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1. (WO2018159389) TFT SUBSTRATE, SCANNING ANTENNA PROVIDED WITH TFT SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING TFT SUBSTRATE
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2018/159389 국제출원번호: PCT/JP2018/006013
공개일: 07.09.2018 국제출원일: 20.02.2018
IPC:
H01L 29/786 (2006.01) ,G02F 1/13 (2006.01) ,G02F 1/1343 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01) ,H01Q 3/34 (2006.01) ,H01Q 3/44 (2006.01) ,H01Q 13/22 (2006.01) ,H01Q 21/06 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
29
정류, 증폭, 발진 또는 스위칭에 특별히 적용되는 반도체 장치이며, 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 것; 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽(예. PN접합 공핍층 또는 캐리어 집중층)을 가지는 캐패시터 또는 저항; 반도체 본체 또는 전극의 세부
66
반도체장치의 형(types)
68
정류, 증폭 또는 스위칭 되는 전류가 흐르지 않는 하나의 전극에 단지 전위를 부여하거나, 단지 전류을 제공하는 것만으로 제어되는 것
76
유니폴라(unipolar) 장치
772
전계 효과 트랜지스터
78
절연된 게이트에 의해 발생되는 전계효과를 갖는 것
786
박막트랜지스터(thin-film transistors)
G SECTION G — 물리학
02
광학
F
광의 강도, 색, 위상, 편광 또는 방향의 제어를 위한 장치 또는 배치, 예. 스위칭, 게이팅, 변조 또는 복조, 의 매체의 광학적성질이 변화에 의하여 광학적 작용이 변화하는 장치 또는 배치; 그와 같은 동작을 위한 기술 또는 처리; 주파수변환; 비선형 광학; 광학적 논리소자; 광학적 아날로그/디지털 변환기
1
독립된 광원으로부터 도달한 광의 강도, 색, 위상, 편광 또는 방향의 제어를 위한 장치 또는 배치, 예. 스위칭, 게이팅 또는 변조 비선형 광학
01
강도, 위상, 편광 또는 색의 제어를 위한 것
13
액정에 기초한 것, 예. 하나의 액정 표시 셀
G SECTION G — 물리학
02
광학
F
광의 강도, 색, 위상, 편광 또는 방향의 제어를 위한 장치 또는 배치, 예. 스위칭, 게이팅, 변조 또는 복조, 의 매체의 광학적성질이 변화에 의하여 광학적 작용이 변화하는 장치 또는 배치; 그와 같은 동작을 위한 기술 또는 처리; 주파수변환; 비선형 광학; 광학적 논리소자; 광학적 아날로그/디지털 변환기
1
독립된 광원으로부터 도달한 광의 강도, 색, 위상, 편광 또는 방향의 제어를 위한 장치 또는 배치, 예. 스위칭, 게이팅 또는 변조 비선형 광학
01
강도, 위상, 편광 또는 색의 제어를 위한 것
13
액정에 기초한 것, 예. 하나의 액정 표시 셀
133
구조배치 ; 액정셀의 작동 ; 회로배치
1333
구조배치
1343
전극
G SECTION G — 물리학
02
광학
F
광의 강도, 색, 위상, 편광 또는 방향의 제어를 위한 장치 또는 배치, 예. 스위칭, 게이팅, 변조 또는 복조, 의 매체의 광학적성질이 변화에 의하여 광학적 작용이 변화하는 장치 또는 배치; 그와 같은 동작을 위한 기술 또는 처리; 주파수변환; 비선형 광학; 광학적 논리소자; 광학적 아날로그/디지털 변환기
1
독립된 광원으로부터 도달한 광의 강도, 색, 위상, 편광 또는 방향의 제어를 위한 장치 또는 배치, 예. 스위칭, 게이팅 또는 변조 비선형 광학
01
강도, 위상, 편광 또는 색의 제어를 위한 것
13
액정에 기초한 것, 예. 하나의 액정 표시 셀
133
구조배치 ; 액정셀의 작동 ; 회로배치
136
반도체층 또는 기판과 구조적으로 결합된 액정셀, 예. 집적회로의 일부를 구성하는 셀
1362
능동매트릭스 어드레스 셀(active matrix addressed cells)
1368
스위칭 소자가 3단자 장치인 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
Q
공중선
3
공중선 또는 공중선계로부터 방사되는 전파의 지향특성의 방향 또는 형을 바꾸기 위한 구성
26
2개이상의 복사소자의 여진 전력의 상대적인 위상 또는 진폭을 바꾸는 것; 방사개구에 가하는 에너지 분포를 바꾸는 것
30
위상을 바꾸는 것
34
전기적인 수단에 의한 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
Q
공중선
3
공중선 또는 공중선계로부터 방사되는 전파의 지향특성의 방향 또는 형을 바꾸기 위한 구성
44
복사기와 조합된 반사, 굴절 또는 회절하기 위한 장치의 전기적 또는 자기적인특성을 바꾸는 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
Q
공중선
13
도파관혼(horn) 또는 개구; 슬롯 공중선; 누설도파 공중선; 전송로에 따라서 방사를 일으키는 등기구성
20
비공진누설파관 또는 전송선공중선; 전송로에 따라서 방사를 일으키는 등가구성
22
도파관이나 전송선로의 경계벽에 축방향에 설치된 슬롯
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
Q
공중선
21
공중속배열 또는 계
06
동일방향으로 편파된 간격을 두고 배치된 개개로 여진된 공중선단위의 배열
