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1. (WO2018179945) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
국제사무국에 기록된 최신 서지정보정보 제출

공개번호: WO/2018/179945 국제출원번호: PCT/JP2018/005064
공개일: 04.10.2018 국제출원일: 14.02.2018
IPC:
H01L 21/304 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
04
적어도 하나의 전위장벽 또는 표면장벽(예. PN접합, 공핍층, 캐리어 밀집층)을 갖는 장치
18
불순물(예, 도우핑 물질)을 포함하고 있거나 포함하지 않는 주기율표 제4족의 원소 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물로 구성된 반도체본체를 갖는 장치
30
21/20~ 21/26에 분류되지 않은 방법이나 장비를 사용한 반도체본체의 처리
302
반도체표면의 물리적 성질 또는 그 형상의 변환, 예. 에칭(etching), 경면연마(polishing), 절단(cutting)
304
기계적 처리. 예, 연마, 경면연마, 절단(cutting)
출원인:
株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神北町1番地の1 Tenjinkita-machi 1-1, Teranouchi-agaru 4-chome, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6028585, JP
발명자:
上田 大 UEDA, Dai; JP
長谷川 愛子 HASEGAWA, Aiko; JP
대리인:
振角 正一 FURIKADO, Shoichi; JP
大西 一正 OHNISHI, Kazumasa; JP
우선권 정보:
2017-06091227.03.2017JP
발명의 명칭: (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置および基板処理方法
요약서:
(EN) Provided is a substrate processing technique including a process of forming a liquid film on an upper surface of a substrate and solidifying the liquid film, the technique allowing for satisfactory solidification of the liquid film to a peripheral portion of the substrate in a short time. A substrate processing device 1 is provided with: a substrate holding portion 11 which holds the peripheral portion of a substrate W and rotates the substrate about a rotating axis in parallel with the vertical direction while supporting the substrate W in a horizontal attitude; a processing liquid supply portion 84 which supplies a processing liquid onto an upper surface of the substrate W to form a liquid film of the processing liquid; and a refrigerant supply portion 86 which supplies, from under the substrate W onto a lower surface of the substrate W, a refrigerant which is a fluid having a lower temperature than the solidification point of the processing liquid to solidify the liquid film. After the supply of a predetermined flow volume of the refrigerant toward the center of rotation on the lower surface of the substrate W is started by the refrigerant supply portion 86, the flow velocity and/or supply amount of the refrigerant supplied to the peripheral portion on the lower surface of the substrate W is increased over time.
(FR) L'invention concerne une technique de traitement de substrat comprenant un processus de formation d'un film liquide sur une surface supérieure d'un substrat et de solidification du film liquide, la technique permettant une solidification satisfaisante du film liquide sur une partie périphérique du substrat en un temps court. Un dispositif de traitement de substrat (1) comporte : une partie de maintien de substrat (11) qui maintient la partie périphérique d'un substrat (W) et fait tourner le substrat autour d'un axe de rotation en parallèle avec la direction verticale tout en maintenant le substrat (W) dans une position horizontale; une partie d'alimentation en liquide de traitement (84) qui fournit un liquide de traitement sur une surface supérieure du substrat (W) afin de former un film liquide du liquide de traitement; et une partie d'alimentation en fluide frigorigène (86) qui fournit, depuis le dessous du substrat (W) jusqu'à une surface inférieure du substrat (W), un fluide frigorigène qui est un fluide ayant une température inférieure à celle du point de solidification du liquide de traitement afin de solidifier le film liquide. Après que la fourniture d'un volume d'écoulement prédéterminé du fluide frigorigène vers le centre de rotation sur la surface inférieure du substrat (W) est démarrée par la partie d'alimentation en fluide frigorigène (86), la vitesse d'écoulement et/ou la quantité d'alimentation en fluide frigorigène fourni à la partie périphérique sur la surface inférieure du substrat (W) est augmentée dans le temps.
(JA) 基板の上面に液膜を形成してこれを凝固させるプロセスを含む基板処理技術において、短時間で基板の周縁部まで液膜を良好に凝固させる技術を提供する。基板処理装置1は、基板Wの周縁部を保持して基板Wを水平姿勢に支持しながら、基板を鉛直方向に平行な回転軸周りに回転させる基板保持部11と、基板Wの上面に処理液を供給して処理液の液膜を形成させる処理液供給部84と、基板Wの下方から基板Wの下面に処理液の凝固点よりも低温の流体である冷媒を供給して液膜を凝固させる冷媒供給部86とを備え、冷媒供給部86が基板Wの下面の回転中心に向けて所定流量の冷媒を供給開始した後、基板Wの下面の周縁部に供給される冷媒の流速および供給量の少なくとも一方を経時的に増加させる。
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아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
아프리카 지식재산권기구(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)