 전극 제조
283
전극용의 도전물질 또는 절연물질의 증착
288
액체로부터의 증착, 예. 전해액으로부터의 증착
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
31
적외선 복사, 가시광, 단파장의 전자기파, 또는 입자 복사에 감응하는 반도체 장치로, 이들 복사에 의한 에너지를 전기적 에너지로 변환하거나 이들 복사에 의해 전기적 에너지를 제어하는 것에 특별히 적용되는 것; 그들 장치 또는 그 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치; 그들 세부
04
변환장치로 사용하는 것
06
적어도 하나의 전위장벽 또는 표면장벽에 특징이 있는 것
072
전위장벽이 PN 이종 접합(hetero-junction)형인 것
0745
AIV-BIV족 이종접합을 갖는 것, 예. Si/Ge, SiGe/Si 또는 Si/SiC 태양전지
0747
결정과 비결정 물질의 이종접합을 갖는 것, 예. 고유 박층 또는 HIT® 태양전지
출원인:
株式会社カネカ KANEKA CORPORATION [JP/JP]; 大阪府大阪市北区中之島2-3-18 2-3-18, Nakanoshima, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308288, JP
발명자:
福田 将典 FUKUDA, Masanori; JP
대리인:
特許業務法人はるか国際特許事務所 HARUKA PATENT & TRADEMARK ATTORNEYS; 東京都千代田区六番町3 六番町SKビル5階 Rokubancho SK Bldg. 5th Floor, 3, Rokubancho, Chiyoda-ku, Tokyo 1020085, JP
우선권 정보:
2017-07232831.03.2017JP
발명의 명칭: (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT MANUFACTURING METHOD
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 光電変換素子及び光電変換素子の製造方法
요약서:
(EN) A photoelectric conversion element manufacturing method of the present disclosure comprises: a step of preparing a semiconductor substrate having an n-type semiconductor portion and a p-type semiconductor portion which configures a diode with the n-type semiconductor portion; a step of forming an n-side base conductive layer in at least a part of the n-type semiconductor portion; a step of forming a p-side base conductive layer in at least a part of the p-type semiconductor portion; and a step of forming a plated layer in at least a part of the n-side base conductive layer and at least a part of the p-side base conductive layer by immersing the n-side base conductive layer and the p-side base conductive layer in a plating solution, and, with the n-side base conductive layer and the p-side base conductive layer being electrically connected only by means of the diode, feeding power to the n-side base conductive layer.
(FR) Un procédé de fabrication d'élément de conversion photoélectrique de la présente invention comprend : une étape de préparation d'un substrat semiconducteur ayant une portion semiconductrice de type n et une portion semiconductrice de type p qui configure une diode avec la portion semiconductrice de type n; une étape de formation d'une couche conductrice de base côté n dans au moins une partie de la portion semiconductrice de type n; une étape de formation d'une couche conductrice de base côté p dans au moins une partie de la portion semiconductrice de type p; et une étape de formation d'une couche plaquée dans au moins une partie de la couche conductrice de base côté n et au moins une partie de la couche conductrice de base côté p par immersion de la couche conductrice de base côté n et de la couche conductrice de base côté p dans une solution de placage, et, la couche conductrice de base côté n et la couche conductrice de base côté p étant électroconnectées uniquement au moyen de la diode, fournissant de l'énergie à la couche conductrice de base côté n.
(JA) 本開示の光電変換素子の製造方法は、n型半導体部と、前記n型半導体部と共にダイオードを構成するp型半導体部と、を有する半導体基板を準備する工程と、前記n型半導体部の少なくとも一部にn側下地導電層を形成する工程と、前記p型半導体部の少なくとも一部にp側下地導電層を形成する工程と、前記n側下地導電層と前記p側下地導電層とをめっき液に浸漬し、前記n側下地導電層と前記p側下地導電層とが、前記ダイオードのみによって電気的に接続された状態で、前記n側下地導電層を給電することにより、前記n側下地導電層の少なくとも一部と、前記p側下地導電層の少なくとも一部と、にめっき層を形成する工程と、を含む。
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아프리카 지식재산권기구(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)