출원인:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
발명자:
美崎 克紀 MISAKI Katsunori; --
대리인:
奥田 誠司 OKUDA Seiji; JP
우선권 정보:
2017-03714028.02.2017JP
발명의 명칭: (EN) TFT SUBSTRATE, SCANNING ANTENNA PROVIDED WITH TFT SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING TFT SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT TFT, ANTENNE À BALAYAGE COMPRENANT UN SUBSTRAT TFT, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT TFT
(JA) TFT基板、TFT基板を備えた走査アンテナ、およびTFT基板の製造方法
요약서:
(EN) A TFT substrate (106) is provided with: a transmission/reception region (R1) that includes a plurality of antenna unit regions (U); and a non-transmission/reception region (R2) that is positioned in a region other than the transmission/reception region. Each of the antenna unit regions has a TFT (10), and a patch electrode (15) that is electrically connected to a drain electrode (7D) of the TFT. The TFT substrate has a gate metal layer (3) that includes a gate electrode (3G) of the TFT, a gate insulating layer (4), a source metal layer (7) that includes a drain electrode and a source electrode (7S) of the TFT, a first insulating layer (11), a patch metal layer (15l) that includes a patch electrode, a second insulating layer (17), and an upper conductive layer (19). The upper conductive layer includes a patch drain connection part (19a) that is electrically connected to the patch electrode and the drain electrode.
(FR) La présente invention concerne un substrat TFT (106) comprenant : une région d'émission/réception (R1) incluant la pluralité de régions d'unité d'antenne (U) ; et une région de non-émission/réception (R2) positionnée dans une région autre que la région d'émission/réception. Chaque zone de la pluralité de zones d'unité d'antenne comprend un transistor en couches minces (TFT) (10) et une électrode adhésive (15) connectée électriquement à une électrode de drain (7D) du TFT. Le substrat TFT a une couche de métal de grille (3) qui comprend une électrode de grille (3G) du TFT, une couche d'isolation de grille (4), une couche de métal de source (7) qui comprend une électrode de drain et une électrode de source (7S) du TFT, une première couche d'isolation (11), une couche métallique adhésive (15l) qui comprend une électrode de plaque, une seconde couche d'isolation (17), et une couche conductrice supérieure (19). La couche conductrice supérieure comprend une partie de connexion de drain adhésive (19a) qui est électriquement connectée à l'électrode de plaque et à l'électrode de drain.
(JA) TFT基板(106)は、複数のアンテナ単位領域(U)を含む送受信領域(R1)と、送受信領域以外の領域に位置する非送受信領域(R2)とを備える。複数のアンテナ単位領域のそれぞれは、TFT(10)と、TFTのドレイン電極(7D)に電気的に接続されたパッチ電極(15)とを有する。TFT基板は、TFTのゲート電極(3G)を含むゲートメタル層(3)と、ゲート絶縁層(4)と、TFTのソース電極(7S)およびドレイン電極を含むソースメタル層(7)と、第1絶縁層(11)と、パッチ電極を含むパッチメタル層(15l)と、第2絶縁層(17)と、上部導電層(19)とを有し、上部導電層は、パッチ電極およびドレイン電極と電気的に接続されたパッチドレイン接続部(19a)を含む。
front page image
지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)