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1. (WO2018179121) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
국제사무국에 기록된 최신 서지정보

공개번호: WO/2018/179121 국제출원번호: PCT/JP2017/012839
공개일: 04.10.2018 국제출원일: 29.03.2017
IPC:
H01L 29/786 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
29
정류, 증폭, 발진 또는 스위칭에 특별히 적용되는 반도체 장치이며, 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 것; 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽(예. PN접합 공핍층 또는 캐리어 집중층)을 가지는 캐패시터 또는 저항; 반도체 본체 또는 전극의 세부
66
반도체장치의 형(types)
68
정류, 증폭 또는 스위칭 되는 전류가 흐르지 않는 하나의 전극에 단지 전위를 부여하거나, 단지 전류을 제공하는 것만으로 제어되는 것
76
유니폴라(unipolar) 장치
772
전계 효과 트랜지스터
78
절연된 게이트에 의해 발생되는 전계효과를 갖는 것
786
박막트랜지스터(thin-film transistors)
G SECTION G — 물리학
02
광학
F
광의 강도, 색, 위상, 편광 또는 방향의 제어를 위한 장치 또는 배치, 예. 스위칭, 게이팅, 변조 또는 복조, 의 매체의 광학적성질이 변화에 의하여 광학적 작용이 변화하는 장치 또는 배치; 그와 같은 동작을 위한 기술 또는 처리; 주파수변환; 비선형 광학; 광학적 논리소자; 광학적 아날로그/디지털 변환기
1
독립된 광원으로부터 도달한 광의 강도, 색, 위상, 편광 또는 방향의 제어를 위한 장치 또는 배치, 예. 스위칭, 게이팅 또는 변조 비선형 광학
01
강도, 위상, 편광 또는 색의 제어를 위한 것
13
액정에 기초한 것, 예. 하나의 액정 표시 셀
133
구조배치 ; 액정셀의 작동 ; 회로배치
136
반도체층 또는 기판과 구조적으로 결합된 액정셀, 예. 집적회로의 일부를 구성하는 셀
1362
능동매트릭스 어드레스 셀(active matrix addressed cells)
1368
스위칭 소자가 3단자 장치인 것
출원인:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
발명자:
岡部 達 OKABE, Tohru; --
田中 哲憲 TANAKA, Tetsunori; --
家根田 剛士 YANEDA, Takeshi; --
대리인:
特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; 大阪府大阪市北区天神橋2丁目北2番6号 大和南森町ビル Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041, JP
우선권 정보:
발명의 명칭: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置および半導体装置の製造方法
요약서:
(EN) A semiconductor device (10) provided to a pixel circuit of a display apparatus (1) includes, sequentially from the lower side: a substrate (11); a LTPS layer (135SLA); a first gate insulating layer (14); a first metal layer (145GA, 145GB); a first planarization layer (15); a second insulating layer (16); an oxide semiconductor layer (165SLB); a second metal layer (165SB, 165DB), a passivation layer (17); and a third metal layer (165CA). A gate electrode (145GA) of a LTPS-TFT (10A) and a gate electrode (145GB) of an oxide semiconductor TFT (10B) are formed by the first metal layer.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur (10) disposé sur un circuit de pixel d'un appareil d'affichage (1) comprenant, de manière séquentielle à partir du côté inférieur : un substrat (11); une couche LTPS (135SLA); une première couche d'isolation de grille (14); une première couche métallique (145GA, 145GB); une première couche de planarisation (15); une seconde couche d'isolation (16); une couche semi-conductrice d'oxyde (165SLB); une seconde couche métallique (165SB, 165DB), une couche de passivation (17); et une troisième couche métallique (165CA). Une électrode de grille (145GA) d'un LTPS-TFT (10A) et une électrode de grille (145GB) d'un TFT à semi-conducteur à oxyde (10B) sont formées par la première couche métallique.
(JA) 表示装置(1)の画素回路に設けられる半導体装置(10)は、下側から順に、基板(11)と、LTPS層(135SLA)と、第1ゲート絶縁層(14)と、第1金属層(145GA・145GB)と、第1平坦化層(15)と、第2ゲート絶縁層(16)と、酸化物半導体層(165SLB)半導体層と、第2金属層(165SB・165DB)と、パッシベーション層(17)と、第3金属層(165CA)と、を含む。LTPS-TFT(10A)のゲート電極(145GA)と酸化物半導体TFT(10B)のゲート電極(145GB)とは、第1金属層により形成される。
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유라시아 특허청(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
아프리카 지식재산권기구(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)