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1. (WO2018180881) BONDING APPARATUS AND BONDING METHOD
국제사무국에 기록된 최신 서지정보정보 제출

공개번호: WO/2018/180881 국제출원번호: PCT/JP2018/011382
공개일: 04.10.2018 국제출원일: 22.03.2018
IPC:
H01L 21/60 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
04
적어도 하나의 전위장벽 또는 표면장벽(예. PN접합, 공핍층, 캐리어 밀집층)을 갖는 장치
50
H01L21/06~ H01L21/326의 어디에도 분류되지 않은 방법 또는 장비를 이용한 반도체 장치의조립
60
동작중의 장치로 또는 장치로부터 전류를 흐르게 하기 위한 리드(leads) 또는 다른 도전부재의 부착
출원인:
株式会社新川 SHINKAWA LTD. [JP/JP]; 東京都武蔵村山市伊奈平2丁目51番地の1 51-1, Inadaira 2-chome, Musashimurayama-shi, Tokyo 2088585, JP
발명자:
渡辺 治 WATANABE Osamu; JP
萩原 美仁 HAGIWARA Yoshihito; JP
中村 智宣 NAKAMURA Tomonori; JP
대리인:
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
黒木 義樹 KUROKI Yoshiki; JP
小松 秀輝 KOMATSU Hideki; JP
우선권 정보:
2017-06759730.03.2017JP
발명의 명칭: (EN) BONDING APPARATUS AND BONDING METHOD
(FR) APPAREIL DE LIAISON ET PROCÉDÉ DE LIAISON
(JA) ボンディング装置及びボンディング方法
요약서:
(EN) A bonding apparatus 1 which bonds a semiconductor die 102 to a substrate 101 by thermocompression, with an adhesive material 103 being interposed therebetween. This bonding apparatus 1 is provided with: a bonding tool 12 which has a bonding surface 24 that holds the semiconductor die 102, with a first portion R1 of a tape 200 being interposed therebetween, and a pair of first tape constraining surfaces 26A, 26B that are arranged so as to sandwich the bonding surface 24 and constrain a second portion R2 of the tape 200; tape constraining mechanisms 21A, 21B which have a second tape constraining surface 37 that presses the tape 200 against the first tape constraining surfaces 26A, 26B; and a control unit 8 which controls the movements of the bonding tool 12 and the tape constraining mechanisms 21A, 21B.
(FR) L'invention concerne un appareil de liaison 1 qui lie une puce semiconductrice 102 à un substrat 101 par thermocompression, avec un matériau adhésif 103 étant interposé entre ceux-ci. Cet appareil de liaison 1 comprend : un outil de liaison 12 qui a une surface de liaison 24 qui maintient la puce semiconductrice 102, une première partie R1 d'une bande 200 étant interposée entre celles-ci, et une paire de premières surfaces de contrainte de bande 26A, 26B qui sont agencées de façon à prendre en sandwich la surface de liaison 24 et contraignant une seconde partie R2 de la bande 200; des mécanismes de contrainte de bande 21A, 21B qui ont une seconde surface de contrainte de bande 37 qui presse la bande 200 contre les premières surfaces de contrainte de bande 26A, 26B; et une unité de commande 8 qui commande les mouvements de l'outil de liaison 12 et des mécanismes de contrainte de bande 21A, 21B.
(JA) 半導体ダイ102を基板101に接着材料103を介して熱圧着するボンディング装置1である。ボンディング装置1は、テープ200の第1部分R1を介して半導体ダイ102を保持するボンディング面24と、ボンディング面24挟むように配置され、テープ200の第2部分R2を拘束する一対の第1テープ拘束面26A,26Bと、を有するボンディングツール12と、テープ200を第1テープ拘束面26A,26Bに押圧する第2テープ拘束面37を有するテープ拘束機構21A,21Bと、ボンディングツール12及びテープ拘束機構21A,21Bの動作を制御する制御部8と、を備える。
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유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
아프리카 지식재산권기구(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)