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1. (WO2018179379) REFLECTION SUPPRESSING DEVICE
국제사무국에 기록된 최신 서지정보

공개번호: WO/2018/179379 국제출원번호: PCT/JP2017/013725
공개일: 04.10.2018 국제출원일: 31.03.2017
IPC:
G01V 3/12 (2006.01)
G SECTION G — 물리학
01
측정; 시험
V
지구물리; 중력측정; 질량 또는 대상물의 검출; 태그스(TAGS)
3
전기적 또는 자기적 탐광 또는 검출; 지구 자장 특성의 측정, 예. 편각 또는 편차의 측정
12
전자파로 작동하는 것
출원인:
日本電気株式会社 NEC CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝五丁目7番1号 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001, JP
발명자:
田能村 昌宏 TANOMURA, Masahiro; JP
대리인:
特許業務法人ブライタス BRIGHTAS IP ATTORNEYS; 大阪府大阪市北区曽根崎2丁目5番10号 2-5-10, Sonezaki, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300057, JP
우선권 정보:
발명의 명칭: (EN) REFLECTION SUPPRESSING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE SUPPRESSION DE RÉFLEXION
(JA) 反射抑制装置
요약서:
(EN) A reflection suppressing device 100 is a device for suppressing reflection of electromagnetic waves between two media. The reflection suppressing device 100 is provided with: a first dielectric layer 10; a second dielectric layer 20; and an intermediate dielectric layer 30 positioned between the first dielectric layer 10 and the second dielectric layer 20. Each of the first dielectric layer 10 and the second dielectric layer 20 has a metal layer 11 or 21, and the intermediate dielectric layer 30 is formed such that the specific dielectric constant thereof is higher than the specific dielectric constant of the first dielectric layer 10 and/or the specific dielectric constant of the second dielectric layer 20.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de suppression de réflexion (100) qui est un dispositif permettant de supprimer la réflexion d'ondes électromagnétiques entre deux milieux. Le dispositif de suppression de réflexion (100) comprend : une première couche diélectrique (10) ; une seconde couche diélectrique (20) ; et une couche diélectrique intermédiaire (30) positionnée entre la première couche diélectrique (10) et la seconde couche diélectrique (20). Chaque couche parmi la première couche diélectrique (10) et la seconde couche diélectrique (20) comporte une couche métallique (11) ou (21), et la couche diélectrique intermédiaire (30) est formée de sorte que sa constante diélectrique spécifique est supérieure à la constante diélectrique spécifique de la première couche diélectrique (10) et/ou à la constante diélectrique spécifique de la seconde couche diélectrique (20).
(JA) 反射抑制装置100は、2つの媒質間での電磁波の反射を抑制するための装置である。反射抑制装置100は、第1の誘電体層10と、第2の誘電体層20と、第1の誘電体層10及び第2の誘電体層20の間に位置する中間誘電体層30とを備える。第1の誘電体層10及び第2の誘電体層20は、それぞれ金属層11または21を有し、中間誘電体層30は、その比誘電率が、第1の誘電体層10の比誘電率及び第2の誘電体層20の比誘電率の少なくとも一方よりも大きくなるように、形成されている。
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지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
아프리카 지식재산권기구(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)