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1. (WO2018163396) SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2018/163396 국제출원번호: PCT/JP2017/009661
공개일: 13.09.2018 국제출원일: 10.03.2017
IPC:
H01L 21/306 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 21/66 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
04
적어도 하나의 전위장벽 또는 표면장벽(예. PN접합, 공핍층, 캐리어 밀집층)을 갖는 장치
18
불순물(예, 도우핑 물질)을 포함하고 있거나 포함하지 않는 주기율표 제4족의 원소 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물로 구성된 반도체본체를 갖는 장치
30
21/20~ 21/26에 분류되지 않은 방법이나 장비를 사용한 반도체본체의 처리
302
반도체표면의 물리적 성질 또는 그 형상의 변환, 예. 에칭(etching), 경면연마(polishing), 절단(cutting)
306
화학적 또는 전기적 처리. 예. 전해에칭
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
04
적어도 하나의 전위장벽 또는 표면장벽(예. PN접합, 공핍층, 캐리어 밀집층)을 갖는 장치
18
불순물(예, 도우핑 물질)을 포함하고 있거나 포함하지 않는 주기율표 제4족의 원소 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물로 구성된 반도체본체를 갖는 장치
30
21/20~ 21/26에 분류되지 않은 방법이나 장비를 사용한 반도체본체의 처리
302
반도체표면의 물리적 성질 또는 그 형상의 변환, 예. 에칭(etching), 경면연마(polishing), 절단(cutting)
306
화학적 또는 전기적 처리. 예. 전해에칭
3065
플라스마(plasma) 에칭; 반응성 이온 에칭
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
66
제조 또는 처리중의 시험이나 측정
출원인:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
발명자:
田中 博司 TANAKA Hiroshi; JP
대리인:
吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi; JP
有田 貴弘 ARITA Takahiro; JP
우선권 정보:
발명의 명칭: (EN) SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体製造装置および半導体製造方法
요약서:
(EN) A rotational mechanism unit (20) rotates a wafer (10) including an area to be etched that is to be at least partly etched. An etching mechanism unit (30) etches the area to be etched. A thickness measuring function (40) generates chronological thickness data by measuring the thickness of the area to be etched. An etching control function (50) causes the etching mechanism unit (30) to be stopped at a point in time at which a thickness representative value (7a) of the area to be etched has reached a target thickness value. A thickness calculation function (60), in each unit period in which the wafer (10) is rotated N times, N being a natural number, calculates the thickness representative value (7a) on the basis of a measured value (7) in the chronological thickness data in a measurement interval which is the range measured during the unit period.
(FR) L'invention concerne une unité de mécanisme de rotation (20) qui fait tourner une tranche (10) comprenant une zone à graver qui doit être au moins partiellement gravée. Une unité de mécanisme de gravure (30) grave la zone à graver. Une fonction de mesure d'épaisseur (40) génère des données d'épaisseur chronologiques en mesurant l'épaisseur de la zone à graver. Une fonction de commande de gravure (50) amène l'unité de mécanisme de gravure (30) à être arrêtée à un moment donné auquel une valeur représentative d'épaisseur (7a) de la zone à graver a atteint une valeur d'épaisseur cible. Une fonction de calcul d'épaisseur (60), dans chaque période unitaire durant laquelle la tranche (10) est tournée N fois, N étant un entier naturel, calcule la valeur représentative d'épaisseur (7a) sur la base d'une valeur mesurée (7) dans les données d'épaisseur chronologiques dans un intervalle de mesure qui représente la plage mesurée pendant la période unitaire.
(JA) 回転機構部(20)は、少なくとも一部がエッチングされることになる被エッチング領域を含むウエハ(10)を回転させる。エッチング機構部(30)は、被エッチング領域をエッチングする。厚み測定機能(40)は、被エッチング領域の厚みを測定することによって経時的厚みデータを生成する。エッチング制御機能(50)は、被エッチング領域の厚みの代表値(7a)が目標厚み値に到達した時点でエッチング機構部(30)を停止させる。厚み算出機能(60)は、Nを自然数としてウエハ(10)がN回転させられる単位期間ごとに、経時的厚みデータのうち単位期間中に測定される範囲である測定区間の測定値(7)に基づいて厚みの代表値(7a)を算出する。
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유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)