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1. (WO2018157319) TUNNEL FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2018/157319 국제출원번호: PCT/CN2017/075275
공개일: 07.09.2018 국제출원일: 28.02.2017
IPC:
H01L 29/78 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
29
정류, 증폭, 발진 또는 스위칭에 특별히 적용되는 반도체 장치이며, 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 것; 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽(예. PN접합 공핍층 또는 캐리어 집중층)을 가지는 캐패시터 또는 저항; 반도체 본체 또는 전극의 세부
66
반도체장치의 형(types)
68
정류, 증폭 또는 스위칭 되는 전류가 흐르지 않는 하나의 전극에 단지 전위를 부여하거나, 단지 전류을 제공하는 것만으로 제어되는 것
76
유니폴라(unipolar) 장치
772
전계 효과 트랜지스터
78
절연된 게이트에 의해 발생되는 전계효과를 갖는 것
출원인:
华为技术有限公司 HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 龙岗区坂田华为总部办公楼 Huawei Administration Building, Bantian Longgang District Shenzhen, Guangdong 518129, CN
발명자:
徐慧龙 XU, Huilong; CN
李伟 LI, Wei; CN
张臣雄 ZHANG, Chen-Xiong; CN
대리인:
北京同立钧成知识产权代理有限公司 LEADER PATENT & TRADEMARK FIRM; 中国北京市 海淀区西直门北大街32号枫蓝国际A座8F-6 8F-6, Bldg. A, Winland International Center No. 32 Xizhimen North Street, Haidian District Beijing 100082, CN
우선권 정보:
발명의 명칭: (EN) TUNNEL FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À EFFET TUNNEL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 隧穿场效应晶体管及其制造方法
요약서:
(EN) A tunnel field-effect transistor and a manufacturing method therefor. The tunnel field-effect transistor comprises: a substrate layer (21); a conductive layer (22) comprising a first conductive part (221) and a second conductive part (222), the first conductive part (221) and the second conductive part (222) covering a part of the surface of the substrate layer (21), and the thickness of the first conductive part (221) being greater than that of the second conductive part (222); a source electrode (23) covering the outer surface of the first conductive part (221); a drain electrode (24) covering the outer surface of the second conductive part (222) distant from the first conductive part (221); a first insulating layer (25) located on the upper surface of the substrate layer (21) and covering the outer surfaces of the source electrode (23), the conductive layer (22), and the drain electrode (24); a gate (26) which covers the surface of the first insulating layer (25) distant from the conductive layer (22) and is located in a gap between the source electrode (23) and the drain electrode (24); and a second insulating layer (27) which covers the surfaces of the first insulating layer (25) and the gate (26) distant from the first insulating layer (25). The tunnel field-effect transistor can effectively improve the uniformity and reproducibility properties of a device while increasing the on-state current and the on/off ratio of the device.
(FR) La présente invention concerne un transistor à effet de champ à effet tunnel et son procédé de fabrication. Le transistor à effet de champ à effet tunnel comprend : une couche de substrat (21) ; une couche conductrice (22) comprenant une première partie conductrice (221) et une seconde partie conductrice (222), la première partie conductrice (221) et la seconde partie conductrice (222) recouvrant une partie de la surface de la couche de substrat (21), et l'épaisseur de la première partie conductrice (221) étant supérieure à celle de la seconde partie conductrice (222) ; une électrode source (23) recouvrant la surface externe de la première partie conductrice (221) ; une électrode drain (24) recouvrant la surface externe de la seconde partie conductrice (222) à distance de la première partie conductrice (221) ; une première couche isolante (25) située sur la surface supérieure de la couche de substrat (21) et recouvrant les surfaces externes de l'électrode source (23), la couche conductrice (22) et l'électrode drain (24) ; une grille (26) qui recouvre la surface de la première couche isolante (25) à distance de la couche conductrice (22) et située dans un espace entre l'électrode source (23) et l'électrode drain (24) ; et une seconde couche isolante (27) qui recouvre les surfaces de la première couche isolante (25) et de la grille (26) à distance de la première couche isolante (25). Le transistor à effet de champ à effet tunnel peut améliorer efficacement les propriétés d'uniformité et de reproductibilité d'un dispositif tout en augmentant le courant à l'état passant et le rapport marche/arrêt du dispositif.
(ZH) 一种隧穿场效应晶体管及其制造方法,该隧穿场效应晶体管包括:衬底层(21);导电层(22)包括第一导电部(221)和第二导电部(222),第一导电部(221)和第二导电部(222)覆盖在衬底层(21)的部分表面,第一导电部(221)的厚度大于第二导电部(222)的厚度;源区电极(23)覆盖在第一导电部(221)的外表面上;漏区电极(24)覆盖在第二导电部(222)远离第一导电部(221)的外表面上;第一绝缘层(25)位于衬底层(21)的上表面,且覆盖在源区电极(23)、导电层(22)和漏区电极(24)的外表面;栅极(26)覆盖在第一绝缘层(25)远离导电层(22)的表面上,且位于源区电极(23)与漏区电极(24)之间的空隙中;第二绝缘层(27)覆盖在第一绝缘层(25)和栅极(26)远离第一绝缘层(25)的表面上。所述隧穿场效应晶体管在提升器件的开态电流和开关比的同时,能够有效提高器件性能的均一性和可重复性。
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공개언어: 중국어 (ZH)
출원언어: 중국어 (ZH)