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1. (WO2018130954) SEMICONDUCTOR DEVICE
국제사무국에 기록된 최신 서지정보정보 제출

공개번호: WO/2018/130954 국제출원번호: PCT/IB2018/050160
공개일: 19.07.2018 국제출원일: 11.01.2018
IPC:
G09G 3/36 (2006.01) ,G02F 1/133 (2006.01) ,G09G 3/20 (2006.01) ,G09G 3/30 (2006.01) ,G09G 3/3258 (2016.01) ,G11C 19/28 (2006.01) ,H01L 21/8234 (2006.01) ,H01L 27/088 (2006.01) ,H01L 27/32 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01)
G SECTION G — 물리학
09
교육; 암호방법; 전시; 광고; 봉인
G
정적수단을 사용하여 가변정보를 표시하는 표시장치의 제어를 위한 장치 또는 회로
3
음극선관 이외의 가시적 표시기를 위한 제어장치 또는 회로
20
매트릭스상으로 배치된 개개의 요소의 조합에 의해 그 집합을 구성함으로써 다수의 문자의 집합, 예. 1면을 표시하기 위한 것
34
독립의 광원으로부터 광을 제어하는 것
36
액정을 사용하는 것
G SECTION G — 물리학
02
광학
F
광의 강도, 색, 위상, 편광 또는 방향의 제어를 위한 장치 또는 배치, 예. 스위칭, 게이팅, 변조 또는 복조, 의 매체의 광학적성질이 변화에 의하여 광학적 작용이 변화하는 장치 또는 배치; 그와 같은 동작을 위한 기술 또는 처리; 주파수변환; 비선형 광학; 광학적 논리소자; 광학적 아날로그/디지털 변환기
1
독립된 광원으로부터 도달한 광의 강도, 색, 위상, 편광 또는 방향의 제어를 위한 장치 또는 배치, 예. 스위칭, 게이팅 또는 변조 비선형 광학
01
강도, 위상, 편광 또는 색의 제어를 위한 것
13
액정에 기초한 것, 예. 하나의 액정 표시 셀
133
구조배치 ; 액정셀의 작동 ; 회로배치
G SECTION G — 물리학
09
교육; 암호방법; 전시; 광고; 봉인
G
정적수단을 사용하여 가변정보를 표시하는 표시장치의 제어를 위한 장치 또는 회로
3
음극선관 이외의 가시적 표시기를 위한 제어장치 또는 회로
20
매트릭스상으로 배치된 개개의 요소의 조합에 의해 그 집합을 구성함으로써 다수의 문자의 집합, 예. 1면을 표시하기 위한 것
G SECTION G — 물리학
09
교육; 암호방법; 전시; 광고; 봉인
G
정적수단을 사용하여 가변정보를 표시하는 표시장치의 제어를 위한 장치 또는 회로
3
음극선관 이외의 가시적 표시기를 위한 제어장치 또는 회로
20
매트릭스상으로 배치된 개개의 요소의 조합에 의해 그 집합을 구성함으로써 다수의 문자의 집합, 예. 1면을 표시하기 위한 것
22
제어된 광원을 사용하는 것
30
전기발광패널을 사용한 것
[IPC code unknown for G09G 3/3258]
G SECTION G — 물리학
11
정보저장
C
정적기억
19
정보가 스텝(step) 형식으로 이동하는 디지털 기억장치, 예. 쉬프트 레지스터(shift register)
28
반도체소자를 사용하는 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
70
하나의 공통기판상 또는 기판내에 형성된 복수의 고체구성부품 또는 집적회로로 이루어진 장치 그에 대한 특정부품의 제조 또는 처리; 집적회로장치 또는 그에 대한 특정부품의 제조.
