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1. (WO2018123626) NEGATIVE RESIST COMPOSITION FOR PROTRUDING ELECTRODE AND METHOD FOR MANUFACTURING PROTRUDING ELECTRODE
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2018/123626 국제출원번호: PCT/JP2017/044987
공개일: 05.07.2018 국제출원일: 14.12.2017
IPC:
G03F 7/004 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,H01L 21/60 (2006.01) ,H05K 3/34 (2006.01)
G SECTION G — 물리학
03
전자사진; 광파 이외의 파를 사용하는 유사기술; 영화; 사진; 홀로그래피(Holography)
F
사진제판법에 의한 요철화 또는 패턴화 표면의 제조, 예. 인쇄용, 반도체장치의 제조법용; 그것을 위한 재료; 그것을 위한 원료; 그것을 위한 특별히 적합한 장치
7
사진제판법, 예 사진석판법에 의한 요철화 또는 패턴화된 표면의 제조, 예. 인쇄표면의 제조 그것을 위한 재료, 예. 포토레지스트로 된 것 그것을 위하여 특히 적합한 장치
004
감광재료
04
크롬산염
G SECTION G — 물리학
03
전자사진; 광파 이외의 파를 사용하는 유사기술; 영화; 사진; 홀로그래피(Holography)
F
사진제판법에 의한 요철화 또는 패턴화 표면의 제조, 예. 인쇄용, 반도체장치의 제조법용; 그것을 위한 재료; 그것을 위한 원료; 그것을 위한 특별히 적합한 장치
7
사진제판법, 예 사진석판법에 의한 요철화 또는 패턴화된 표면의 제조, 예. 인쇄표면의 제조 그것을 위한 재료, 예. 포토레지스트로 된 것 그것을 위하여 특히 적합한 장치
20
노광; 그것을 위한 장치
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
04
적어도 하나의 전위장벽 또는 표면장벽(예. PN접합, 공핍층, 캐리어 밀집층)을 갖는 장치
50
H01L21/06~ H01L21/326의 어디에도 분류되지 않은 방법 또는 장비를 이용한 반도체 장치의조립
60
동작중의 장치로 또는 장치로부터 전류를 흐르게 하기 위한 리드(leads) 또는 다른 도전부재의 부착
H SECTION H — 전기
05
달리 분류되지 않는 전기기술
K
인쇄회로; 전기장치의 상체 또는 구조적 세부, 전기부품의 조립체의 제조
3
인쇄회로를 제조하기 위한 장치 또는 방법
30
전기부품, 예. 저항기를 인쇄회로에 부착하는 일
32
인쇄회로에 대한 전기부품 또는 전선의 전기적 접속
34
납땜에 의한 것
출원인:
日本ゼオン株式会社 ZEON CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目6番2号 6-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1008246, JP
발명자:
佐藤 信寛 SATO Nobuhiro; JP
阿部 信紀 ABE Nobunori; JP
대리인:
杉村 憲司 SUGIMURA Kenji; JP
우선권 정보:
2016-25197526.12.2016JP
발명의 명칭: (EN) NEGATIVE RESIST COMPOSITION FOR PROTRUDING ELECTRODE AND METHOD FOR MANUFACTURING PROTRUDING ELECTRODE
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE NÉGATIVE POUR ÉLECTRODE EN SAILLIE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE ÉLECTRODE EN SAILLIE
(JA) 突起電極用ネガ型レジスト組成物及び突起電極の製造方法
요약서:
(EN) The present invention provides a negative resist composition for a protruding electrode with a resist film having a light transmittance of 30% or less at a wavelength of 365 nm on producing a resist film with a thickness of 3.5 µm.
(FR) La présente invention concerne une composition de résine négative pour une électrode en saillie présentant un film de résine ayant une transmittance égale ou inférieure à 30 % à une longueur d'onde de 365 nm lors de la production d'un film de résine d’une épaisseur de 3,5 µm.
(JA) 厚さ3.5μmのレジスト膜を形成した場合に、波長365nmでの前記レジスト膜の光線透過率が30%以下である、突起電極用ネガ型レジスト組成物である。
지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)