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1. (WO2018179704) PATTERN FORMING METHOD
국제사무국에 기록된 최신 서지정보정보 제출

공개번호: WO/2018/179704 국제출원번호: PCT/JP2018/001666
공개일: 04.10.2018 국제출원일: 19.01.2018
IPC:
G03F 7/11 (2006.01) ,G03F 7/038 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G SECTION G — 물리학
03
전자사진; 광파 이외의 파를 사용하는 유사기술; 영화; 사진; 홀로그래피(Holography)
F
사진제판법에 의한 요철화 또는 패턴화 표면의 제조, 예. 인쇄용, 반도체장치의 제조법용; 그것을 위한 재료; 그것을 위한 원료; 그것을 위한 특별히 적합한 장치
7
사진제판법, 예 사진석판법에 의한 요철화 또는 패턴화된 표면의 제조, 예. 인쇄표면의 제조 그것을 위한 재료, 예. 포토레지스트로 된 것 그것을 위하여 특히 적합한 장치
004
감광재료
09
구조적 세부, 예 지지체, 보조층에 특징이 있는 것
11
피복체 또는 중간체, 예 하인(subbing)층을 갖는 것
G SECTION G — 물리학
03
전자사진; 광파 이외의 파를 사용하는 유사기술; 영화; 사진; 홀로그래피(Holography)
F
사진제판법에 의한 요철화 또는 패턴화 표면의 제조, 예. 인쇄용, 반도체장치의 제조법용; 그것을 위한 재료; 그것을 위한 원료; 그것을 위한 특별히 적합한 장치
7
사진제판법, 예 사진석판법에 의한 요철화 또는 패턴화된 표면의 제조, 예. 인쇄표면의 제조 그것을 위한 재료, 예. 포토레지스트로 된 것 그것을 위하여 특히 적합한 장치
004
감광재료
038
불용성 또는 특이적으로 친수성으로 된 고분자화합물
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
027
후속 포토리소그래픽(photolithographic) 공정을 위한 반도체본체상의 마스크 제조, 그룹 21/18 또는 21/34에 분류된 것은 제외
출원인:
JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区東新橋一丁目9番2号 9-2, Higashi-Shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058640, JP
발명자:
峯岸 信也 MINEGISHI Shinya; JP
中川 恭志 NAKAGAWA Hisashi; JP
瀬古 智昭 SEKO Tomoaki; JP
中津 大貴 NAKATSU Hiroki; JP
대리인:
天野 一規 AMANO Kazunori; JP
우선권 정보:
2017-06193527.03.2017JP
발명의 명칭: (EN) PATTERN FORMING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF
(JA) パターン形成方法
요약서:
(EN) This pattern forming method comprises: a step for applying a composition for underlayer film formation to a substrate; a step for applying a radiation sensitive composition for resist film formation directly or indirectly to an underlayer film which is formed by the step for applying a composition for underlayer film formation; a step for exposing a resist film to light, said resist film being formed by the step for applying a radiation sensitive composition for resist film formation; and a step for developing the resist film which has been exposed to light. The composition for underlayer film formation contains at least one of: a first component which produces a component having an acid group that is a sulfo group, a carboxy group, a phosphono group, a phosphoric acid group, a sulfuric acid group, a sulfone amide group, a sulfonyl imide group, a -CRF1RF2OH group or a combination of these groups by the action of heat; and a second component which is other than the first component and has one of the acid groups described above. The radiation sensitive composition for resist film formation contains 50% by mass or more of a metal-containing compound in terms of solid content.
(FR) La présente invention concerne un procédé de formation de motif comprenant: une étape consistant à appliquer une composition pour former un film de sous-couche sur un substrat; une étape consistant à appliquer une composition sensible aux rayonnements pour former un film de réserve directement ou indirectement sur un film de sous-couche qui est formé par l'étape consistant à appliquer une composition pour former un film de sous-couche; une étape consistant à exposer un film de réserve à une lumière, ledit film de réserve étant formé par l'étape consistant à appliquer une composition sensible aux rayonnements pour former un film de réserve; et une étape consistant à développer le film de réserve qui a été exposé à la lumière. La composition permettant de former un film de sous-couche contient au moins l'un des éléments suivants: un premier composant qui produit un composant contenant un groupe acide, tel qu'un groupe sulfo, un groupe carboxy, un groupe phosphono, un groupe acide phosphorique, un groupe acide sulfurique, un groupe sulfonamide, un groupe sulfonimide, un groupe -CRF1RF2OH ou une combinaison de ces groupes, sous l'effet de la chaleur; et un second composant qui est différent du premier composant et qui contient l'un des groupes acides décrits ci-dessus. La composition sensible aux rayonnements pour former un film de réserve contient au moins 50% en masse d'un composé contenant du métal en termes de teneur en solide.
(JA) 本発明のパターン形成方法は、基板に下層膜形成用組成物を塗工する工程と、上記下層膜形成用組成物塗工工程により形成された下層膜上に直接又は間接にレジスト膜形成用感放射線性組成物を塗工する工程と、上記レジスト膜形成用感放射線性組成物塗工工程により形成されたレジスト膜を露光する工程と、上記露光されたレジスト膜を現像する工程とを備え、上記下層膜形成用組成物が、スルホ基、カルボキシ基、ホスホノ基、リン酸基、硫酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、-CRF1F2OH又はこれらの組み合わせである酸基を有する成分を熱の作用により発生する第1成分と、上記第1成分以外の成分であって上記酸基を有する第2成分とのうち少なくとも1種を含有し、上記レジスト膜形成用感放射線性組成物が、金属含有化合物を固形分換算で50質量%以上含有する。
지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
아프리카 지식재산권기구(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)