이 애플리케이션의 일부 콘텐츠는 현재 사용할 수 없습니다.
이 상황이 계속되면 다음 주소로 문의하십시오피드백 및 연락
1. (WO2018180340) PIEZOELECTRIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING PIEZOELECTRIC DEVICE
국제사무국에 기록된 최신 서지정보정보 제출

공개번호: WO/2018/180340 국제출원번호: PCT/JP2018/009015
공개일: 04.10.2018 국제출원일: 08.03.2018
IPC:
H01L 41/319 (2013.01) ,H01L 41/047 (2006.01) ,H01L 41/113 (2006.01) ,H01L 41/187 (2006.01) ,H01L 41/316 (2013.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
41
압전(Piezoelectric) 장치 일반; 전왜(Electrostrictive) 장치 일반; 자왜(Magnetostrictive) 장치 일반; 그러한 소자 또는 그 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치; 그들 소자의 세부
22
압전 또는 전왜 장치 또는 그 부품의 조립, 제조 또는 처리, 에 특별히 적용되는 방법 또는 장치
31
압전 또는 전왜부 또는 전기적 요소 또는 그 외 기부상의 전왜체에 적용하는 것
314
침적 압전 또는 전왜층 , 예. 연무제(aerosol) 또는 스크린인쇄(screen printing)
319
중간층을 사용하는 것, 예. 성장 제어를 위한 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
41
압전(Piezoelectric) 장치 일반; 전왜(Electrostrictive) 장치 일반; 자왜(Magnetostrictive) 장치 일반; 그러한 소자 또는 그 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치; 그들 소자의 세부
02
세부
04
압전 또는 전왜소자의 것
047
전극
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
41
압전(Piezoelectric) 장치 일반; 전왜(Electrostrictive) 장치 일반; 자왜(Magnetostrictive) 장치 일반; 그러한 소자 또는 그 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치; 그들 소자의 세부
08
압전 또는 전왜소자
113
기계적 입력과 전기적 출력인 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
41
압전(Piezoelectric) 장치 일반; 전왜(Electrostrictive) 장치 일반; 자왜(Magnetostrictive) 장치 일반; 그러한 소자 또는 그 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치; 그들 소자의 세부
16
재료의 선택
18
압전 또는 전왜소자용
187
세라믹 조성물
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
41
압전(Piezoelectric) 장치 일반; 전왜(Electrostrictive) 장치 일반; 자왜(Magnetostrictive) 장치 일반; 그러한 소자 또는 그 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치; 그들 소자의 세부
22
압전 또는 전왜 장치 또는 그 부품의 조립, 제조 또는 처리, 에 특별히 적용되는 방법 또는 장치
31
압전 또는 전왜부 또는 전기적 요소 또는 그 외 기부상의 전왜체에 적용하는 것
314
침적 압전 또는 전왜층 , 예. 연무제(aerosol) 또는 스크린인쇄(screen printing)
316
기상 증착(vapour phase)에 의한 것
출원인:
日東電工株式会社 NITTO DENKO CORPORATION [JP/JP]; 大阪府茨木市下穂積1丁目1番2号 1-1-2, Shimohozumi, Ibaraki-shi, Osaka 5678680, JP
발명자:
有本 将治 ARIMOTO, Masaharu; JP
待永 広宣 MACHINAGA, Hironobu; JP
▲葛▼田 真郷 KATSUDA, Masato; JP
黒瀬 愛美 KUROSE, Manami; JP
대리인:
伊東 忠重 ITOH, Tadashige; JP
伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko; JP
우선권 정보:
2017-06554729.03.2017JP
발명의 명칭: (EN) PIEZOELECTRIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING PIEZOELECTRIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF PIÉZOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF PIÉZOÉLECTRIQUE
(JA) 圧電デバイス、及び圧電デバイスの製造方法
요약서:
(EN) Provided are: a piezoelectric device which is provided with a flexible plastic layer and has excellent piezoelectric properties, and in which cracking or fracture is suppressed; and a method for manufacturing the same. This piezoelectric device has stacked therein, at least a first electrode, a plastic layer, an orientation control layer, a piezoelectric layer, and a second electrode, wherein the orientation control layer is amorphous, the piezoelectric layer, which has a thickness of 20-250 nm and a wurtzite-type crystal structure, is formed on the orientation control layer, and the orientation control layer and the piezoelectric layer are disposed between the first electrode and the second electrode.
(FR) L'invention concerne : un dispositif piézoélectrique qui comprend une couche de plastique souple et qui présente d'excellentes propriétés piézoélectriques, et dans lequel la fissuration ou la fracture est supprimée; et un procédé de fabrication de celui-ci. A l’intérieur ce dispositif piézoélectrique est empilé, au moins une première électrode, une couche plastique, une couche de commande d'orientation, une couche piézoélectrique et une seconde électrode, la couche de commande d'orientation étant amorphe, la couche piézoélectrique, qui a une épaisseur de 20 à 250 nm et une structure cristalline de type wurtzite, est formée sur la couche de commande d'orientation, et la couche de commande d'orientation et la couche piézoélectrique sont disposées entre la première électrode et la seconde électrode.
(JA) 屈曲性を有するプラスチック層を有し、かつ、良好な圧電特性を備え、クラックまたは割れが抑制された、圧電デバイスとその製造方法を提供する。少なくとも、第1電極、プラスチック層、配向制御層、圧電体層、及び第2電極が積層された圧電デバイスにおいて、前記配向制御層は非晶質であり、前記配向制御層の上に、ウルツ鉱型の結晶構造を有する厚さ20nm~250nmの圧電体層が形成されており、前記配向制御層と前記圧電体層が、前記第1電極と前記第2電極の間に配置されている。
front page image
지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
아프리카 지식재산권기구(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)