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1. (WO2018163632) PHYSICAL QUANTITY MEASUREMENT DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND PHYSICAL QUANTITY MEASUREMENT ELEMENT
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2018/163632 국제출원번호: PCT/JP2018/002075
공개일: 13.09.2018 국제출원일: 24.01.2018
IPC:
G01L 9/00 (2006.01) ,C03C 8/18 (2006.01)
G SECTION G — 물리학
01
측정; 시험
L
힘, 토오크, 일, 기계적 동력, 기계적 효율 또는 유체압력의 측정
9
전기적, 자기적 감응소자에 의한 유체 또는 유동성 고체의 정상압 또는 준정상압의 측정; 유체 또는 유동성 고체의 정상압 또는 준정상압의 측정에 사용되는 기계적 감압요소의 변위에 의한 전달 또는 지시
C SECTION C — 화학; 야금
03
유리; 광물 또는 슬래그울(Slag Wool)
C
유리, 유약(glazes) 또는 유리질법랑(Vitreous enamels) 의 화학적 조성; 유리의 표면처리; 유리, 광물 또는 슬래 그로부터의 섬유 또는 필라멘트의 표면처리; 유리와 유리 또는 타물질과의 접착
8
에나멜 유약 비프리트첨가물을 갖는 프리트조성물로서의 용융밀봉제조성물(fusion seal compositions)
14
비프리트첨가물을 갖는 유니프리트 혼합물, 예. 유백제(opacifiers), 착색제, 밀(mill) 첨가물
18
유리 금속(free metal)을 갖는 것
출원인:
日立オートモティブシステムズ株式会社 HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS, LTD. [JP/JP]; 茨城県ひたちなか市高場2520番地 2520, Takaba, Hitachinaka-shi, Ibaraki 3128503, JP
발명자:
青柳 拓也 AOYAGI Takuya; JP
伊集院 瑞紀 IJUIN Mizuki; JP
寺田 大介 TERADA Daisuke; JP
小貫 洋 ONUKI Hiroshi; JP
小松 成亘 KOMATSU Shigenobu; JP
内藤 孝 NAITOU Takashi; JP
三宅 竜也 MIYAKE Tatsuya; JP
대리인:
戸田 裕二 TODA Yuji; JP
우선권 정보:
2017-04560510.03.2017JP
발명의 명칭: (EN) PHYSICAL QUANTITY MEASUREMENT DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND PHYSICAL QUANTITY MEASUREMENT ELEMENT
(FR) DISPOSITIF DE MESURE DE GRANDEUR PHYSIQUE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET ÉLÉMENT DE MESURE DE GRANDEUR PHYSIQUE
(JA) 物理量測定装置およびその製造方法ならびに物理量測定素子
요약서:
(EN) The purpose of the present invention is to provide a highly reliable physical quantity measurement device whereby thermal stress during joining can be relaxed and creep or sensor output drift can be suppressed. In order to achieve this purpose, the physical quantity measurement device pertaining to the present invention has a semiconductor element and a base connected to the semiconductor element via a plurality of layers, the physical quantity measurement device characterized in that at least one each of a stress relaxation layer having a metal as the main component thereof and a glass layer having glass as the main component thereof among the plurality of layers are formed, a low-melting glass is included in at least one or the other of the stress relaxation layer or the glass layer, and the softening point of the low-melting glass is equal to or lower than the heat resisting temperature of the semiconductor element.
(FR) La présente invention a pour objet de fournir un dispositif de mesure de grandeur physique très fiable grâce auquel la contrainte thermique pendant l'assemblage peut être relâchée et le fluage ou la dérive de sortie de capteur peut être supprimé(e). Afin d'atteindre cet objectif, le dispositif de mesure de grandeur physique de la présente invention comprend un élément semi-conducteur et une base connectée à l'élément semi-conducteur par l'intermédiaire d'une pluralité de couches, le dispositif de mesure de grandeur physique étant caractérisé en ce qu'au moins une couche de relâchement de contrainte comportant un métal en tant que constituant principal et une couche de verre comportant du verre en tant que constituant principal parmi la pluralité de couches sont formées, un verre à bas point de fusion est inclus dans au moins l'une ou l'autre de la couche de relaxation de contrainte ou de la couche de verre, et le point de ramollissement du verre à bas point de fusion est inférieur ou égal à la température de résistance à la chaleur de l'élément semi-conducteur.
(JA) 接合時の熱応力を緩和し、且つクリープやセンサ出力のドリフトを抑制できる信頼性の高い物理量測定装置を提供することを目的とする。 上記課題を解決するために、本発明に関わる物理量測定装置は、半導体素子と、前記半導体素子と複数の層を介して接続される基台と、を有する物理量測定装置において、前記複数の層の中に、少なくとも金属が主成分となる応力緩和層と、ガラスが主成分であるガラス層がそれぞれ1層以上形成されており、前記応力緩和層もしくは前記ガラス層の中のうち、少なくともどちらか一方には低融点ガラスが含まれ、前記低融点ガラスの軟化点は、前記半導体素子の耐熱温度以下であることを特徴とする。
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공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)