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1. (WO2018125246) LARGE SCALE INTEGRATION OF HAPTIC DEVICES
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2018/125246 국제출원번호: PCT/US2016/069633
공개일: 05.07.2018 국제출원일: 31.12.2016
IPC:
H01L 41/09 (2006.01) ,H01L 41/193 (2006.01) ,H01L 41/25 (2013.01) ,H01L 41/27 (2013.01) ,G06F 3/01 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
41
압전(Piezoelectric) 장치 일반; 전왜(Electrostrictive) 장치 일반; 자왜(Magnetostrictive) 장치 일반; 그러한 소자 또는 그 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치; 그들 소자의 세부
08
압전 또는 전왜소자
09
전기적 입력과 기계적 출력인 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
41
압전(Piezoelectric) 장치 일반; 전왜(Electrostrictive) 장치 일반; 자왜(Magnetostrictive) 장치 일반; 그러한 소자 또는 그 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치; 그들 소자의 세부
16
재료의 선택
18
압전 또는 전왜소자용
193
고분자 조성물
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
41
압전(Piezoelectric) 장치 일반; 전왜(Electrostrictive) 장치 일반; 자왜(Magnetostrictive) 장치 일반; 그러한 소자 또는 그 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치; 그들 소자의 세부
22
압전 또는 전왜 장치 또는 그 부품의 조립, 제조 또는 처리, 에 특별히 적용되는 방법 또는 장치
25
압전 또는 전왜 부품을 포함하는 장치 조립에 관한 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
41
압전(Piezoelectric) 장치 일반; 전왜(Electrostrictive) 장치 일반; 자왜(Magnetostrictive) 장치 일반; 그러한 소자 또는 그 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치; 그들 소자의 세부
22
압전 또는 전왜 장치 또는 그 부품의 조립, 제조 또는 처리, 에 특별히 적용되는 방법 또는 장치
27
다층 구조의 압전 또는 전왜 장치 또는 그 부품의 제조에 관한 것, 예.
G SECTION G — 물리학
06
산술논리연산; 계산; 계수
F
전기에 의한 디지털 데이터처리
3
컴퓨터로 처리할 수 있는 형식으로 전송된 데이터를 변환하는 입력기구; 처리장치로부터 출력장치로 데이터를 전송하기 위한 출력기구, 예. 인터페이스 기구
01
사용자와 컴퓨터의 상호작용을 위한 입력장치 또는 입력과 출력이 결합한 장치
출원인:
FACEBOOK TECHNOLOGIES, LLC [US/US]; 1601 Willow Road Menlo Park, CA 94025, US
발명자:
KELLER, Sean Jason; US
TRUTNA, Tristan Thomas; US
대리인:
HULSE, Robert A.; US
AHN, Dohyun; US
BRANNON, Brian, G.; US
BINGHAM, Jonathan, W.; US
ZHANG, Guang; US
우선권 정보:
15/390,88227.12.2016US
발명의 명칭: (EN) LARGE SCALE INTEGRATION OF HAPTIC DEVICES
(FR) INTÉGRATION À GRANDE ÉCHELLE DE DISPOSITIFS HAPTIQUES
요약서:
(EN) A method for large scale integration of haptic devices is described. The method comprises forming a first elastomer layer of a large scale integration (LSI) device on a substrate according to a specified manufacturing process, the first elastomer layer having a plurality of fluid based circuits, the first elastomer layer adhering to a plurality of formation specifications. The method further comprises curing the first elastomer layer. Additionally, one or more additional elastomer layers of the LSI device are formed with the first elastomer layer according to the specified manufacturing process, the one or more additional elastomer layers having a plurality of fluid based circuits, the one or more additional elastomer layers adhering to the plurality of formation specifications.
(FR) La présente invention concerne un procédé d'intégration à grande échelle de dispositifs haptiques. Le procédé consiste à former une première couche élastomère d'un dispositif d'intégration à grande échelle (LSI) sur un substrat selon un procédé de fabrication spécifié, la première couche élastomère ayant une pluralité de circuits à base de fluide, la première couche élastomère adhérant à une pluralité de spécifications de formation. Le procédé consiste en outre à durcir la première couche élastomère. De plus, une ou plusieurs couches élastomères supplémentaires du dispositif LSI sont formées avec la première couche élastomère selon le processus de fabrication spécifié, lesdites couches élastomères supplémentaires ayant une pluralité de circuits à base de fluide, lesdites couches élastomères supplémentaires adhérant à la pluralité de spécifications de formation.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 영어 (EN)
출원언어: 영어 (EN)