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1. (WO2018139282) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC INSTRUMENT
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2018/139282 국제출원번호: PCT/JP2018/001091
공개일: 02.08.2018 국제출원일: 17.01.2018
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,G02B 7/02 (2006.01) ,G03B 17/02 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
27
하나의 공통기판내 또는 기판상에 형성된 복수의 반도체구성부품 또는 기타 고체구성부품으로 구성된 장치
14
적외선, 가시광, 단파장의 전자파 또는 입자선 복사에 감응하는 반도체구성부품으로서 이들의 복사선 에너지를 전기적 에너지로 변환하거나 이들의 복사선에 의해 전기적 에너지를 제어하는 것에 특별히 사용되는 것
144
복사선에 의하여 제어되는 장치
146
고체촬상장치(이미지 센서) 구조
G SECTION G — 물리학
02
광학
B
광학요소, 광학계 또는 광학장치; H01J; X선 광학 H01J; 29/89
7
광학요소용 마운트, 조절수단, 광-밀결합
02
렌즈용
G SECTION G — 물리학
03
전자사진; 광파 이외의 파를 사용하는 유사기술; 영화; 사진; 홀로그래피(Holography)
B
사진을 촬영하기 위하여 또는 사진을 투영하여 직시하기 위한 장치 또는 배치; 광파 이외의 파를 사용하는 유사기술을 사용하는 장치 또는 배치; 그것을 위한 부속물
17
카메라 또는 카레라 본체의 세부; 그 부속품
02
본체
H SECTION H — 전기
04
전기통신기술
N
화상통신, 예. 텔레비젼
5
텔레비젼 시스템의 세부
30
광 또는 아날로그 정보를 전기적 정보로 변환시키는 것
335
고체 이미지 센서 를 사용하는 것
369
SSIS 구조; 그와 관련된 회로
출원인:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
발명자:
宝玉 晋 HOGYOKU Susumu; JP
대리인:
西川 孝 NISHIKAWA Takashi; JP
稲本 義雄 INAMOTO Yoshio; JP
우선권 정보:
2017-01430330.01.2017JP
발명의 명칭: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC INSTRUMENT
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET INSTRUMENT ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体装置、及び、電子機器
요약서:
(EN) The present art pertains to a semiconductor device with which it is possible to provide an optical system that is stable with respect to heat, and an electronic instrument. Provided is a semiconductor device equipped with a sensor and a holding substrate for holding the sensor, the semiconductor device satisfying the relationships (EI × tI) + (ES × tS) > 30 and 1.5 < CTEI < 4.5, where, regarding the sensor, ES(GPa) represents the Young's modulus and tS(mm) represents the thickness, and regarding the holding substrate, CTEI(ppm/K) represents the linear coefficient, EI(GPa) represents the Young's modulus, and tI(mm) represents the thickness. The present art can be applied to, e.g., a semiconductor package housing an image sensor.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur avec lequel il est possible de fournir un système optique qui est stable vis-à-vis de la chaleur, et un instrument électronique. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur équipé d'un capteur et d'un substrat de maintien destiné à maintenir le capteur, le dispositif à semi-conducteur satisfaisant les relations (EI × tI) + (ES × tS) > 30 et 1,5 < CTEI < 4,5, où, en ce qui concerne le capteur, ES (GPa) représente le module d'élasticité de Young et tS (mm) représente l'épaisseur, et en ce qui concerne le substrat de maintien, CTEI (ppm/K) représente le coefficient linéaire, EI (GPa) représente le module d'élasticité de Young, et tI (mm) représente l'épaisseur. La présente invention peut être appliquée, par exemple, à un boîtier de semi-conducteur logeant un capteur d'image.
(JA) 本技術は、熱に対して安定な光学系を提供することができるようにする半導体装置、及び、電子機器に関する。 センサと、当該センサを保持する保持基板とを備え、センサについて、ヤング率をES(GPa),厚みをtS(mm)とし、保持基板について、線膨張係数をCTEI(ppm/K),ヤング率をEI(GPa),厚みをtI(mm)としたとき、(EI × tI)+(ES × tS) > 30、かつ、1.5 < CTEI < 4.5を満たしている半導体装置が提供される。本技術は、例えば、イメージセンサを収納した半導体パッケージに適用することができる。
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공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)