이 애플리케이션의 일부 콘텐츠는 현재 사용할 수 없습니다.
이 상황이 계속되면 다음 주소로 문의하십시오피드백 및 연락
1. (WO2018181438) IMAGING PANEL AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
국제사무국에 기록된 최신 서지정보정보 제출

공개번호: WO/2018/181438 국제출원번호: PCT/JP2018/012669
공개일: 04.10.2018 국제출원일: 28.03.2018
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,G01T 1/20 (2006.01) ,H01L 27/144 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 31/08 (2006.01) ,H04N 5/321 (2006.01) ,H04N 5/361 (2011.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
27
하나의 공통기판내 또는 기판상에 형성된 복수의 반도체구성부품 또는 기타 고체구성부품으로 구성된 장치
14
적외선, 가시광, 단파장의 전자파 또는 입자선 복사에 감응하는 반도체구성부품으로서 이들의 복사선 에너지를 전기적 에너지로 변환하거나 이들의 복사선에 의해 전기적 에너지를 제어하는 것에 특별히 사용되는 것
144
복사선에 의하여 제어되는 장치
146
고체촬상장치(이미지 센서) 구조
G SECTION G — 물리학
01
측정; 시험
T
원자핵 방사선 또는 X선의 측정
1
X선 , 감마선, 미립자선 또는 우주선의 특징
16
방사선 강도의 측정
20
신틸레이션(scintillation) 검출기를 가진 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
27
하나의 공통기판내 또는 기판상에 형성된 복수의 반도체구성부품 또는 기타 고체구성부품으로 구성된 장치
14
적외선, 가시광, 단파장의 전자파 또는 입자선 복사에 감응하는 반도체구성부품으로서 이들의 복사선 에너지를 전기적 에너지로 변환하거나 이들의 복사선에 의해 전기적 에너지를 제어하는 것에 특별히 사용되는 것
144
복사선에 의하여 제어되는 장치
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
29
정류, 증폭, 발진 또는 스위칭에 특별히 적용되는 반도체 장치이며, 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 것; 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽(예. PN접합 공핍층 또는 캐리어 집중층)을 가지는 캐패시터 또는 저항; 반도체 본체 또는 전극의 세부
66
반도체장치의 형(types)
68
정류, 증폭 또는 스위칭 되는 전류가 흐르지 않는 하나의 전극에 단지 전위를 부여하거나, 단지 전류을 제공하는 것만으로 제어되는 것
76
유니폴라(unipolar) 장치
772
전계 효과 트랜지스터
78
절연된 게이트에 의해 발생되는 전계효과를 갖는 것
786
박막트랜지스터(thin-film transistors)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
31
적외선 복사, 가시광, 단파장의 전자기파, 또는 입자 복사에 감응하는 반도체 장치로, 이들 복사에 의한 에너지를 전기적 에너지로 변환하거나 이들 복사에 의해 전기적 에너지를 제어하는 것에 특별히 적용되는 것; 그들 장치 또는 그 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치; 그들 세부
08
복사선이 장치 내를 흐르는 전류를 제어하는 것, 예, 광-저항기(photoresistors)
H SECTION H — 전기
04
전기통신기술
N
화상통신, 예. 텔레비젼
5
텔레비젼 시스템의 세부
30
광 또는 아날로그 정보를 전기적 정보로 변환시키는 것
32
X선을 변환시키는 것
321
형광투시상의 영상을 전송을 하는 것
H SECTION H — 전기
04
전기통신기술
N
화상통신, 예. 텔레비젼
5
텔레비젼 시스템의 세부
30
광 또는 아날로그 정보를 전기적 정보로 변환시키는 것
335
고체 이미지 센서 를 사용하는 것
357
노이즈 처리, 예. 노이즈의 탐지, 정정(correcting), 저감 또는 제거
361
암전류에 적용되는 것
출원인:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1 Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
발명자:
中村 友 NAKAMURA Yu; --
冨安 一秀 TOMIYASU Kazuhide; --
中澤 淳 NAKAZAWA Makoto; --
森脇 弘幸 MORIWAKI Hiroyuki; --
中村 渉 NAKAMURA Wataru; --
中野 文樹 NAKANO Fumiki; --
대리인:
川上 桂子 KAWAKAMI Keiko; JP
松山 隆夫 MATSUYAMA Takao; JP
우선권 정보:
2017-06893330.03.2017JP
발명의 명칭: (EN) IMAGING PANEL AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) PANNEAU D'IMAGERIE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
(JA) 撮像パネル及びその製造方法
요약서:
(EN) The present invention provides an X-ray imaging panel, and a method for manufacturing the same, with which it is possible to suppress leak current in a photoelectric conversion layer while reducing the number of processes for manufacturing the imaging panel. An imaging panel 1 for generating an image on the basis of scintillation light obtained from X-rays transmitted through a subject. The imaging panel 1 is provided with a thin film transistor 13, passivation films 103, 104 covering the thin film transistor 13, a photoelectric conversion layer 15 for converting the scintillation light into an electrical charge, an upper electrode 16, and a lower electrode 14 connected to the thin film transistor 13, said elements being provided on a substrate 101. The end parts of the lower electrode 14 are disposed on the inner side relative to the end parts of the photoelectric conversion layer 15. The lower electrode 14 and the thin film transistor 13 are connected via a contact hole CH1 formed in the passivation films 103, 104 in a region in which the photoelectric conversion layer 15 is provided.
(FR) La présente invention concerne un panneau d'imagerie à rayons X et un procédé de fabrication correspondant, qui permettent de supprimer le courant de fuite dans une couche de conversion photoélectrique et de réduire en même temps le nombre de processus nécessaires à la fabrication du panneau d'imagerie. Le panneau d'imagerie (1) sert à produire une image sur la base d'une lumière de scintillation obtenue à partir de rayons X ayant traversé un objet. Le panneau d'imagerie (1) est pourvu d'un transistor à couches minces (13), de films de passivation (103, 104) recouvrant le transistor à couches minces (13), d'une couche de conversion photoélectrique (15) pour convertir la lumière de scintillation en une charge électrique, d'une électrode supérieure (16) et d'une électrode inférieure (14) connectée au transistor à couches minces (13), lesdits éléments se situant sur un substrat (101). Les parties d'extrémité de l'électrode inférieure (14) sont placées sur le côté interne par rapport aux parties d'extrémité de la couche de conversion photoélectrique (15). L'électrode inférieure (14) et le transistor à couches minces (13) sont connectés par l'intermédiaire d'un trou de contact (CH1) formé dans les films de passivation (103, 104), dans la région dans laquelle la couche de conversion photoélectrique (15) se situe.
(JA) 撮像パネルを作製する工程を削減しつつ、光電変換層のリーク電流を抑制し得るX線の撮像パネル及びその製造方法を提供すること。撮像パネル1は、被写体を通過したX線から得られたシンチレーション光に基づいて画像を生成する。撮像パネル1は、基板101上に、薄膜トランジスタ13と、薄膜トランジスタ13を覆うパッシベーション膜103、104と、シンチレーション光を電荷に変換する光電変換層15と、上部電極16と、薄膜トランジスタ13と接続された下部電極14とを備える。下部電極14の端部は、光電変換層15の端部よりも内側に配置される。下部電極14と薄膜トランジスタ13は、光電変換層15が設けられた領域において、パッシベーション膜103、104に形成されたコンタクトホールCH1を介して接続されている。
front page image
지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
아프리카 지식재산권기구(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)