77
하나의 공통기판상 혹은 기판내에 형성된 복수의 고체구성부품 또는 집적회로로 이루어진 장치의 제조 또는 처리
78
상기기판을 복수의 개별장치로 분할
82
복수의 구성부품으로 각각 구성된 장치(예. 집적회로)의 생성
822
기판이 실리콘 기술을 이용한 반도체인 것
8232
전계효과 관련 기술
8234
MIS 관련 기술
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
27
하나의 공통기판내 또는 기판상에 형성된 복수의 반도체구성부품 또는 기타 고체구성부품으로 구성된 장치
02
정류, 발진, 증폭 또는 스위칭에 특별히 적용되는 반도체 구성부품을 포함하고 적어도 하나의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 것; 적어도 하나의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 집적화 된 수동 회로 소자를 포함하는 것
04
기판이 하나의 반도체본체로 되어 있는 것
08
1종류의 반도체구성부품만을 포함하는 것
085
전계효과구성부품만을 포함하는 것
088
구성부품이 절연게이트를 갖는 전계효과 트랜지스터로 되어 있는 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
27
하나의 공통기판내 또는 기판상에 형성된 복수의 반도체구성부품 또는 기타 고체구성부품으로 구성된 장치
28
능동 부분으로서 유기 재료를 이용하거나 능동 부분으로서 유기 재료와 다른 재료와의 조합을 이용하는 구성부품을 포함하는 것
32
광방출에 특별히 적용되는 구성부품을 가지는 것, 예.유기 발광 다이오드를 사용한 플랫 패널 디스플레이
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
29
정류, 증폭, 발진 또는 스위칭에 특별히 적용되는 반도체 장치이며, 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 것; 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽(예. PN접합 공핍층 또는 캐리어 집중층)을 가지는 캐패시터 또는 저항; 반도체 본체 또는 전극의 세부
66
반도체장치의 형(types)
68
정류, 증폭 또는 스위칭 되는 전류가 흐르지 않는 하나의 전극에 단지 전위를 부여하거나, 단지 전류을 제공하는 것만으로 제어되는 것
76
유니폴라(unipolar) 장치
772
전계 효과 트랜지스터
78
절연된 게이트에 의해 발생되는 전계효과를 갖는 것
786
박막트랜지스터(thin-film transistors)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
51
능동 부분으로서 유기 재료를 이용하거나 능동 부분으로서 유기 재료와 다른 재료와의 조합을 이용하는 고체 장치; 그들 장치 또는 그 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치
50
광방출에 특별히 적용되는 것, 예. 유기 발광 다이오드(OLED) 또는 고분자 발광 다이오드 (PLED)
출원인:
株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県厚木市長谷398 398, Hase Atsugi-Shi, Kanagawa 2430036, JP
발명자:
黒川義元 KUROKAWA, Yoshiyuki; JP
우선권 정보:
2017-00487116.01.2017JP
2017-00487216.01.2017JP
발명의 명칭: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
요약서:
(EN) Provided is a novel semiconductor device. The semiconductor device has a function whereby the pixel selection intervals are changed according to the distance from a drive circuit. Specifically, if the distance between a first pixel and the drive circuit is longer than the distance between a second pixel and the drive circuit, the pulse width of the selection signals supplied to the first pixel is set so as to be greater than the pulse width of the selection signals supplied to the second pixel. As a result, it is possible accurately write image signals to pixels provided at positions far from the drive circuit while also maintaining a short selection interval for pixels provided at positions close to the drive circuit.
(FR) L’invention concerne un nouveau dispositif à semi-conducteurs. Une fonction du dispositif à semi-conducteurs permet de changer les intervalles de sélection de pixel en fonction de la distance à un circuit d'attaque. En particulier, si la distance entre un premier pixel et le circuit d'attaque est supérieure à la distance entre un second pixel et le circuit d'attaque, la largeur d'impulsion des signaux de sélection fournis au premier pixel est réglée de manière à être supérieure à la largeur d'impulsion des signaux de sélection fournis au second pixel. Par conséquent, il est possible d'écrire avec précision des signaux d'image sur des pixels disposés à des positions éloignées du circuit d'attaque tout en maintenant un intervalle de sélection court pour des pixels disposés à des positions proches du circuit d'attaque.
(JA) 新規な半導体装置の提供。 半導体装置が、画素の選択期間を、駆動回路からの距離に応じて変化させる機能を有する。具体的には、第1の画素と駆動回路の距離が、第2の画素と駆動回路の距離よりも長い場合に、第1の画素に供給される選択信号のパルス幅が、第2の画素に供給される選択信号のパルス幅よりも大きく設定される。これにより、駆動回路から近い位置に設けられた画素の選択期間を短く維持しつつ、駆動回路から遠い位置に設けられた画素への映像信号の書き込みを正確に行うことができる。
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지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
아프리카 지식재산권기구(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)